公开(公告)号：CN100550471C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200510060158.9

申请日：2005-03-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 村上智史 ,  坂倉真之

IPC: H01L51/56 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  H05B33/08

CPC classification number: H01L51/5246 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3276 ,  H01L2251/566

Abstract: 本发明的目的是提供用于制作能减少由于在制作发光器件中造成的静电电荷而引起的元件劣化的发光器件的一种方法。本发明的另一目的，是提供一种发光器件，在这种器件中由于被静电电荷造成的元件劣化引起的缺陷被减少。用于制作发光器件的方法包括制作用于驱动发光元件的顶栅型晶体管的步骤。在形成顶栅型晶体管的步骤中，当在加工半导体薄层时，在基底上形成以行和列延伸的第一似栅格的半导体薄层。在第一半导体薄层之间形成多个第二似岛的半导体薄层。多个第二似岛的第二半导体薄层起着晶体管的有源层的作用。

公开(公告)号：CN100392691C

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN03142788.X

申请日：2003-05-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  村上智史 ,  纳光明

IPC: G09F9/30 ,  G09G3/00 ,  H05B33/00 ,  H01L31/12 ,  H01L51/50 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L27/1248 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/524 ,  H01L51/5271 ,  H01L2251/5315

Abstract: 含有有机化合物的发光元件的不足之处在于它易于受到各种因素的影响而退化，所以它的最大问题是增加它的可靠性(使它的使用寿命更长)。本发明提供一种有源矩阵型发光器件的制造方法，以及具有高可靠性的这种有源矩阵型发光器件的结构。在方法中，形成延伸到源区或漏区的接触孔，然后在层间绝缘膜上形成由光敏有机绝缘材料制成的层间绝缘膜。在层间绝缘膜的上端部具有弯曲表面。随后，用RF电源通过溅射的方法形成由氮化硅膜提供的膜的厚度为20到50nm的层间绝缘膜。

公开(公告)号：CN100370491C

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN200380105306.3

申请日：2003-11-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 村上智史 ,  宫城德子

IPC: G09F9/30

CPC classification number: H01L51/5203 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/56

Abstract: 在发光装置中，最好发光元件的下部的膜表面具有平坦性。因此，在成膜后对于膜实施使膜平坦化等的处理。在本发明中，提出一种能够容易地进行上述平坦化的发光装置的结构。在第1膜上以与布线相同的层，制作第2膜。由此，在布线形成时，对第1膜中位于发光元件下部的部分进行蚀刻，能够防止在第1膜表面上形成凹凸。通过设置第2膜，第3膜的表面高度升高，从而能够实现局部的平坦化。

公开(公告)号：CN1750719A

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN200510104144.2

申请日：2005-09-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 村上智史 ,  大谷久 ,  山崎舜平

IPC: H05B33/08 ,  H05B33/02 ,  H05B33/04 ,  H05B33/10 ,  H05B33/12

Abstract: 本发明提供一种以高成品率、低成本制造高度可靠的显示器件的方法。根据本发明，在像素电极上形成间隔物，以当形成场致发光层时保护像素电极层不因掩模而损伤。此外，通过用密封材料将包含具有水渗透性的有机材料的层密封在显示器件中，并且使密封材料和含有有机材料的层不连接来防止由污染比如水分引起的发光元件的劣化。由于密封材料形成在显示器件中的驱动器电路区的一部分中，因此还可以实现显示器件的帧边框狭窄化。

公开(公告)号：CN1729719A

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：CN200380106718.9

申请日：2003-12-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 土屋薰 ,  福本良太 ,  村上智史 ,  乡户宏充

IPC: H05B33/04 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L27/127 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0062 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/524 ,  H01L51/5253

Abstract: 提供一种显示装置及其制作方法，减少了作为使显示装置的特性劣化的原因的从封闭区进入的水分和氧，可靠性高，为此，本发明具有封闭膜，由此显示装置的包含有机材料的层间绝缘膜不与显示装置(面板)外部的大气直接接触。因此，能防止显示装置外部的水和氧通过包含有吸湿性的有机材料的绝缘膜等进入显示装置内。从而，还能防止水和氧等引起的显示装置内部的污染、电气特性的劣化、黑斑或收缩等各种劣化，能提高显示装置的可靠性。

公开(公告)号：CN1165806C

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：CN00107035.5

申请日：2000-03-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  村上智史 ,  田中幸夫

IPC: G02F1/136 ,  G09G3/36

CPC classification number: G09G3/3655 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136227 ,  G09G3/3614 ,  G09G3/3688 ,  G09G2300/0876 ,  G09G2310/0283 ,  G09G2310/0286 ,  G09G2310/0289 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/78633

Abstract: 一种有源矩阵型显示器，包括：一衬底；形成于衬底上的多条源极信号线和多条栅极信号线；形成于衬底上的多个象素薄膜晶体管；电连接到多个象素薄膜晶体管上的多个象素电极；形成于衬底上的屏蔽膜(黑底)，该屏蔽膜是浮置的；及置于象素电极和屏蔽膜之间的电介质，其中将其极性在每条源极信号线中都进行反相的信号加到源极信号线上，且施加到相应源极信号线上的信号极性每一帧周期反相一次。最好在屏蔽膜和公共电极之间形成一耦合电容器。

公开(公告)号：CN1458812A

公开(公告)日：2003-11-26

申请号：CN03131288.8

申请日：2003-05-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  村上智史 ,  纳光明

IPC: H05B33/14 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1248 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/326 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/78645 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/524 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/5271 ,  H01L2251/5315

Abstract: 根据本发明的显示器件包括：用来在在晶体管的栅电极等与数据线、漏电极等之间形成隔离的整平层；以及形成在整平层的上表面或下表面上且同时用来抑制来自整平层的潮气或放气组分的扩散的势垒层。此显示器件采用了一种器件结构，此器件结构借助于在整平层与势垒层之间创造一种位置关系而能够有效降低对整平层的等离子体损伤。而且，与新颖结构组合作为象素电极的结构，还能够提供诸如提高亮度之类的效果。

公开(公告)号：CN1450659A

公开(公告)日：2003-10-22

申请号：CN03110347.2

申请日：2003-04-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 村上智史 ,  早川昌彦 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  G02F1/133 ,  G09F9/30 ,  G09G3/00

CPC classification number: H01L27/1248 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/1337 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/1341 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/123 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/49827 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78651 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/95 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种半导体元件，包括：具有有源层的半导体、与半导体接触的栅极绝缘膜、通过栅极绝缘膜与有源层相对的栅电极、在有源层上形成的第一氮化物绝缘膜、在第一氮化物绝缘膜上形成的光敏有机树脂膜、在光敏有机树脂膜上形成的第二氮化物绝缘膜，以及在第二氮化物绝缘膜上提供的布线，其中在光敏有机树脂膜中提供第一开口部分，第一开口部分的内壁表面由第二氮化物绝缘膜覆盖，在包含栅极绝缘膜、第一氮化物绝缘膜和位于第一开口部分内的第二氮化物绝缘膜的叠层膜中提供第二开口部分，并且半导体通过第一开口部分和第二开口部分与布线连接。

公开(公告)号：CN1429055A

公开(公告)日：2003-07-09

申请号：CN02158444.3

申请日：2002-11-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  村上智史 ,  坂仓真之 ,  高山彻

IPC: H05B33/12 ,  H05B33/10 ,  H01L27/15

CPC classification number: H01L27/3244 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3258 ,  H01L29/16 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78696 ,  H01L51/5008 ,  H01L51/524 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/56 ,  H01L2227/323 ,  H01L2251/566

Abstract: 本发明的目的是提高包含TFT和有机发光元件的发光设备的可靠性。根据本发明的发光设备具有薄膜晶体管和发光元件，包括：栅电极上的第二无机绝缘层，第二无机绝缘层上的第一有机绝缘层，第一有机绝缘层上的第三无机绝缘层，第三无机绝缘层上形成的阳极层，第二有机绝缘层和阳极层的末端重叠且具有35－45度的倾斜角，形成在第二有机绝缘层的上表面和侧表面上且在阳极层上有开口的第四无机绝缘层，与阳极层和第四无机绝缘层接触形成且包含发光材料的有机化合物层，和包含发光材料的有机化合物层接触形成的阴极层，其中，第三无机绝缘层和第四无机绝缘层用氮化硅或氮化铝形成。

公开(公告)号：CN1270383A

公开(公告)日：2000-10-18

申请号：CN00107035.5

申请日：2000-03-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  村上智史 ,  田中幸夫

IPC: G09G3/36

CPC classification number: G09G3/3655 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136227 ,  G09G3/3614 ,  G09G3/3688 ,  G09G2300/0876 ,  G09G2310/0283 ,  G09G2310/0286 ,  G09G2310/0289 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/78633

Abstract: 一种有源矩阵型显示器,包括:一衬底;形成于衬底上的多条源极信号线和多条栅极信号线;形成于衬底上的多个象素薄膜晶体管;电连接到多个象素薄膜晶体管上的多个象素电极;形成于衬底上的屏蔽膜(黑底),该屏蔽膜是浮置的;及置于象素电极和屏蔽膜之间的电介质,其中将其极性在每条源极信号线中都进行反相的信号加到源极信号线上,且施加到相应源极信号线上的信号极性每一帧周期反相一次。最好在屏蔽膜和公共电极之间形成一耦合电容器。