MEMS器件的制造方法以及MEMS器件

    公开(公告)号:CN112567500B

    公开(公告)日:2025-01-07

    申请号:CN201980053800.0

    申请日:2019-06-03

    Inventor: 福光政和

    Abstract: 本发明提供能够抑制器件部的损伤的MEMS器件的制造方法以及MEMS器件。谐振装置(1)的制造方法包括:从第二基板(350)的下表面侧照射激光LL,以便沿上表面形成有器件部的第一基板(330)与上表面经由接合部(60)与第一基板(330)的下表面接合的第二基板(350)的分割线(LN1、LN2)在第二基板(350)的内部形成改性区域(MA2)的工序S306;以及对改性区域(MA2)施加应力并沿分割线(LN1、LN2)来分割第一基板(330)以及第二基板(350)的工序S307,接合部(60)沿分割线(LN1、LN2)而形成,以遮挡激光(LL)。

    谐振装置及其制造方法
    32.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119256490A

    公开(公告)日:2025-01-03

    申请号:CN202380042699.5

    申请日:2023-02-28

    Abstract: 本发明提供谐振装置及其制造方法。谐振装置(1)具备:谐振器(10),具有振动部(110)、配置于振动部(110)周围的至少一部分的保持部(140)以及连接振动部(110)与保持部(140)的支承臂(150);以及第一基板(30),具有第一底板(32)和第一侧壁(33),其中,第一底板在厚度方向上与振动部(110)隔开间隔来设置,该第一侧壁从第一底板(32)的周边部向保持部(140)延伸,振动部(110)具有构成为能够进行面外弯曲振动的振动臂(121A),振动臂(121A)的前端部(122A)具有:基端侧部分和前端侧部分,其中,基端侧部分通过金属膜(125A)设置与第一底板(32)对置的面,前端侧部分位于比基端侧部分靠近开放端侧且通过硅设置与第一底板(32)对置的面。

    谐振装置和谐振装置制造方法

    公开(公告)号:CN113491069B

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN201980093135.8

    申请日:2019-10-15

    Abstract: 本发明提供能够抑制谐振器的振动空间的真空度降低的谐振装置和谐振装置制造方法。谐振装置(1)具备:包含谐振器(10)的MEMS基板(50),在与MEMS基板(50)对置的面包含氧化硅膜(L31)的上盖(30),以及将MEMS基板(50)与上盖(30)接合以便密封谐振器(10)的振动空间的接合部(60);氧化硅膜(L31)包含在俯视上盖(30)时形成于振动空间的周围的至少一部分且贯通至上盖(30)的背面的贯通孔(TH1),贯通孔(TH1)包含第1金属层(80)。

    谐振装置以及谐振装置制造方法
    34.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116133782A

    公开(公告)日:2023-05-16

    申请号:CN202180063936.7

    申请日:2021-07-02

    Abstract: 本发明提供一种能够抑制接合部的接合不良的谐振装置以及谐振装置制造方法。谐振装置(1)具备:包含谐振器(10)的MEMS基板(50)、上盖(30)、以及具有导电性且接合MEMS基板(50)和上盖(30)的接合部(60),MEMS基板(50)还包含与作为谐振器(10)的下部电极的Si基板(F2)电连接的布线层(81)、以及将布线层(81)和接合部(60)电连接的防扩散层(85)。

    谐振装置
    35.
    发明公开
    谐振装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN115398803A

    公开(公告)日:2022-11-25

    申请号:CN202080099752.1

    申请日:2020-11-17

    Abstract: 本发明涉及谐振装置。本发明提供一种谐振装置,具备:下盖,具有凹部;和谐振器,该谐振器搭载于下盖,并具有振动臂和保持部,振动臂能够在包含凹部在内的空间进行面外弯曲振动,保持部设置在振动臂的周围且具有与振动臂的末端部对置的对置部分,保持部的对置部分位于比直线靠谐振器的外侧,该直线将从振动臂的末端部朝向下盖的凹部延伸的垂线与下盖的凹部的交点、和振动臂的末端部侧的凹部的开口边缘连结。

    谐振器和谐振装置
    36.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109478876B

    公开(公告)日:2022-05-31

    申请号:CN201780034355.4

    申请日:2017-06-27

    Abstract: 本发明提供谐振器和谐振装置。抑制在保持部上的绝缘体层带电的电荷对谐振频率造成的影响。谐振器具备:振动部,具有压电膜、设置为将该压电膜夹持在中间并对置的下部电极和上部电极,上述振动部以规定的振动模式进行振动;保持部,至少设置于振动部的振动的位移成为最大的位移最大区域的周围,并具有绝缘膜;保持臂,对振动部与保持部进行连接;和导电部,形成为在保持部中的至少与振动部的位移最大区域对置的区域中,与保持部的绝缘膜连接,导电部与下部电极或者上述上部电极电连接,或者被接地。

    谐振装置和谐振装置制造方法

    公开(公告)号:CN113491069A

    公开(公告)日:2021-10-08

    申请号:CN201980093135.8

    申请日:2019-10-15

    Abstract: 本发明提供能够抑制谐振器的振动空间的真空度降低的谐振装置和谐振装置制造方法。谐振装置(1)具备:包含谐振器(10)的MEMS基板(50),在与MEMS基板(50)对置的面包含氧化硅膜(L31)的上盖(30),以及将MEMS基板(50)与上盖(30)接合以便密封谐振器(10)的振动空间的接合部(60);氧化硅膜(L31)包含在俯视上盖(30)时形成于振动空间的周围的至少一部分且贯通至上盖(30)的背面的贯通孔(TH1),贯通孔(TH1)包含第1金属层(80)。

    设备用基板以及集合基板
    38.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112567496A

    公开(公告)日:2021-03-26

    申请号:CN201980053045.6

    申请日:2019-03-25

    Inventor: 福光政和

    Abstract: 本发明提供能够抑制以贯通电极为起点的裂纹的产生的设备用基板以及集合基板。设备用基板(10)具备具有解理性的基板(11)和形成于基板(11)的贯通电极(20),在俯视基板(11)的主面时,贯通电极(20)的长边方向相对于基板(11)的解理方向倾斜。由此,贯通电极(20)的长边方向与基板(11)的解理方向不平行,也就是说,与解理方向不一致。

    MEMS设备及其制造方法
    39.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107848789A

    公开(公告)日:2018-03-27

    申请号:CN201680042091.2

    申请日:2016-09-14

    Abstract: 本发明提供一种MEMS设备,能够防止金属从共晶接合的接合面溢出。该MEMS设备具备:具有在表面具有配线的元件的下侧基板,与元件对置而设置的上侧基板,以及在元件的周围将下侧基板与上侧基板接合的接合部;接合部具有从接近元件的部分到远离元件的部分连续地设置的第1区域、第2区域和第3区域,第1区域或第3区域中的至少任一个区域含有第1成分和第2成分中熔点高的一方的成分的过共晶合金,第2区域含有第1成分与第2成分的共晶合金。

Patent Agency Ranking