公开(公告)号：CN103608881A

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201280028203.0

申请日：2012-06-18

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 川本光俊 ,  佐野笃史 ,  石川达也 ,  小林靖知 ,  藤田吉宏 ,  木村祐树 ,  草野雄一

IPC: H01G4/12 ,  C04B35/47 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01L28/55 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/47 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/5463 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/6583 ,  C04B2235/6586 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/30 ,  Y10T428/2982

Abstract: 提供一种ESD耐压出色的晶界绝缘型半导体陶瓷所使用的陶瓷粉末、利用其的半导体陶瓷电容器及其制造方法。一种SrTiO3系晶界绝缘型半导体陶瓷所使用的陶瓷粉末，其特征在于，比表面积在4.0m2／g以上、8.0m2／g以下，累积90％粒径D90在1.2μm以下。

公开(公告)号：CN103502178A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201280021148.2

申请日：2012-05-10

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 久代一二 ,  石川达也 ,  山西智光 ,  河原直树

IPC: C04B35/468 ,  C04B41/88 ,  H01G4/12

CPC classification number: H01G4/1227 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/79

Abstract: 本发明提供一种静电电容的温度变化小、即使在用于中高压用途的电容器时耐湿负荷试验后的可靠性仍良好的电介质陶瓷。该电介质陶瓷的特征在于，以含有Ba和Ti的钙钛矿型化合物为主成分，并且相对于Ti的含量100摩尔份，含有0.15～3摩尔份Re1（Re1为La、Nd中的至少一种元素）、0.1～3摩尔份的Y、0.3～13摩尔份的Mg、0.01～5摩尔份的Fe。

公开(公告)号：CN103608881B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201280028203.0

申请日：2012-06-18

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 川本光俊 ,  佐野笃史 ,  石川达也 ,  小林靖知 ,  藤田吉宏 ,  木村祐树 ,  草野雄一

IPC: H01G4/12 ,  C04B35/47 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01L28/55 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/47 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/5463 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/6583 ,  C04B2235/6586 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/30 ,  Y10T428/2982

Abstract: 提供一种ESD耐压出色的晶界绝缘型半导体陶瓷所使用的陶瓷粉末、利用其的半导体陶瓷电容器及其制造方法。一种SrTiO3系晶界绝缘型半导体陶瓷所使用的陶瓷粉末，其特征在于，比表面积在4.0m2／g以上、8.0m2／g以下，累积90％粒径D90在1.2μm以下。

公开(公告)号：CN119343177A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202380040850.1

申请日：2023-05-11

Applicant: 公立大学法人名古屋市立大学 ,  株式会社村田制作所

Inventor： 山中淳平 ,  丰玉彰子 ,  奥园透 ,  藤田实里 ,  松尾彩美 ,  竹本满里菜 ,  石川达也 ,  兵头功一郎 ,  西田正弥

IPC: B01J13/00 ,  C01B33/14 ,  G01N21/41

Abstract: 本发明的课题在于：1)提供晶体结构不易混乱的二维胶体晶体及其制造方法以及2)提供由多种胶体粒子所构成的二维胶体晶体及其制造方法的至少一种。本发明的固定化二维胶体晶体是由单层构成的胶体晶体(2)通过树脂(3)在基板(1)上被固定化。本发明的固定化二维胶体晶体的制造方法具备：准备基板的基板准备工序(S1)、制备带电胶体晶体分散液的胶体晶体分散液制备工序(S2)、使带电胶体晶体分散液和基板接触的胶体晶体吸附工序(S3)、清洗基板而形成二维胶体晶体的清洗工序(S4)以及将二维胶体晶体进行固定化的固定化工序(S5)。