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公开(公告)号：CN110719075A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910618826.7
申请日：2019-07-10
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 后藤聪
Abstract: 本发明提供一种实现多个单位晶体管间的最高温度的降低或者温度偏差的减少的半导体装置。半导体装置具备：半导体基板，具有与由第一方向以及与第一方向大致正交的第二方向规定的平面平行的主面；多个第一单位晶体管，放大第一频带的第一信号来输出第二信号；以及多个第二单位晶体管，放大第二信号来输出第三信号，主面包括与第一方向平行的第一边，在半导体基板上，在俯视主面时，多个第二单位晶体管在比沿着第一方向的半导体基板的基板中心线靠第一边侧，沿着第二方向排列配置，多个第一单位晶体管被配置成配置有该多个第一单位晶体管的区域的沿着第一方向的第一中心线比配置有多个第二单位晶体管的区域的沿着第一方向的第二中心线远离第一边。
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公开(公告)号：CN119968933A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202380067019.5
申请日：2023-08-23
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明涉及半导体装置和高频功率放大器。晶体管包含在基板的上表面上依次层叠的集电极层、基极层以及发射极层，其中，上表面是基板的一个面。四个以上的发射极电极与发射极层电连接。基极电极包含与基极层电连接的两个以上的基极指状物。集电极电极与集电极层电连接。发射极电极各自和基极指状物各自具有在基板的上表面内的第一方向上较长的形状。发射极电极和基极指状物在基板的上表面内在与第一方向正交的第二方向上排列配置。在沿第二方向排列的四个以上的发射极电极和两个以上的基极指状物的列中，在第二方向的两端分别配置有发射极电极。在第二方向上相邻的两个基极指状物之间的区域亦即基极指状物间区域中的至少一个基极指状物间区域配置有在第二方向上排列的两个发射极电极。在将发射极电极的俯视时的面积相对于与配置在多个发射极电极各自的旁边的一个或者两个基极指状物对置的发射极电极的边缘的长度的比定义为对置长度面积比时，多个发射极电极各自的对置长度面积比的最大值与最小值之差为对置长度面积比的平均值的20％以下。
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公开(公告)号：CN111245382B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN201911179855.4
申请日：2019-11-26
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种功率放大电路，能够与电源电压的控制方式无关地根据动作状况连接适当的电容，能够使各个电容的耐压降低。功率放大电路具备：放大器，将RF信号进行放大；以及旁路电容部，与用于向放大器供给电源电压的电源端子连接，旁路电容部具备：第1电容器，一端与电源供给路径连接；第2电容器，一端与第1电容器的另一端连接，另一端与接地侧连接；以及第1开关电路，一端与第1电容器的另一端以及第2电容器的一端连接，另一端与接地连接，且对第1电容器的另一端与接地的连接进行切换。
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公开(公告)号：CN112087203B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202010539871.6
申请日：2020-06-12
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种功率放大电路，是在通过差分放大器结构将功率放大的功率放大电路中高效率的功率放大电路。功率放大电路(10)具备功率分配器(101)、从输出端子(2011)输出放大信号(RF3)的放大器(201)、以及从输出端子(2021)输出放大信号(RF4)的放大器(202)。此外，功率放大电路(10)具备连接在输出端子(2011)与输出端子(2012)之间的终止电路(301)、传输线路(401)、传输线路(402)、连接在传输线路(401)的另一端与传输线路(402)的另一端之间的终止电路(501)、以及功率合成器(601)。
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公开(公告)号：CN117546291A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202280040936.X
申请日：2022-05-31
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L25/07
Abstract: 本发明提供在堆叠型的半导体装置中，能够提高散热性的半导体装置。第一部件包含半导体基板以及第一电子电路。第一电子电路包含设置于半导体基板的一个表面的半导体元件。在作为第一部件的一个表面的第一面贴附有第二部件。第二部件包含第二电子电路，第二电子电路包含其它的半导体元件。在第二部件设置有沿厚度方向贯穿第二部件的第一开口。第一导体突起连接于第一电子电路。第一导体突起从第一部件的第一面经过第二部件的第一开口而突出至第一开口的外侧。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116636006A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202180080606.9
申请日：2021-12-03
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L25/18
Abstract: 集成电路(70)具备：第一基材(71)，第一基材(71)的至少一部分由第一半导体材料构成，在俯视时，第一基材(71)具有中心区域(71a)和包围中心区域(71a)的周边区域(71b)；以及第二基材(72)，第二基材(72)的至少一部分由不同于第一半导体材料的第二半导体材料构成，在第二基材(72)形成有功率放大电路(11)，其中，在俯视时，第二基材(72)与中心区域(71a)重叠，且不与周边区域(71b)重叠。
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公开(公告)号：CN114743965A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202111550976.2
申请日：2021-12-17
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L27/02 , H01L23/528 , H03F3/19
Abstract: 本发明提供能够提高散热特性的半导体装置。在俯视第一面时，具有第一面的第一部件包含配置于第一面的内部的区域的多个电路块。第二部件与第一部件的第一面面接触地接合。第二部件包括多个第一晶体管，多个第一晶体管相互并联连接而构成第一放大电路。导体突起从第二部件向第一部件侧的相反侧突出。多个第一晶体管在俯视时配置于不与第一部件的多个电路块的任何一个电路块重叠的区域。
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公开(公告)号：CN114743964A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202111550704.2
申请日：2021-12-17
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L27/02 , H01L23/528 , H03F3/195 , H03F3/213
Abstract: 本发明提供一种能够提高散热特性的半导体装置。在俯视第一部件的第一面时，在第一面的内部配置有包含开关的至少一个开关电路。第二部件与第一部件的第一面面接触地接合。第二部件包含构成高频放大电路的化合物半导体系的多个晶体管。第一导体突起从第二部件向第一部件侧的相反侧突出。第一部件包含电路元件，上述电路元件在俯视时配置于高频放大电路与至少一个开关电路之间，且不构成开关电路。
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公开(公告)号：CN113938105A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202110781783.1
申请日：2021-07-09
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03F3/24
Abstract: 本发明提供一种功率放大电路，在抑制输入阻抗的变化的同时，抑制在低输出动作模式下进行动作的情况下的增益。包含：第1晶体管，在第1端子被输入第1信号；第2晶体管，在第1端子被输入第1信号；第1电阻，在一端被供给第1偏置电流，另一端与第1晶体管的第1端子连接；第2电阻，在一端被供给第2偏置电流，另一端与第2晶体管的第1端子连接；和第3电阻，一端与第1电阻的一端连接，另一端与第2电阻的一端连接。
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公开(公告)号：CN107294504B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201610848887.9
申请日：2016-09-23
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 后藤聪
IPC: H03F3/21
Abstract: 本发明提供抑制电路面积的增大，并且使电容器的个数增加的功率放大电路。功率放大电路具备：电容元件，是将第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层、以及第三金属层依次层叠的电容元件，具备将第一金属层作为一方电极且将第二金属层作为另一方电极的第一电容器、和将第二金属层作为一方电极且将第三金属层作为另一方电极的第二电容器；以及晶体管，其对无线频率信号进行放大，无线频率信号被供给至第一电容器的一方电极，第一电容器的另一方电极和第二电容器的一方电极与晶体管的基极连接，第二电容器的另一方电极与晶体管的发射极连接。
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