公开(公告)号：CN101197368A

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200710196466.3

申请日：2007-12-05

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 尾关善彦 ,  河野宪司 ,  藤井哲夫

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 通过以下节省成本的方式制造一种具有在一个半导体衬底(20)上具有多个有源元件(31－33、41－43)和无源元件(51、52)的半导体器件(100)，即使当所述有源和无源元件包括双侧电极元件(41－43、51、52)也是如此。当将半导体衬底划分为多个场区域(F1－F8)时，穿透半导体衬底的绝缘隔离沟槽(T)包围每一个场区域，以及多个有源元件或多个无源元件中的任意一方的每一个。此外，多个元件中的每一个具有一对分别设置在半导体衬底的两侧(S1、S2)中的每一侧上的用于电源的功率电极(dr1、dr2)，用作双侧电极元件。

公开(公告)号：CN1967815A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200610148540.X

申请日：2006-11-15

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 丸山友美 ,  田村宗生 ,  藤井哲夫 ,  船户祐嗣

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/78 ,  B23K26/00 ,  B28D5/00

CPC classification number: B23K26/0617 ,  B23K26/0676 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/50

Abstract: 半导体晶片(10、21)具有两个面，其中一个面为激光入射面。将切割薄片(11、25)附着到晶片的另一个面，以便它被拉伸从而将拉伸应力施加到激光－重整区(R)并利用重整区作为切割起始点使切割发生。在晶片和切割薄片之间提供诸如光散射凸起和凹陷(10c)这样的保护层、光散射部件(11、13)或者光反射部件(25)，以散射和反射穿过晶片的激光。由此，能够切割薄片不被损坏，因为在切割薄片中不形成激光会聚点。

公开(公告)号：CN1967805A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200610160324.7

申请日：2006-11-16

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 小邑笃 ,  田村宗生 ,  杉浦和彦 ,  船户祐嗣 ,  丸山友美 ,  藤井哲夫 ,  河野宪司

IPC: H01L21/78 ,  B28D5/00 ,  B23K26/00

Abstract: 一种用于切分半导体基板(21)的方法包括：通过向基板(21)上照射激光束(L)而在基板(21)中形成改质层(K)；沿着分割线(DL)在基板(21)上形成沟槽(22，24，32，34)；向基板(21)施加力，以便在作为分割起始点的改质层(K)处分割基板(21)。沟槽(22，24，32，34)具有预定深度，从而沟槽(22，24，32，34)被布置成靠近改质层(K)，并且所述力在沟槽(22，24，32，34)处产生应力。