公开(公告)号：CN109652860A

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201910008774.1

申请日：2019-01-04

申请人： 上海工程技术大学

发明人： 梅大江 ,  吴远东 ,  操汪柱 ,  刘闯

IPC分类号： C30B29/46 ,  C30B11/00 ,  C01G45/00 ,  G02F1/355

CPC分类号： C30B29/46 ,  C01G45/006 ,  C01P2002/77 ,  C30B11/00 ,  G02F1/3551

摘要： 本发明涉及一种硫锡锰锶化合物、硫锡锰锶非线性光学晶体及制备方法和应用，该硫锡锰锶化合物的化学式为Sr3MnSn2S8，通过高温固相法制备，相应的硫锡锰锶非线性光学晶体采用高温熔体自发结晶法生长制得。与现有技术相比，本发明得到的非线性光学晶体具有晶体品质良好，透明度高，生长成本低，过程简单，易获得大尺寸晶体等优点；高温法生长得到的硫锡锰锶非线性光学晶体具有较强的硬度，良好的机械性能，易加工，不易破裂，在空气中很稳定，具有较宽的透过波段，本发明的硫锡锰锶非线性光学晶体可用于制作非线性光学器件。

公开(公告)号：CN109133180A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201811197124.8

申请日：2018-10-15

申请人： 青岛科技大学 ,  国网浙江省电力有限公司

发明人： 郝春成 ,  魏艳慧 ,  李国倡 ,  雷清泉 ,  尹红霞 ,  刘关宇 ,  敬强 ,  张升

IPC分类号： C01G45/12 ,  C01G51/00 ,  C01G45/00 ,  C01G15/00

CPC分类号： C01G45/1264 ,  C01G15/00 ,  C01G45/006 ,  C01G51/70 ,  C01P2002/34 ,  C01P2006/40

摘要： 本申请涉及一种改性的半导电复合材料及其制备方法，属于电工材料领域。本申请的改性的半导电复合材料，其中含有具有阳离子空穴的改性的快离子导体。本申请的改性的半导电复合材料的制备方法，其包括，将具有阳离子空穴的改性的快离子导体添加至半导电复合材料中制备得到改性的半导电复合材料；主要用于高压电缆，实现降低半导电复合材料中电荷发射的作用。

公开(公告)号：CN109052479A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201810861316.8

申请日：2018-08-01

申请人： 马春国

发明人： 马春国

IPC分类号： C01G45/00 ,  H01M4/36 ,  H01M4/505 ,  H01M4/62 ,  H01M10/0525

CPC分类号： C01G45/006 ,  C01P2006/40 ,  H01M4/366 ,  H01M4/505 ,  H01M4/625 ,  H01M10/0525

摘要： 本发明涉及一种LIMO2层状复合物加工设备及其加工方法，提供储料机构、抓料机构、缘化机构、离子跃迁机构以及出料机构缘化步骤，通过磁场发生器用于产生一定向磁场，并同时带动LIMO2层状复合物转动以使LIMO2层状复合物中的锂离子在定向磁场的作用下向LIMO2层状复合物的边缘运动；激发步骤，通过离子跃迁机构发射一预设频率的光束照射LIMO2层状复合物的表面以激发LIMO2层状复合物的边缘的锂离子；通过这样设置，该设备可以将LIMO2层状复合物中的杂质进行缘化反应，然后再通过光电效应将锂电子激发，就可以将LIMO2层状复合物中的锂离子通过缘化反应，减小电池的内阻同时可以避免自放电效应，提高电池寿命。

公开(公告)号：CN107867721A

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201710565062.0

申请日：2017-07-12

申请人： 松下知识产权经营株式会社

发明人： 池内一成 ,  夏井龙一 ,  名仓健祐

IPC分类号： C01G45/00 ,  C01G45/12 ,  H01M4/485 ,  H01M4/505 ,  H01M10/0525

CPC分类号： H01M4/485 ,  C01G45/1228 ,  C01G45/125 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/76 ,  C01P2006/40 ,  H01M4/386 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M4/5805 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0525 ,  H01M2004/028 ,  C01G45/006

摘要： 现有技术中期望实现能量密度高的电池。本公开提供电池用正极活性物质和电池，该电池用正极活性物质含有具有属于空间群FM-3M的晶体结构且由组成式LixMe1αMe2βO2表示的化合物。其中，所述Me1是选自Mn、Ni、Co、Fe、Al、Sn、Cu、Nb、Mo、Bi、Ti、V、Cr、Y、Zr、Zn、Na、K、Ca、Mg、Pt、Au、Ag、Ru、Ta、W、La、Ce、Pr、Sm、Eu、Dy、Er之中的一种或两种以上元素，所述Me2是选自B、Si、P之中的一种或两种以上元素，并且满足0

公开(公告)号：CN107245704A

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201710254344.9

申请日：2017-04-18

申请人： 陕西科技大学

发明人： 谈国强 ,  郭美佑 ,  杨玮 ,  刘云 ,  任慧君 ,  夏傲

IPC分类号： C23C18/12 ,  C23C18/04 ,  C01G53/00 ,  C01G45/00

CPC分类号： C23C18/1204 ,  C01G45/006 ,  C01G53/006 ,  C01P2002/72 ,  C23C18/04 ,  C23C18/1295

摘要： 本发明提供了一种HoSrMnNi/HoSrMnZn共掺铁酸铋超晶格薄膜及其制备方法，用晶体结构为三方结构，空间群为R3c:H和R3m:R共存的不同元素掺杂的铁酸铋薄膜制备出Bi0.89Ho0.08Sr0.03Fe0.96Mn0.03Ni0.01O3/Bi0.89Ho0.08Sr0.03Fe0.95Mn0.03Zn0.02O3超晶格薄膜，即HoSrMnNi/HoSrMnZn共掺铁酸铋超晶格薄膜。本发明采用溶胶凝胶工艺，并采用旋涂和层层退火法，设备要求简单，适宜在大的表面和形状不规则的表面上制备薄膜，且化学组分精确可控，可改善BiFeO3薄膜的多铁性能。

公开(公告)号：CN107104233A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201710385320.7

申请日：2017-05-26

申请人： 国家纳米科学中心

发明人： 褚卫国 ,  谭兴华 ,  张娟 ,  王汉夫

IPC分类号： H01M4/505 ,  H01M10/0525 ,  C01G45/00

CPC分类号： H01M4/505 ,  C01G45/006 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/03 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/80 ,  H01M10/0525 ,  H01M2004/021 ,  H01M2004/028

摘要： 本发明提供一种锂离子电池正极材料制备方法，所述方法将锂源物质、锰源物质、掺杂金属物质和碳源物质混合，得到前驱体；将得到的前驱体烧结，得到锂离子电池正极材料。本发明通过单步固相烧结直接合成了多孔球形金属(如铝)掺杂锰酸锂正极材料，其比容量、倍率性能和循环性能均表现优异，且纯度高，能够满足正极材料的实际应用要求。与其他多孔球形锰酸锂正极材料合成方法相比，该方法优势突出，即为一步法直接固相烧结制备，工艺步骤很少、简单、成本低，十分适用于大规模生产。

公开(公告)号：CN106587160A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201610183406.7

申请日：2016-03-28

申请人： 北京纳米能源与系统研究所

发明人： 曹国忠 ,  刘超峰 ,  张长昆

IPC分类号： C01G45/00 ,  C01G49/00 ,  H01M4/58 ,  H01G11/50 ,  H01M10/0525 ,  H01G11/06

CPC分类号： Y02E60/13 ,  C01G45/006 ,  C01G49/009 ,  H01G11/06 ,  H01G11/50 ,  H01M4/58 ,  H01M10/0525

摘要： 本发明涉及电化学电源领域，具体公开了一种碳化二亚胺类化合物及其制备方法和应用，该制备方法包括：(1)使三聚氰胺和含金属元素的盐进行溶剂热反应；(2)对步骤(1)得到的反应产物进行固液分离并将得到的固相在惰性气氛中进行煅烧；其中，金属元素选自Mn、Fe、Co、Ni和Cu元素中的至少一种。本发明还提供了用于锂离子电池或锂离子电容器的电极材料、一种锂离子电池和一种锂离子电容器，本发明提供的方法生产成本低，方法简单易控，过程简便，易于实现工业化批量生产，并且反应无副产物，将本发明提供的碳化二亚胺类化合物作为负极材料可以有效提高锂离子电池和锂离子电容器的电化学性能。

公开(公告)号：CN106477622A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610902266.4

申请日：2016-10-18

申请人： 吉林大学

发明人： 张皓 ,  董春伟 ,  刘轶 ,  杨柏

IPC分类号： C01G17/00 ,  C01G45/00 ,  C01G49/00 ,  C01G51/00 ,  C01G53/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC分类号： C01G17/006 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01G45/006 ,  C01G49/009 ,  C01G51/006 ,  C01G53/006 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/84 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/34 ,  C01P2004/64

摘要： 一种以GeO2为原料在油相中制备含锗的三元或四元硫族半导体中空纳米粒子的方法，属于半导体纳米粒子制备技术领域。该方法采用最稳定最廉价的GeO2作为锗源，“一锅法”制备了三元的Cu2GeS3中空纳米粒子，并且以Cu2GeS3中空纳米粒子为模板进一步制备了四元的Cu2MGeS4(M＝Zn、Mn、Fe、Co或Ni)中空纳米粒子。其中GeO2不仅价格低廉，而且在空气中稳定易保存，整个实验过程操作简便，危险性小，不受环境影响，具有非常好的实验重复性，并且有效的降低了制备成本，很适合于纳米晶的工业化生产。

公开(公告)号：CN103843178B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201280047816.9

申请日：2012-09-25

申请人： 法拉典有限公司

发明人： J·巴克

IPC分类号： H01M4/58 ,  C01B25/42 ,  C01B25/44 ,  G02F1/155 ,  H01B1/08

CPC分类号： H01M4/5825 ,  C01B25/38 ,  C01B25/42 ,  C01G45/006 ,  C01G51/006 ,  C01G53/006 ,  H01B1/08 ,  H01M10/054 ,  H01M2220/30

摘要： 本发明涉及电极，该电极包含下列分子式的活性材料：NaaXbMcM′d(缩聚阴离子)e(阴离子)f；其中X是Na+、Li+和K+中的一种或多种；M是一种或多种过渡金属；M′是一种或多种非过渡金属；并且其中a>b；c>0；d≥0；e≥1以及f≥0。这些电极可用在例如钠离子电池应用中。

公开(公告)号：CN103563137B

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201180071285.2

申请日：2011-09-02

申请人： 住友金属矿山株式会社

发明人： 户屋广将 ,  福井笃

IPC分类号： H01M4/505 ,  C01G53/00 ,  H01M4/36 ,  H01M4/525

CPC分类号： H01M4/525 ,  C01D15/02 ,  C01G45/006 ,  C01G51/006 ,  C01G53/006 ,  C01G53/42 ,  C01G53/50 ,  C01P2002/52 ,  C01P2004/01 ,  C01P2004/51 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/84 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/40 ,  C30B29/22 ,  H01M2/0222 ,  H01M2/1653 ,  H01M4/043 ,  H01M4/0471 ,  H01M4/131 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/382 ,  H01M4/485 ,  H01M4/505 ,  H01M4/623 ,  H01M4/625 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/0568 ,  H01M10/0569 ,  H01M10/0585 ,  H01M2004/021 ,  H01M2004/027 ,  H01M2004/028 ,  H01M2220/20 ,  H01M2220/30 ,  Y02P70/54

摘要： 本发明的目的在于提供一种作为前体，能够得到粒径小、粒径均匀性高的锂过渡金属复合氧化物的过渡金属复合氢氧化物。过渡金属复合氢氧化物的制备方法，所述过渡金属复合氢氧化物由通式（1）：MxWsAt（OH）2＋α（x＋s＋t＝1、0＜s≤0.05、0＜s＋t≤0.15、0≤α≤0.5、M为含有选自Ni、Co、Mn中的1种以上的过渡金属，A是选自M及W以外的过渡金属元素、IIA族元素、或IIIA族元素中的至少1种添加元素）表示，为由含有所述添加元素的化合物被覆的非水系电解质二次电池用正极活性物质的前体，其特征在于包括：复合氢氧化物粒子制备工序，包含如下阶段：进行核生成的核生成阶段；使形成的核成长的粒子成长阶段；被覆工序，在之前的工序中得到的复合氢氧化物粒子的表面形成含有金属氧化物或金属氢氧化物的被覆物。