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公开(公告)号：CN107623026B
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201710551971.9
申请日：2017-07-07
IPC: H01L29/06 , H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供一种能够缓和外周耐压区的电场的半导体装置与其制造方法。所述半导体装置的半导体基板具有元件区和外周耐压区。外周耐压区具有对元件区进行多重包围的p型的多个保护环。多个保护环具有内周侧保护环和外周侧保护环，所述外周侧保护环被配置在与内周侧保护环相比靠外周侧并且与内周侧保护环相比宽度较窄。内周侧保护环彼此之间的间隔与外周侧保护环彼此之间的间隔相比较窄。内周侧保护环各自具有第一高浓度区和第一低浓度区。外周侧保护环各自具有第二高浓度区和第二低浓度区。第一低浓度区在表面处的宽度与第二低浓度区在表面处的宽度相比较宽。
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公开(公告)号：CN107623026A
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201710551971.9
申请日：2017-07-07
IPC: H01L29/06 , H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供一种能够缓和外周耐压区的电场的半导体装置与其制造方法。所述半导体装置的半导体基板具有元件区和外周耐压区。外周耐压区具有对元件区进行多重包围的p型的多个保护环。多个保护环具有内周侧保护环和外周侧保护环，所述外周侧保护环被配置在与内周侧保护环相比靠外周侧并且与内周侧保护环相比宽度较窄。内周侧保护环彼此之间的间隔与外周侧保护环彼此之间的间隔相比较窄。内周侧保护环各自具有第一高浓度区和第一低浓度区。外周侧保护环各自具有第二高浓度区和第二低浓度区。第一低浓度区在表面处的宽度与第二低浓度区在表面处的宽度相比较宽。
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公开(公告)号：CN107004725A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580068085.X
申请日：2015-10-19
IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/47
CPC classification number: H01L29/0623 , H01L21/0465 , H01L21/761 , H01L29/0619 , H01L29/0692 , H01L29/1608 , H01L29/6606 , H01L29/872
Abstract: SBD具备与阳极电极接触的p型接触区和与阳极电极肖特基接触的n型漂移区。p型接触区具备：第一p型区域，其具有角部；第二p型区域，其与角部连接；边缘填充部，其被配置在第一p型区域与第二p型区域的连接部处。在将第一p型区域的轮廓的向连接部侧延长的延长线设为第一延长线，并将第二p型区域的轮廓的向所述连接部侧延长的延长线设为第二延长线时，第一延长线与第二延长线以锐角交叉。边缘填充部填充被形成在第一延长线与第二延长线之间的锐角边缘。
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公开(公告)号：CN116356284A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202211657325.8
申请日：2022-12-22
Applicant: 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社 , 国立大学法人京都工芸纤维大学
IPC: C23C16/448 , C23C16/48 , C23C16/455 , C30B25/02 , C30B25/14
Abstract: 一种用于在衬底的表面上形成膜的成膜装置，包括：衬底放置在其上的工作台；雾产生源，其产生至少含有水并且用于形成膜的材料溶解在其中的溶液的雾；供给路径，其通过载气的流动朝向工作台上的衬底输送由雾产生源产生的雾；以及加热器，其加热供给路径的至少一部分。由加热器加热的供给路径的该部分设置为雾加热段，在雾加热段中，红外线从供给路径的内表面朝向雾辐射。雾加热段中的供给路径的内表面涂覆有涂层，该涂层包含存在于所述雾中的元素的氧化物和氢氧化物中的至少一种。
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公开(公告)号：CN115704094A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210973812.9
申请日：2022-08-15
Applicant: 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社 , 国立大学法人京都工芸纤维大学
IPC: C23C16/448 , C23C16/455 , H01L21/67
Abstract: 一种成膜设备，包括工作台(16)、加热器(14)、雾供给源(20)、过热蒸气供给源(80)、和输送装置。工作台配置成允许将衬底(12)安装在其上。加热器配置成加热衬底。雾供给源配置成供给包含溶剂和溶解在该溶剂中的膜材料的溶液(21)的雾(72)。过热蒸气供给源(80)配置成供给与溶剂相同材料的过热蒸气(43)。输送装置配置成将雾和过热蒸气朝向衬底的表面输送以在衬底的表面上生长含有膜材料的膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114864408A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210105803.8
申请日：2022-01-28
IPC: H01L21/44
Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法，包括：制备由包含第一元素和与第一元素键合且电负性比第一元素小1.5或更多的第二元素的化合物半导体制成的衬底(12)；使电流在衬底(12)中流动；和在包括使电流流动的电流区域的位置处并沿着衬底(12)的解理面分割衬底(12)。一种用于制造半导体器件的方法，包括：叠置均由化合物半导体制成的第一衬底(52)和第二衬底(54)；和通过使电流在第一衬底(52)与第二衬底(54)之间流动来键合第一衬底(52)和第二衬底(54)。
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公开(公告)号：CN110050349A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201780075779.5
申请日：2017-12-12
Abstract: 在保护环部中，通过在n-型漂移层(2)的表层部形成电场缓和用的电场缓和层(40)，从而抑制电场进入p型保护环(21)之间。由此，电场集中得到缓和，由电场集中引起的层间绝缘膜(10)的击穿得到抑制，能够抑制耐压下降。因此，能够制成可得到所期望的耐压的SiC半导体装置。
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公开(公告)号：CN102376709B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201110241326.X
申请日：2011-08-17
IPC: H01L27/06 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/861 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/1095 , H01L29/0696 , H01L29/407 , H01L29/7397 , H01L29/8613
Abstract: 在一种半导体器件中，IGBT单元(10)包括穿过半导体衬底(32)的基底层(31)到达半导体衬底(32)的漂移层(30)的沟槽(35)，沟槽(35)内表面上的栅极绝缘膜(36)，栅极绝缘膜(36)上的栅极电极(37a)，基底层(31)表面部分中的第一导电类型的发射极区(38)，以及基底层(31)表面部分中第二导电类型的第一接触区(39)。IGBT单元还包括设置于基底层(31)之内的第一导电类型的浮置层(40)，以将基底层(31)分成包括发射极区(38)和第一接触区(39)的第一部分以及与漂移层(30)相邻的第二部分，以及被设置成覆盖栅极电极(37a)的末端的层间绝缘膜(41)。二极管单元(20)包括基底层(31)的表面部分中的第二导电类型的第二接触区(42)。
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公开(公告)号：CN110622320A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201880019440.8
申请日：2018-01-26
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 半导体装置具备：半导体基板，具有上表面和下表面；上表面电极，设置在半导体基板的上表面；及下表面电极，设置在半导体基板的下表面。在俯视观察时，半导体基板具有包含半导体基板的中心的第一范围和位于第一范围与半导体基板的外周缘之间的第二范围。在第一范围和第二范围分别设置内置有体二极管的MOSFET结构。MOSFET结构在第一范围与第二范围之间互不相同，以使相对于相同电流密度的体二极管的正向电压在第一范围中比在第二范围中高。
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公开(公告)号：CN107004725B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201580068085.X
申请日：2015-10-19
IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/47
CPC classification number: H01L29/0623 , H01L21/0465 , H01L21/761 , H01L29/0619 , H01L29/0692 , H01L29/1608 , H01L29/6606 , H01L29/872
Abstract: SBD具备与阳极电极接触的p型接触区和与阳极电极肖特基接触的n型漂移区。p型接触区具备：第一p型区域，其具有角部；第二p型区域，其与角部连接；边缘填充部，其被配置在第一p型区域与第二p型区域的连接部处。在将第一p型区域的轮廓的向连接部侧延长的延长线设为第一延长线，并将第二p型区域的轮廓的向所述连接部侧延长的延长线设为第二延长线时，第一延长线与第二延长线以锐角交叉。边缘填充部填充被形成在第一延长线与第二延长线之间的锐角边缘。
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