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公开(公告)号:CN117059649A
公开(公告)日:2023-11-14
申请号:CN202310531077.0
申请日:2023-05-11
IPC: H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/66 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供半导体装置及其制造方法。半导体装置(1)具备设在单元部(10A)和边界部(10B)的第2导电型的多个连接区域(17)。多个连接区域在半导体层(10)的厚度方向上配置在多个底区域(14、15)与体区域(18)之间,与多个底区域及体区域相接,至少沿着一个方向隔开间隔反复配置,由此在这些间隔中配置有漂移区域(16)。
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公开(公告)号:CN118136667A
公开(公告)日:2024-06-04
申请号:CN202311589238.8
申请日:2023-11-27
Abstract: 一种开关元件,在从方上观察半导体基板时,构成有多个使将体区域和深区域连接的连接区域沿着第二方向以直线状排列而成的列。沟槽间半导体层和列的交叉部具有设置有连接区域的连接交叉部和未设置连接区域的非连接交叉部。在相邻的连接交叉部之间的间隔中配置有基准数量的非连接交叉部。基准数量为3或4。在以交叉部的单位对曼哈顿距离进行计数的情况下,在各非连接交叉部,到连接交叉部为止的曼哈顿距离为1。
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