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公开(公告)号：CN118693155A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410311909.2
申请日：2024-03-19
Inventor： 铃木龙太
Abstract: 在场效应晶体管中，沟槽下层配置于沟槽的下部。p型深层在从上侧观察半导体基板时沿着与沟槽交叉的第一方向延伸，且沿着与第一方向正交的第二方向隔开间隔地配置。漏极侧n型层从与体层的下表面相接的位置通过各p型深层之间的各间隔分布至比各p型深层的下端靠下侧的位置。漏极侧n型层具有高浓度层和中浓度层。高浓度层分布于存在各p型深层与各沟槽下层双方的深度范围的至少一部分。中浓度层分布于高浓度层的下端与各p型深层的下端之间的深度范围的至少一部分。
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公开(公告)号：CN119866031A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202411458476.X
申请日：2024-10-18
Abstract: 开关元件构成有多个沿着与在第1方向上延伸的沟槽交叉的第2方向将连接区域隔开间隔以直线状排列的列。沟槽间半导体层与上述列的交叉部具有设有上述连接区域的连接交叉部和没有设置上述连接区域的非连接交叉部。在上述各列中，交替地配置有上述连接交叉部连续的部分和上述非连接交叉部连续的部分。在相邻的列之间，图案的相位在上述第2方向上错开。在各非连接交叉部中，到上述连接交叉部的切比雪夫距离是1。在各连接交叉部中，到上述非连接交叉部的切比雪夫距离是1。
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公开(公告)号：CN115411111A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210585166.9
申请日：2022-05-26
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体器件包括半导体元件。所述半导体元件具有半导体层(1)、第一导电类型层(2)、饱和电流抑制层(3，4)、电流扩散层(6)、基极区(7)、源极区(8)、沟槽栅极结构、层间绝缘膜(13)、源极电极(14)、漏极电极(15)和第二深层(5)。第一导电类型层设置在半导体层上方。设置在第一导电类型层上方的饱和电流抑制层包括第一深层(4)和JFET部分(3)。基极区设置在饱和电流抑制层上方。所述源极区和所述接触区设置在所述区域上方。每个沟槽栅极结构具有栅极沟槽(10)、栅极绝缘膜(11)和栅极电极(12)。第二深层设置在沟槽栅极结构之间并连接到第一深层。
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公开(公告)号：CN110050349B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN201780075779.5
申请日：2017-12-12
Abstract: 在保护环部中，通过在n‑型漂移层(2)的表层部形成电场缓和用的电场缓和层(40)，从而抑制电场进入p型保护环(21)之间。由此，电场集中得到缓和，由电场集中引起的层间绝缘膜(10)的击穿得到抑制，能够抑制耐压下降。因此，能够制成可得到所期望的耐压的SiC半导体装置。
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公开(公告)号：CN110050349A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201780075779.5
申请日：2017-12-12
Abstract: 在保护环部中，通过在n-型漂移层(2)的表层部形成电场缓和用的电场缓和层(40)，从而抑制电场进入p型保护环(21)之间。由此，电场集中得到缓和，由电场集中引起的层间绝缘膜(10)的击穿得到抑制，能够抑制耐压下降。因此，能够制成可得到所期望的耐压的SiC半导体装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118136667A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202311589238.8
申请日：2023-11-27
Abstract: 一种开关元件，在从方上观察半导体基板时，构成有多个使将体区域和深区域连接的连接区域沿着第二方向以直线状排列而成的列。沟槽间半导体层和列的交叉部具有设置有连接区域的连接交叉部和未设置连接区域的非连接交叉部。在相邻的连接交叉部之间的间隔中配置有基准数量的非连接交叉部。基准数量为3或4。在以交叉部的单位对曼哈顿距离进行计数的情况下，在各非连接交叉部，到连接交叉部为止的曼哈顿距离为1。
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公开(公告)号：CN118057621A
公开(公告)日：2024-05-21
申请号：CN202311518086.2
申请日：2023-11-15
Inventor： 铃木龙太
Abstract: 半导体装置具有多个下侧保护环(16a)和多个上侧保护环(16b)。多个下侧保护环各自的上部与多个上侧保护环中的对应的上侧保护环的下部重叠。多个下侧保护环各自的下侧内周面相对于多个上侧保护环中的对应的上侧保护环的上侧内周面向内外方向的一个朝向偏移。多个下侧保护环各自的下侧外周面相对于多个上侧保护环中的对应的上侧保护环的上侧外周面向内外方向的上述一个朝向偏移。
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公开(公告)号：CN118735536A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410207275.6
申请日：2024-02-26
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: G06Q30/018 , G06F21/60 , G06Q50/04 , G06F3/06 , G06F16/176
Abstract: 本发明涉及信息处理装置、信息处理方法以及非暂时性存储介质。该信息处理装置的控制部构成为执行以下处理。从下游企业的账户受理变换系数。将该变换系数储存于仅对下游企业的账户赋予了访问权限的第1存储区域。使用该变换系数将从与第1产品相关的溯源性信息获得的第1值变换为由第2单位表达的第2值。将第2值和从与第2产品相关的溯源性关联信息获得的第3值整合来取得与第2产品相关的溯源性信息，并输出第4值。
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公开(公告)号：CN118735533A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410053588.0
申请日：2024-01-15
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: G06Q30/018 , G06Q10/0639 , G06Q50/26
Abstract: 本发明涉及信息处理装置以及信息处理方法。信息处理装置的控制部受理与供应链所包括的各企业的产品的输送相关的碳足迹所涉及的碳足迹信息的登记。而且，在规定的时机，信息处理装置的控制部基于预先存储的参考值来计算与供应链所包括的企业中的未完成碳足迹信息的登记的企业有关的碳足迹的推断值。
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