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公开(公告)号：CN1228397A
公开(公告)日：1999-09-15
申请号：CN99103602.6
申请日：1999-03-04
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/468 , H01B3/12 , H01C7/02
CPC classification number: H01C7/025
Abstract: 本发明提供了一种以钛酸钡为基的半导体陶瓷,它呈现优良的PTC特性,可在低于1000℃的温度烧结。本发明也提供了由该陶瓷制得的电子元件。所述的半导体陶瓷包括含有下列物质的半导体性的烧结钛酸钡:氧化硼,选自钡、锶、钙、铅、钇和稀土元素的至少一种金属的氧化物;以及(可任选的)选自钛、锡、锆、铌、钨和锑的至少一种金属的氧化物;所掺入的氧化硼的数量,按硼原子计算,满足以下关系:0.005≤B/β≤0.50和1.0≤B/(α－β)≤4.0其中α表示半导体陶瓷中所含钡、锶、钙、铅、钇和稀土元素原子的总数,β表示半导体陶瓷中所含钛、锡、锆、铌、钨和锑原子的总数。
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公开(公告)号：CN105706199B
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201480061284.3
申请日：2014-10-16
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 川本光俊
CPC classification number: H01G4/1281 , H01B3/12 , H01C7/10 , H01G4/0085 , H01G4/12 , H01G4/1218 , H01G4/232 , H01G4/248 , H01G4/30 , H01G4/35
Abstract: 具有由SrTiO系晶界绝缘型的半导体陶瓷形成的多个半导体陶瓷层(1a~1g)、和多个内部电极层(2a~2f)被交替层叠并烧结而成的部件基体(4)。所述半导体陶瓷的结晶粒子的平均粒径为1.0μm以下,并且,表示所述结晶粒子的粒径偏差的变动系数为30%以下。称量规定量的Sr化合物、Ti化合物以及供体化合物并混合粉碎,制作预烧粉末,将分散剂与受体化合物起添加进行湿式混合之后,制作热处理粉末,将该热处理粉末浆料化并进行过滤处理,使用该被过滤处理的浆料来进行制作。由此,实现了即使ESD反复产生也能够抑制绝缘性的降低、能够确保所希望的电特性的耐久性优良的带有变阻器功能的层叠型半导体陶瓷电容器及其制造方法。
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公开(公告)号：CN103608881B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201280028203.0
申请日：2012-06-18
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01L28/55 , B82Y30/00 , C04B35/47 , C04B2235/3227 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/5463 , C04B2235/6025 , C04B2235/652 , C04B2235/6583 , C04B2235/6586 , H01G4/1227 , H01G4/30 , Y10T428/2982
Abstract: 提供一种ESD耐压出色的晶界绝缘型半导体陶瓷所使用的陶瓷粉末、利用其的半导体陶瓷电容器及其制造方法。一种SrTiO3系晶界绝缘型半导体陶瓷所使用的陶瓷粉末，其特征在于，比表面积在4.0m2／g以上、8.0m2／g以下，累积90％粒径D90在1.2μm以下。
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公开(公告)号：CN103270564B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201280003757.5
申请日：2012-01-27
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 川本光俊
CPC classification number: H01L28/60 , B28B11/24 , B82Y30/00 , C01G23/006 , C01P2006/12 , C01P2006/40 , C04B35/47 , C04B35/6261 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3241 , C04B2235/3251 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3418 , C04B2235/36 , C04B2235/441 , C04B2235/444 , C04B2235/483 , C04B2235/5409 , C04B2235/5454 , C04B2235/652 , C04B2235/6582 , C04B2235/663 , C04B2235/786 , C04B2235/79 , C04B2235/85 , H01G4/1227 , H01G4/30
Abstract: 半导体陶瓷的主成分由SrTiO3系化合物形成，并且施主元素固溶于结晶粒子中，且受主元素存在于晶界层中。受主元素中的4价的受主元素的个数为1×1017个/g以上。该受主元素的个数根据电子自旋共振吸收谱来算出。在混合粘合剂前将预烧粉末和受主化合物的混合物混合粉碎至比表面积成为5.0～7.5m2/g。具有变阻功能的层叠型半导体陶瓷电容器的半导体陶瓷层（1a～1g）使用该半导体陶瓷来形成。由此抑制了在产品间的特性偏差，实现了能稳定得到良好的电气特性的可靠性优越的层叠型半导体陶瓷电容器。
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公开(公告)号：CN103370754B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201280007587.8
申请日：2012-01-27
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 川本光俊
CPC classification number: H01G4/1281 , H01C7/10 , H01G4/1227 , H01G4/30
Abstract: 本发明提供一种带变阻器功能的层叠型半导体陶瓷电容器，其具有部件素体(4)和外部电极(3a)、(3b)，所述部件素体(4)是将由SrTiO3系晶界绝缘型的半导体陶瓷形成的多个半导体陶瓷层(1a)～(1g)和以Ni为主成分的多个内部电极层(2a)～(2f)交替层叠并烧结而成，所述外部电极(3a)、(3b)在该部件素体(4)的两端部与所述内部电极层(2a)～(2f)电连接，除外装用半导体陶瓷层(1a)、(1g)外的半导体陶瓷层(1b)～(1f)的各厚度为20μm以上，所述半导体陶瓷层(1a)～(1g)中的晶粒的平均粒径为1.5μm以下。在用WDX法对半导体陶瓷层的层叠方向的中央部或该中央部附近进行分析时，Ni元素的强度x与Ti元素的强度y的比率x/y为0.06以下。由此，实现制品间的特性偏差小、能够稳定获得良好电特性和绝缘性、且具有良好的可靠性的带变阻器功能的层叠型半导体陶瓷电容器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103858193A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201280050680.7
申请日：2012-10-16
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 川本光俊
CPC classification number: H01L28/40 , B82Y30/00 , C01G23/006 , C01P2002/50 , C01P2002/52 , C04B35/47 , C04B35/62685 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3267 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3418 , C04B2235/441 , C04B2235/5409 , C04B2235/5454 , C04B2235/6582 , C04B2235/785 , C04B2235/786 , C04B2235/79 , C04B2235/85 , H01C7/1006 , H01C7/18 , H01C17/06533 , H01G4/12 , H01G4/1227 , H01G4/30 , H01L28/82
Abstract: 关于形成半导体陶瓷层(1a～1g)的半导体陶瓷，Sr位与Ti位的配合摩尔比m为1.000≤m≤1.020，施主元素被固溶于晶粒中，并且受主元素以相对于上述Ti元素100摩尔为0.5摩尔以下(优选为0.3～0.5摩尔)的范围存在于晶界层中，以相对于上述Ti元素100摩尔为0.15摩尔以上3.0摩尔以下的范围含有Zr元素，且晶粒的平均粒径在1.5μm以下。由此实现了下述SrTiO3系晶界绝缘型的带变阻器功能的层叠型半导体陶瓷电容器：其能确保可经受实用性的绝缘性能的同时提高产品成品率，并且具有良好的ESD耐压且适于量产性。
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公开(公告)号：CN101346325A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200780000966.3
申请日：2007-05-28
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 川本光俊
CPC classification number: H01G4/1227 , B82Y30/00 , C01G23/006 , C01G45/006 , C01P2002/50 , C01P2002/52 , C01P2004/62 , C01P2006/12 , C01P2006/40 , C04B35/47 , C04B35/6262 , C04B35/62685 , C04B35/62805 , C04B35/62807 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3236 , C04B2235/3241 , C04B2235/3251 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3267 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3409 , C04B2235/36 , C04B2235/5409 , C04B2235/5454 , C04B2235/6025 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/785 , C04B2235/79 , C04B2235/85 , H01G4/30 , Y10T29/435
Abstract: 本发明提供一种半导体陶瓷，施主元素相对于Ti元素100摩尔，在0.8～2.0摩尔的范围中固溶在晶粒中，受主元素以比所述施主元素更少的量固溶在晶粒中，受主元素以相对于Ti元素100摩尔，在0.3～1.0摩尔的范围中存在于晶界中，晶粒的平均粒径为1.0μm以下。使用该半导体陶瓷，取得层叠型半导体陶瓷电容器。这时，在进行还原煅烧的一次煅烧处理中，把冷却开始时的氧分压设定为煅烧过程的氧分压的1.0×104倍以上，进行冷却处理。据此，实现即使晶粒的平均粒径微粒化到1.0μm以下，也具有5000以上的表观相对介电常数εrAPP和10以上的比电阻logρ(ρ：Ω·cm)的SrTiO3类晶界绝缘型的半导体陶瓷和使用它的层叠型半导体陶瓷电容器、它们的制造方法。
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公开(公告)号：CN1174440C
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN00136080.9
申请日：2000-12-08
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01C7/02
CPC classification number: H01C7/025 , H01C1/1406
Abstract: 本发明揭示一种单片半导体陶瓷电子元件，包括钛酸钡系列半导体陶瓷层和内部电极层，并将它们交替地进行叠层，形成外部电极并使其连接到内部电极层上，每个半导体陶瓷层的厚度S对于每个内部电极层的厚度I的比S/I在10到50的范围。内部电极层由镍系列金属组成。
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公开(公告)号：CN1093104C
公开(公告)日：2002-10-23
申请号：CN99104910.1
申请日：1999-03-31
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/468 , H01L41/16
CPC classification number: C04B35/468 , H01C7/025 , H01C17/06533 , Y10T428/31
Abstract: 本发明提供了一种半导电陶瓷，其绝缘强度为800V/mm或更大，并且室温的电阻率为100Ω·cm或更小，室温的电阻率大致上没有历时变化。半导电陶瓷由经烧结的含钛酸钡的半导体材料制成，其中半导电陶瓷的平均颗粒尺寸为1.0μm或更小，在陶瓷的表面处由XPS确定由BaCO3/BaO表示的相对光谱强度比，为0.50或更小。
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公开(公告)号：CN1366311A
公开(公告)日：2002-08-28
申请号：CN01143987.4
申请日：2001-12-24
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01C17/06533 , C01G23/002 , C01G23/006 , C01P2006/40 , C04B35/4682 , H01C7/021 , H01C7/025 , H01L29/24
Abstract: 一种陶瓷电子部件,它包括具有半导体陶瓷层和内电极的部件本体。所述半导体陶瓷层和内电极交替叠合。半导体陶瓷层的相对密度约为90%或更小并且不含烧结添加剂。部件本体的两侧带有外电极。该陶瓷电子部件具有低电阻和高耐电压。
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