公开(公告)号：CN101068019B

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200710087896.1

申请日：2007-03-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  浅见良信 ,  高野圭惠 ,  古野诚

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/49 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L27/105 ,  G11C16/0416 ,  G11C16/0433 ,  G11C16/0483 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11529 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7883

Abstract: 一种具有优越的写入和电荷保持特性的非易失半导体存储器件，其包括：半导体衬底，其中，在以一定间隔形成的一对杂质区之间形成沟道形成区；以及位于所述半导体衬底的上层部分之上的第一绝缘层、浮置栅极、第二绝缘层和控制栅极。形成所述浮置栅极的半导体材料的能带隙优选小于所述半导体衬底的能带隙。例如，形成所述浮置栅极的半导体材料的能带隙比所述半导体衬底中的所述沟道形成区的能带隙小0.1eV或小得更多。这是因为，通过使所述浮置栅电极的导带的底部能级降至低于所述半导体衬底中的所述沟道形成区的底部能级，改善了电荷注入和电荷保持特性。

公开(公告)号：CN100539156C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200610006976.5

申请日：2006-01-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 浅见良信

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/13 ,  H01L28/91 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78618

Abstract: 本发明的目的是在安装在以RFID为典型的半导体装置中的存储元件中，提供减少制造步骤以实现低成本化的存储元件和具有该存储元件的存储电路。本发明是具有有机化合物的存储元件，该有机化合物夹在电极之间，其中，将与控制该存储元件的半导体元件连接的电极用作该存储元件的电极。此外，由于将形成在绝缘表面上的极薄的半导体膜用作该存储元件，从而，可以实现低成本化。

公开(公告)号：CN101454892A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200780019310.6

申请日：2007-05-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 挂端哲弥 ,  田中哲弘 ,  浅见良信

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31645 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7881

Abstract: 目的在于提供一种制造具有优良膜特性的绝缘膜的技术。具体来说，目的在于提供一种制造具有高耐受电压的致密绝缘膜的技术。此外，目的在于提供一种制造具有极少电子陷阱的绝缘膜的技术。在包含氧的气氛中、电子密度为1×1011cm－3或以上以及电子温度为1.5eV或以下的条件下，使含氧绝缘膜经过使用高频的等离子体处理。

公开(公告)号：CN101068019A

公开(公告)日：2007-11-07

申请号：CN200710087896.1

申请日：2007-03-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  浅见良信 ,  高野圭惠 ,  古野诚

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/49 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L27/105 ,  G11C16/0416 ,  G11C16/0433 ,  G11C16/0483 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11529 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7883

Abstract: 一种具有优越的写入和电荷保持特性的非易失半导体存储器件，其包括：半导体衬底，其中，在以一定间隔形成的一对杂质区之间形成沟道形成区；以及位于所述半导体衬底的上层部分之上的第一绝缘层、浮置栅极、第二绝缘层和控制栅极。形成所述浮置栅极的半导体材料的能带隙优选小于所述半导体衬底的能带隙。例如，形成所述浮置栅极的半导体材料的能带隙比所述半导体衬底中的所述沟道形成区的能带隙小0.1eV或小得更多。这是因为，通过使所述浮置栅电极的导带的底部能级降至低于所述半导体衬底中的所述沟道形成区的底部能级，改善了电荷注入和电荷保持特性。

公开(公告)号：CN1841734A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200610071987.1

申请日：2006-03-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 汤川干央 ,  浅见良信 ,  野村亮二

IPC: H01L27/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: G11C13/0011 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/77 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/285 ,  Y10S257/928

Abstract: 本发明提供了包括具有简单结构的存储器的半导体器件、便宜的半导体器件、其制备方法和驱动方法。一个特征在于，在具有包括有机化合物作为电介质的层的存储器中，通过施加电压到一对电极上，在所述电极对之间产生了由于体积突变(比如气泡形成)导致的状态变化。通过基于此状态变化的作用力，促进了在电极对之间的短路。具体而言，在所述存储元件中提供气泡形成区以在所述第一导电层和第二导电层之间形成气泡。

公开(公告)号：CN118248744A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410407131.5

申请日：2018-07-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  松林大介 ,  浅见良信

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  H01L23/538 ,  H01L29/417

Abstract: 提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括氧化物、位于氧化物上且彼此离开的第一导电体及第二导电体、位于第一导电体及第二导电体上且形成有重叠于第一导电体与第二导电体之间处的开口的第一绝缘体、位于开口中的第三导电体以及位于氧化物、第一导电体、第二导电体及第一绝缘体与第三导电体之间的第二绝缘体，该第二绝缘体在氧化物与第三导电体之间具有第一厚度并在第一导电体或第二导电体与第三导电体之间具有第二厚度，并且第一厚度比第二厚度小。

公开(公告)号：CN110402497A

公开(公告)日：2019-11-01

申请号：CN201880017617.0

申请日：2018-03-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 浅见良信

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置及半导体装置的制造方法。该半导体装置包括第一绝缘体、第一绝缘体上的氧化物、氧化物上的第二绝缘体以及第一及第二导电体、第二绝缘体上的第三导电体、第一导电体上的第四导电体、第二导电体上的第五导电体、第一绝缘体以及第一及第二导电体上的第三绝缘体、第二及第三绝缘体及第三导电体上的第四绝缘体、以及第四绝缘体上的第五绝缘体，第一和第二导电体以夹着第二绝缘体彼此相对的方式设置，第二绝缘体沿着设置在第三绝缘体中的开口的内壁、第一和第二导电体彼此相对的侧面及氧化物的顶面设置，使第三导电体的顶面的高度高于第二及第三绝缘体的顶面的高度，第四绝缘体沿着第二及第三绝缘体的顶面以及第三导电体的顶面及侧面设置。

公开(公告)号：CN104638009B

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201410751970.5

申请日：2006-08-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 铃木恒德 ,  野村亮二 ,  汤川干央 ,  大泽信晴 ,  高野圭惠 ,  浅见良信 ,  佐藤岳尚

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L51/0024 ,  H01L27/3281 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/003 ,  H01L51/56 ,  H01L2227/326 ,  H01L2251/5338 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明的目的在于以高成品率地制作半导体器件，该半导体器件在挠性基板上设置有包括含有有机化合物的层的元件。本发明是一种半导体器件的制作方法，包括如下步骤：在基板上形成剥离层；在剥离层上形成无机化合物层、第一导电层、以及含有有机化合物的层，并且形成与含有有机化合物的层以及无机化合物层接触的第二导电层，以形成元件形成层；以及在第二导电层上贴合具有挠性的第一基板，然后剥离剥离层和元件形成层。

公开(公告)号：CN107210227A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201680008409.5

申请日：2016-01-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 浅见良信

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/363 ,  H01L21/365 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L27/108 ,  H01L27/146 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种降低了寄生电容的半导体装置。一种半导体装置包括：第一绝缘层；第一绝缘层上的第一氧化物半导体层；第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层；第二氧化物半导体层上的源电极层及漏电极层；第一绝缘层、源电极层及漏电极层上的第二绝缘层；第二绝缘层上的第三绝缘层；第二氧化物半导体层上的第三氧化物半导体层；第三氧化物半导体层上的栅极绝缘层；以及栅极绝缘层上的栅电极层。第二绝缘层为氧阻挡层并具有与第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层、源电极层及漏电极层的侧面接触的区域。第三氧化物半导体层具有与第二氧化物半导体层、源电极层、漏电极层、第二绝缘层及第三绝缘层的侧面接触的区域。

公开(公告)号：CN103219398B

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201310017189.0

申请日：2013-01-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 浅见良信 ,  坚石李甫

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0352

CPC classification number: H01L31/0352 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/02245 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/074 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明的一个方式提供一种具有不需要用来与电极连接的开口部的钝化膜的光电转换装置。一种光电转换装置，该光电转换装置在一对电极之间包括：具有p型导电型的硅衬底；形成在硅衬底的一方的面一侧的与一对电极的一方接触的具有n型导电型的硅半导体层；以及形成在硅衬底的另一方的面一侧的与一对电极的另一方接触的具有p型导电型的氧化物半导体层。作为该氧化物半导体层，使用以属于第4族至第8族的金属的氧化物为主要成分且带隙为2eV以上的无机化合物。