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公开(公告)号：CN111952148A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010409492.5
申请日：2020-05-14
Applicant: 丰田自动车株式会社 , 国立大学法人京都工芸纤维大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/463 , C30B25/20 , C30B29/16
Abstract: 本发明的课题是，在以晶体层为基底使与该晶体层不同的半导体层生长的情况下，形成晶体缺陷密度较低的半导体层。本发明提供一种半导体层的生长方法，其具有下述工序：在表面有晶体层露出的基板的所述表面，使材料和晶体结构的至少其中一者与所述晶体层不同的第一半导体层生长的工序；将所述第一半导体层以从其表面贯穿至其背面的方式进行切割的工序；以及在所述第一半导体层的切割面，使材料及晶体结构与所述第一半导体层相同的第二半导体层生长的工序。
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公开(公告)号：CN114695076A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202111576467.7
申请日：2021-12-22
Applicant: 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社 , 国立大学法人京都工芸纤维大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种用于生产包括掺杂有第一金属的第二金属的氧化物膜(6)的产品(2)的方法包括由其中溶解有第一金属和第二金属的原料溶液(23)产生雾(23m)；和将雾供应到基材(4)的表面，以在基材的表面上形成氧化物膜。原料溶液的pH小于7。
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公开(公告)号：CN114592182A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202111458265.2
申请日：2021-12-02
Applicant: 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社 , 国立大学法人京都工芸纤维大学
IPC: C23C16/448 , C23C16/02 , C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/67
Abstract: 晶圆处理设备配置为通过将雾供给到晶圆表面来处理晶圆。晶圆处理设备包括其内布置晶圆的炉、配置为向炉中供给气体的气体供给装置、向炉中供给雾的雾供给装置、以及控制器。控制器配置为通过控制气体供给装置和雾供给装置以分别将气体和雾供给到炉中来执行处理步骤。控制器还配置为在处理步骤结束时控制气体供给装置以停止将雾供给到炉中同时控制气体供给装置以保持将气体供给到炉中。
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公开(公告)号：CN112048765A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010501607.3
申请日：2020-06-04
Applicant: 丰田自动车株式会社 , 国立大学法人京都工芸纤维大学
IPC: C30B29/16 , C30B25/02 , C30B33/02 , C23C16/40 , C23C16/448 , C23C16/56 , H01L21/368 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种氧化膜的成膜方法、半导体装置的制造方法及氧化膜的成膜装置。能够将高结晶度的氧化膜在短时间内成膜。该氧化膜的成膜方法具有：在将基板加热到第一温度的同时，将溶解有所述氧化膜的材料的溶液的喷雾供给到所述基板的表面，从而使所述氧化膜在所述基板的所述表面外延生长的工序；以及在使所述氧化膜外延生长之后，在将所述氧化膜加热到比所述第一温度高的第二温度的同时，使所述氧化膜暴露于含有氧原子的流体中的工序。
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公开(公告)号：CN112048759A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010502177.7
申请日：2020-06-04
Applicant: 丰田自动车株式会社 , 国立大学法人京都工芸纤维大学
Abstract: 本发明提供一种氧化膜的成膜方法、半导体装置的制造方法及氧化膜的成膜装置。能够形成氧空位少的氧化膜。该成膜方法作为氧化膜的成膜方法，具有：将溶解有所述氧化膜的材料的溶液的喷雾与氧浓度为21vol％以下的载气一起供给到基板的表面，从而使所述氧化膜在所述基板的所述表面外延生长的工序；以及在使所述氧化膜外延生长之后，使所述氧化膜暴露于含有氧原子的流体的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111254489A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201911083382.8
申请日：2019-11-07
Applicant: 丰田自动车株式会社 , 国立大学法人京都工芸纤维大学
Abstract: 本发明在抑制加热炉内的喷雾的流速变化的同时改变加热炉内的喷雾的浓度。本发明提供一种成膜装置，其向基体的表面供给溶液的喷雾而使膜在所述基体的所述表面外延生长。该成膜装置具有：加热炉，其收容并加热所述基体；喷雾产生槽，其内部产生所述溶液的所述喷雾；喷雾供给路径，其连接所述喷雾产生槽和所述加热炉；载气供给路径，其向所述喷雾产生槽供给载气；稀释气供给路径，其向所述喷雾供给路径供给稀释气；以及气体流量控制装置，其控制所述载气的流量和所述稀释气的流量。所述气体流量控制装置在使所述载气的流量增加时，使所述稀释气的流量降低。
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公开(公告)号：CN116356284A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202211657325.8
申请日：2022-12-22
Applicant: 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社 , 国立大学法人京都工芸纤维大学
IPC: C23C16/448 , C23C16/48 , C23C16/455 , C30B25/02 , C30B25/14
Abstract: 一种用于在衬底的表面上形成膜的成膜装置，包括：衬底放置在其上的工作台；雾产生源，其产生至少含有水并且用于形成膜的材料溶解在其中的溶液的雾；供给路径，其通过载气的流动朝向工作台上的衬底输送由雾产生源产生的雾；以及加热器，其加热供给路径的至少一部分。由加热器加热的供给路径的该部分设置为雾加热段，在雾加热段中，红外线从供给路径的内表面朝向雾辐射。雾加热段中的供给路径的内表面涂覆有涂层，该涂层包含存在于所述雾中的元素的氧化物和氢氧化物中的至少一种。
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公开(公告)号：CN115704094A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210973812.9
申请日：2022-08-15
Applicant: 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社 , 国立大学法人京都工芸纤维大学
IPC: C23C16/448 , C23C16/455 , H01L21/67
Abstract: 一种成膜设备，包括工作台(16)、加热器(14)、雾供给源(20)、过热蒸气供给源(80)、和输送装置。工作台配置成允许将衬底(12)安装在其上。加热器配置成加热衬底。雾供给源配置成供给包含溶剂和溶解在该溶剂中的膜材料的溶液(21)的雾(72)。过热蒸气供给源(80)配置成供给与溶剂相同材料的过热蒸气(43)。输送装置配置成将雾和过热蒸气朝向衬底的表面输送以在衬底的表面上生长含有膜材料的膜。
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公开(公告)号：CN112030225A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010485796.X
申请日：2020-06-01
Applicant: 丰田自动车株式会社 , 国立大学法人京都工芸纤维大学
Abstract: 本发明提供能够将雾高效地供给到外部的技术。雾发生装置具备贮存槽、多个超声波换能器、雾送出通道和雾收集管。贮存槽贮存溶液。超声波换能器设置在贮存槽的下部，向在贮存槽内贮存的溶液施加超声波振动，从而在贮存槽内产生溶液的雾。雾送出通道从贮存槽的内部向贮存槽的外部送出雾。雾收集管配置在贮存槽内的溶液的上方，雾收集管的上端部与雾送出通道的上游端连接，在雾收集管的下端部设置有开口部，随着从上端部往开口部，雾收集管的宽度扩大。多个超声波换能器位于开口部的正下方。
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公开(公告)号：CN111947582A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010409491.0
申请日：2020-05-14
Applicant: 丰田自动车株式会社 , 国立大学法人京都工芸纤维大学
Abstract: 本发明提供一种高精度地测定层叠的两个半导体层中位于上层的半导体层的膜厚的新技术。本说明书公开的膜厚测定方法使用膜厚测定装置测定覆盖第一半导体层的表面的第二半导体层的膜厚。第一半导体层和第二半导体层由相同的主体材料制成，为相同的导电类型。膜厚测定装置配置为，从光源照射的光由半反射镜反射之后，被固定在基台上的半导体基板反射，由半导体基板反射后的光穿过半反射镜入射到光检测器。由半导体基板反射的光包括由第二半导体层的表面反射的第一反射光、以及由第二半导体层与第一半导体层之间的分界面反射的第二反射光。膜厚计算器基于光检测器检测出的光，计算第二半导体层的膜厚。
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