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公开(公告)号：CN101479777A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200780024166.5
申请日：2007-05-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G02B1/118 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , C09K2211/185 , G02F1/133502 , G02F2201/38 , H01L27/3244 , H01L51/5281 , H05B33/22
Abstract: 一种显示设备，其包括抗反射膜，该抗反射膜具有在显示屏幕表面之上的多个凸起，由该多个凸起中的每个凸起的基底与斜面所成的角度为大于等于84度且小于90度。
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公开(公告)号：CN100499035C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200410085220.5
申请日：2004-09-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/311 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/31116 , H01L21/76802 , H01L21/76804 , H01L21/76819 , H01L27/12 , H01L27/1248 , H01L29/41733
Abstract: 本发明的目的是提供一种高成品率地制作可靠性高的半导体器件的制作方法。在本发明中，对构成半导体器件的至少2层或更多层的层间绝缘膜执行蚀刻而选择性地清除该层间绝缘膜，在形成开口部分时，执行两个阶段的蚀刻。在执行该两个阶段的蚀刻时，至少给使用的第一气体(第一蚀刻用气体)和第二气体(第二蚀刻用气体)中的一方掺杂惰性气体。
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公开(公告)号：CN100474559C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200510068489.7
申请日：2005-04-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/768 , H01L21/60 , H01L23/52
CPC classification number: H01L27/3276 , G02F2001/13629 , H01L21/32136 , H01L21/32137 , H01L21/32139 , H01L51/0021 , H01L51/0023 , H01L51/5281 , H01L2924/0002 , H05K3/06 , H05K2203/0315 , H05K2203/0346 , H05K2203/095 , H05K2203/1476 , H01L2924/00
Abstract: 公开了一种能够减少布线之间颗粒的衬底上布线以及一种制作此布线的方法。根据本发明，提供了一种制作衬底上布线的方法，它包含：在第一导电层上形成第一掩模图形；借助于在第一条件下对第一掩模图形进行腐蚀而形成第二掩模图形，同时，借助于对第一导电层进行腐蚀而形成具有剖面倾斜角的侧面的第二导电层；以及在第二条件下对第二导电层和第二掩模图形进行腐蚀；其中，第一条件下的第一导电层对第一掩模图形的选择比在0.25-4的范围内，而第二条件下的第二导电层对第二掩模图形的选择比大于第一条件下的选择比。
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公开(公告)号：CN1700443A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200510068489.7
申请日：2005-04-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/768 , H01L21/60 , H01L23/52
CPC classification number: H01L27/3276 , G02F2001/13629 , H01L21/32136 , H01L21/32137 , H01L21/32139 , H01L51/0021 , H01L51/0023 , H01L51/5281 , H01L2924/0002 , H05K3/06 , H05K2203/0315 , H05K2203/0346 , H05K2203/095 , H05K2203/1476 , H01L2924/00
Abstract: 公开了一种能够减少布线之间颗粒的衬底上布线以及一种制作此布线的方法。根据本发明，提供了一种制作衬底上布线的方法，它包含：在第一导电层上形成第一掩模图形；借助于在第一条件下对第一掩模图形进行腐蚀而形成第二掩模图形，同时，借助于对第一导电层进行腐蚀而形成具有剖面倾斜角的侧面的第二导电层；以及在第二条件下对第二导电层和第二掩模图形进行腐蚀；其中，第一条件下的第一导电层对第一掩模图形的选择比在0.25－4的范围内，而第二条件下的第二导电层对第二掩模图形的选择比大于第一条件下的选择比。
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公开(公告)号：CN118946975A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202380030581.0
申请日：2023-03-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H05B33/14 , H10K50/10
Abstract: 提供一种能够实现微型化的晶体管。提供一种占有面积小的晶体管。提供一种沟道长度小的晶体管。半导体装置包括第一绝缘层、半导体层、栅极绝缘层、栅电极、第一电极、第二电极及第一导电层。第一绝缘层的侧面位于第一电极上。第二电极位于第一绝缘层上。半导体层与第一电极、第一绝缘层的侧面及第二电极接触。栅极绝缘层具有隔着半导体层与侧面对置的部分。栅电极具有隔着栅极绝缘层及半导体层与侧面对置的部分。第一导电层与栅电极接触且具有隔着栅电极、栅极绝缘层及半导体层与侧面对置的部分并具有比栅电极厚的部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118511674A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202380016321.8
申请日：2023-01-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种显示品质良好的显示装置。该显示装置包括第一发光器件、以与第一发光器件相邻的方式配置的第二发光器件以及第一绝缘层，第一发光器件包括第一像素电极、第一像素电极上的第一EL层以及第一EL层上的公共电极，第二发光器件包括第二像素电极、第二像素电极上的第二EL层以及第二EL层上的公共电极，第一EL层的侧面的一部分及第二EL层的侧面的一部分以彼此对置的方式配置，第一绝缘层的一部分配置在由第一EL层的侧端部及第二EL层的侧端部夹持的位置，第一绝缘层与第一EL层的顶面的一部分及第二EL层的顶面的一部分接触。
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公开(公告)号：CN118176846A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202280068448.X
申请日：2022-10-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K59/122 , G09F9/30 , H05B33/06 , H05B33/10 , H05B33/12 , H05B33/22 , H10K50/115 , H10K50/125 , H10K50/84 , H10K59/179 , H10K59/38 , H10K71/00
Abstract: 提供一种高清晰的显示装置。在绝缘表面上包括第一发光器件及第二发光器件。第一侧壁绝缘层接触于第一发光器件所包括的第一像素电极的侧面，第二侧壁绝缘层接触于第二发光器件所包括的第二像素电极的侧面。第一发光器件与第一着色层重叠，第二发光器件与使与第一着色层不同颜色的光透过的第二着色层重叠。第一发光器件与第二发光器件共同使用公共电极。第一发光器件所包括的第一层、第二发光器件所包括的第二层及位于绝缘层的顶面且位于第一侧壁绝缘层与第二侧壁绝缘层之间的材料层都包括同一发光材料，并且彼此分离。
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公开(公告)号：CN118104420A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202280069743.7
申请日：2022-10-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K59/124 , G02B5/20 , G09F9/30 , H05B33/10 , H05B33/12 , H05B33/14 , H05B33/22 , H05B33/24 , H05B33/28 , H10K50/00 , H10K50/19 , H10K50/814 , H10K50/818 , H10K59/10 , H10K59/122 , H10K59/30 , H10K59/38 , H10K59/84 , H10K71/16 , H10K71/60 , H10K102/20
Abstract: 提供一种显示品质高的显示装置。该显示装置包括第一发光器件、第二发光器件、第一着色层、第二着色层以及第一绝缘层，第一发光器件包括第一绝缘层上的第一像素电极、第一像素电极上的第一EL层以及第一EL层上的公共电极，第二发光器件包括第一绝缘层上的第二像素电极、第二像素电极上的第二EL层以及第二EL层上的公共电极，第一着色层以与第一发光器件重叠的方式配置，第二着色层以与第二发光器件重叠的方式配置，第二着色层与第一着色层所透过的光的波长区域彼此不同，第一绝缘层在第一像素电极与第二像素电极之间具有凹部，第一绝缘层的凹部配置有第三EL层，第一EL层、第二EL层以及第三EL层包含相同的材料，并且，第一像素电极的厚度和凹部的深度之和是第三EL层的厚度以上。
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公开(公告)号：CN117652206A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202280049634.9
申请日：2022-06-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种显示品质高的显示装置。该显示装置包括第一发光器件、第二发光器件、第一绝缘层及第二绝缘层，第一发光器件包括第一像素电极、第一像素电极上的第一发光层及第一发光层上的公共电极，第二发光器件包括第二像素电极、第二像素电极上的第二发光层及第二发光层上的公共电极，第一绝缘层覆盖第一发光层的顶面的一部分及侧面、第二发光层的顶面的一部分及侧面，第二绝缘层隔着第一绝缘层与第一发光层的顶面的一部分及侧面、第二发光层的顶面的一部分及侧面重叠，公共电极覆盖第二绝缘层，当从截面看时，第二绝缘层的端部呈锥形角度小于90°的锥形形状，并且第二绝缘层覆盖第一绝缘层的侧面的至少一部分。
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公开(公告)号：CN117546607A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202280044663.6
申请日：2022-06-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/10
Abstract: 提供一种显示品质高的显示装置。本发明是包括第一像素、第二像素、第一绝缘层、第一绝缘层上的第二绝缘层的显示装置，第一像素包括第一像素电极、覆盖第一像素电极的第一EL层、第一EL层上的第三绝缘层、第一EL层以及第三绝缘层上的公共电极，第二像素包括第二像素电极、覆盖第二像素电极的第二EL层、第二EL层上的第四绝缘层、第二EL层以及第四绝缘层上的公共电极，第一绝缘层及第三绝缘层在第一像素电极上具有第一突出部，第一突出部位于第二绝缘层的端部的外侧，第一绝缘层及第四绝缘层在第二像素电极上具有第二突出部，第二突出部位于第二绝缘层的端部的外侧，在剖视显示装置时第一突出部及第二突出部各自的侧面呈锥形形状。
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