公开(公告)号：CN102569640B

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201210012692.2

申请日：2008-10-23

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 神藤始 ,  芳井义治

IPC: H01L41/27

CPC classification number: H01L41/27 ,  G02F1/035 ,  H01L41/187 ,  H01L41/25 ,  H01L41/257 ,  H01L41/312 ,  H01L41/335 ,  H01L41/337 ,  H03H3/02 ,  H03H3/08 ,  H03H2003/021 ,  H03H2003/023 ,  H03H2003/027 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/49005 ,  Y10T29/49155

Abstract: 本发明提供一种能够有效利用压电体材料来形成均匀厚度的极薄压电膜的复合压电基板的制造方法。包括：a)准备压电体基板和支撑基板；b)从压电体基板的表面注入离子，在压电体基板内在距离表面规定深度的区域中形成缺陷层；c)对形成了缺陷层的压电体基板的表面和支撑基板的表面中的至少一个，去除附着在表面(2a、10a)中的杂质，使构成表面(2a、10a)的原子直接露出并活性化；d)在压电体基板的表面上接合支撑基板，形成基板接合体；e)采用形成于压电体基板内的缺陷层来分离基板接合体，从压电体基板剥离压电体基板的表面和缺陷层之间的剥离层，形成与支撑基板相接合的复合压电基板(30)；f)对复合压电基板的剥离层的表面进行平滑化。

公开(公告)号：CN104428912A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201380033997.4

申请日：2013-06-24

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 福光政和 ,  芳井义治

IPC: H01L33/62 ,  H05K1/11 ,  H05K3/46

CPC classification number: H01L23/60 ,  H01L23/12 ,  H01L23/48 ,  H01L33/486 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2924/0002 ,  H05F3/00 ,  H05K1/0259 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/113 ,  H05K3/421 ,  H05K2201/10106 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014

Abstract: 本发明提供安装基板以及发光装置。在基材(20)的背面沿着第1方向形成有外部连接用导体(41、42)，在表面沿着第2方向形成有布线导体(71、72)。在布线导体(71、72)的与基材(20)侧相反的一侧的面形成有绝缘层(60)。在绝缘层(60)的与布线导体(71、72)相反的一侧的面形成有部件安装用导体(31、32)。部件安装用导体(31)与布线导体(71)导通，部件安装用导体(32)与布线导体(72)导通。布线导体(71)与外部连接用导体(41)通过形成在基材(20)的部件安装用导体(31、32)的形成区域间的孔(511)的内壁面的导体膜(521)导通。布线导体(72)与外部连接用导体(42)通过形成在基材(20)的部件安装用导体(31、32)的形成区域间的孔(512)的内壁面的导体膜(522)导通。

公开(公告)号：CN102569640A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201210012692.2

申请日：2008-10-23

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 神藤始 ,  芳井义治

IPC: H01L41/22

CPC classification number: H01L41/27 ,  G02F1/035 ,  H01L41/187 ,  H01L41/25 ,  H01L41/257 ,  H01L41/312 ,  H01L41/335 ,  H01L41/337 ,  H03H3/02 ,  H03H3/08 ,  H03H2003/021 ,  H03H2003/023 ,  H03H2003/027 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/49005 ,  Y10T29/49155

Abstract: 本发明提供一种能够有效利用压电体材料来形成均匀厚度的极薄压电膜的复合压电基板的制造方法。包括：a)准备压电体基板和支撑基板；b)从压电体基板的表面注入离子，在压电体基板内在距离表面规定深度的区域中形成缺陷层；c)对形成了缺陷层的压电体基板的表面和支撑基板的表面中的至少一个，去除附着在表面(2a、10a)中的杂质，使构成表面(2a、10a)的原子直接露出并活性化；d)在压电体基板的表面上接合支撑基板，形成基板接合体；e)采用形成于压电体基板内的缺陷层来分离基板接合体，从压电体基板剥离压电体基板的表面和缺陷层之间的剥离层，形成与支撑基板相接合的复合压电基板(30)；f)对复合压电基板的剥离层的表面进行平滑化。

公开(公告)号：CN106164701B

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201580017602.0

申请日：2015-03-19

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 泷泽晃一 ,  芳井义治 ,  常盘淑幸

IPC: G01S13/74

Abstract: 本发明的测定装置(2)从第一天线对(3)输出彼此相位差(Δφ1)随时间变化的发送信号(St11)、(St12)。对象物(21)从对象侧天线(22)同时接收发送信号(St11)、(St12)，根据接收信号(Sr1)将对象物(21)和测定装置(2)的位置关系所对应的信息(Dφ)返送至测定装置(2)侧。测定装置(2)从第二天线对(4)输出彼此相位差(Δφ2)随时间变化的发送信号(St21)、(St22)。对象物(21)从对象侧天线(22)同时接收发送信号(St21)、(St22)，根据接收信号(Sr2)将对象物(21)和测定装置(2)的位置关系所对应的信息(Dφ)返送至测定装置(2)侧。测定装置(2)基于这两个信息(Dφ)，确定对象物(21)的方位角(θ)。

公开(公告)号：CN106164701A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201580017602.0

申请日：2015-03-19

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 泷泽晃一 ,  芳井义治 ,  常盘淑幸

IPC: G01S13/74

Abstract: 本发明的测定装置(2)从第一天线对(3)输出彼此相位差(Δφ1)随时间变化的发送信号(St11)、(St12)。对象物(21)从对象侧天线(22)同时接收发送信号(St11)、(St12)，根据接收信号(Sr1)将对象物(21)和测定装置(2)的位置关系所对应的信息(Dφ)返送至测定装置(2)侧。测定装置(2)从第二天线对(4)输出彼此相位差(Δφ2)随时间变化的发送信号(St21)、(St22)。对象物(21)从对象侧天线(22)同时接收发送信号(St21)、(St22)，根据接收信号(Sr2)将对象物(21)和测定装置(2)的位置关系所对应的信息(Dφ)返送至测定装置(2)侧。测定装置(2)基于这两个信息(Dφ)，确定对象物(21)的方位角(θ)。

公开(公告)号：CN101689841A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880021773.0

申请日：2008-10-23

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 神藤始 ,  芳井义治

IPC: H03H3/08 ,  H01L41/09 ,  H01L41/18 ,  H01L41/22 ,  H03H3/02 ,  H03H9/17

CPC classification number: H01L41/27 ,  G02F1/035 ,  H01L41/187 ,  H01L41/25 ,  H01L41/257 ,  H01L41/312 ,  H01L41/335 ,  H01L41/337 ,  H03H3/02 ,  H03H3/08 ,  H03H2003/021 ,  H03H2003/023 ,  H03H2003/027 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/49005 ,  Y10T29/49155

Abstract: 本发明提供一种能够有效利用压电体材料来形成均匀厚度的极薄压电膜的复合压电基板的制造方法。包括：a)准备压电体基板(2)和支撑基板(10)；b)从压电体基板(2)的表面(2a)注入离子，在压电体基板(2)内在距离表面(2a)规定深度的区域中形成缺陷层(4)；c)对形成了缺陷层(4)的压电体基板(2)的表面(2a)和支撑基板(10)的表面(10a)中的至少一个，去除附着在表面(2a、10a)中的杂质，使构成表面(2a、10a)的原子直接露出并活性化；d)在压电体基板(2)的表面(2a)上接合支撑基板(10)，形成基板接合体(40)；e)采用形成于压电体基板(2)内的缺陷层(4)来分离基板接合体(40)，从压电体基板(2)剥离压电体基板(2)的表面(2a)和缺陷层(4)之间的剥离层(3)，形成与支撑基板(10)相接合的复合压电基板(30)；f)对复合压电基板(30)的剥离层(3)的表面(3a)进行平滑化。