公开(公告)号：CN103608881A

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201280028203.0

申请日：2012-06-18

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 川本光俊 ,  佐野笃史 ,  石川达也 ,  小林靖知 ,  藤田吉宏 ,  木村祐树 ,  草野雄一

IPC: H01G4/12 ,  C04B35/47 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01L28/55 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/47 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/5463 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/6583 ,  C04B2235/6586 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/30 ,  Y10T428/2982

Abstract: 提供一种ESD耐压出色的晶界绝缘型半导体陶瓷所使用的陶瓷粉末、利用其的半导体陶瓷电容器及其制造方法。一种SrTiO3系晶界绝缘型半导体陶瓷所使用的陶瓷粉末，其特征在于，比表面积在4.0m2／g以上、8.0m2／g以下，累积90％粒径D90在1.2μm以下。

公开(公告)号：CN103608881B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201280028203.0

申请日：2012-06-18

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 川本光俊 ,  佐野笃史 ,  石川达也 ,  小林靖知 ,  藤田吉宏 ,  木村祐树 ,  草野雄一

IPC: H01G4/12 ,  C04B35/47 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01L28/55 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/47 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/5463 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/6583 ,  C04B2235/6586 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/30 ,  Y10T428/2982

Abstract: 提供一种ESD耐压出色的晶界绝缘型半导体陶瓷所使用的陶瓷粉末、利用其的半导体陶瓷电容器及其制造方法。一种SrTiO3系晶界绝缘型半导体陶瓷所使用的陶瓷粉末，其特征在于，比表面积在4.0m2／g以上、8.0m2／g以下，累积90％粒径D90在1.2μm以下。