公开(公告)号：CN111066152A

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201880055698.3

申请日：2018-08-29

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 箕谷周平 ,  梶爱子 ,  海老原康裕 ,  永冈达司 ,  青井佐智子

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

Abstract: 具备：第1导电型的由碳化硅构成的第1电流分散层(13)，形成在n－型层(12)与基体区域(18)之间，与n－型层(12)相比为高杂质浓度；第2导电型的由碳化硅构成的多个第1深层(14)，形成在第1电流分散层(13)内，比第1电流分散层(13)浅并且在一个方向上延伸设置；第1导电型的由碳化硅构成的第2电流分散层(15)，形成在第1电流分散层(13)与基体区域(18)之间，沟槽(21)的底部位于该第2电流分散层；以及第2导电型的由碳化硅构成的第2深层(17)，形成在第1电流分散层(13)与基体区域(18)之间，与基体区域(18)相连并与第1深层(14)相连，并且从沟槽(21)离开而形成。

公开(公告)号：CN107996003B

公开(公告)日：2020-02-04

申请号：CN201680033066.8

申请日：2016-06-03

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 高谷秀史 ,  水野祥司 ,  渡辺行彦 ,  青井佐智子

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/16 ,  H01L29/66 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种制造绝缘栅开关器件的方法。所述方法包括：在第一SiC半导体层的表面中形成第一沟槽；将p型杂质注入到所述第一沟槽的底表面中；在所述第一沟槽的内表面上沉积第二SiC半导体层以形成第二沟槽；以及形成栅极绝缘层、栅电极、第一区域和体区域，使得栅极绝缘层覆盖第二沟槽的内表面，栅电极位于第二沟槽中，第一区域为n型并与栅极绝缘层接触，体区域为p型，与注入区域分离，并且在第一区域下方与栅极绝缘层接触。

公开(公告)号：CN110235229A

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201880006937.6

申请日：2018-01-17

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 浦上泰 ,  加藤武宽 ,  青井佐智子

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/417

Abstract: 通过进行H2退火而使层间绝缘膜(10)致密化。通过进行这样的致密化，与不进行致密化的情况相比，层间绝缘膜(10)变硬。因此，即使在对于层间绝缘膜(10)形成接触孔(10a、10b)后进行成为高温的加热工序，也抑制接触孔(10a、10b)的侧壁的角部变圆。由此，即使成为金属电极的Al－Si层(9d、31c)向接触孔(10a、10b)内的进入量较多，也抑制基于应力的层间绝缘膜(10)的变形，抑制因该应力而使栅极绝缘膜(7)产生裂纹。

公开(公告)号：CN106057912A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610211107.X

申请日：2016-04-06

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 三宅裕树 ,  永冈达司 ,  宫原真一朗 ,  青井佐智子

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/26513 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/872 ,  H01L29/861 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/6609

Abstract: 本发明提供一种二极管以及二极管的制造方法，该二极管使具有p型接触区和n型接触区的二极管的耐压提高。二极管具有：多个p型接触区，它们与阳极电极接触；n型接触区，其在相邻的两个p型接触区之间与阳极电极接触；阴极区，其被配置于p型接触区与n型接触区的背面侧，且与阴极电极接触。p型接触区具有：第一区域，其与阳极电极接触；第二区域，其被配置于第一区域的背面侧，并具有与第一区域的p型杂质浓度相比较低的p型杂质浓度；第三区域，其被配置于第二区域的背面侧，并具有与第二区域的p型杂质浓度相比较低的p型杂质浓度。所述第二区域的厚度与所述第一区域的厚度相比较厚。

公开(公告)号：CN105580139A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201480052481.9

申请日：2014-09-22

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 斋藤顺 ,  青井佐智子 ,  渡边行彦 ,  山本敏雅

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/0634 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 一种半导体装置(10)，包括半导体基板(11)。该半导体基板的元件区域(12)包括具有第一导电类型的第一体区域(36a)，具有第二导电类型的第一漂移区(32a)，以及多个第一浮动区域(34)，各所述第一浮动区域具有所述第一导电类型。终端区域包括具有所述第二导电类型的第二漂移区(32b)，以及多个第二浮动区域(37)，各所述第二浮动区域具有所述第一导电类型。各所述第二浮动区域被所述第二漂移区所围绕。当第一漂移区的中心的深度被看作参考深度时，至少一个第二浮动区域被配置成比每个第一浮动区域更接近于所述参考深度。

公开(公告)号：CN102376709A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201110241326.X

申请日：2011-08-17

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 小山雅纪 ,  大仓康嗣 ,  添野明高 ,  永冈达司 ,  杉山隆英 ,  青井佐智子 ,  井口紘子

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/861 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/1095 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/8613

Abstract: 在一种半导体器件中，IGBT单元(10)包括穿过半导体衬底(32)的基底层(31)到达半导体衬底(32)的漂移层(30)的沟槽(35)，沟槽(35)内表面上的栅极绝缘膜(36)，栅极绝缘膜(36)上的栅极电极(37a)，基底层(31)表面部分中的第一导电类型的发射极区(38)，以及基底层(31)表面部分中第二导电类型的第一接触区(39)。IGBT单元还包括设置于基底层(31)之内的第一导电类型的浮置层(40)，以将基底层(31)分成包括发射极区(38)和第一接触区(39)的第一部分以及与漂移层(30)相邻的第二部分，以及被设置成覆盖栅极电极(37a)的末端的层间绝缘膜(41)。二极管单元(20)包括基底层(31)的表面部分中的第二导电类型的第二接触区(42)。