公开(公告)号：CN1941288A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200610139950.8

申请日：2006-09-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 挂端哲弥

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L21/02244 ,  C23C8/36 ,  C23C14/028 ,  C23C14/16 ,  C23C14/5826 ,  C23C14/5853 ,  C23C14/586 ,  C23C16/0263 ,  C23C16/20 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31683 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/127 ,  H01L27/13 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明提供能够使栅绝缘膜薄膜化而提高半导体装置的特性并且可以减少漏泄电流的半导体器件以及其制造方法。在本发明中，在多晶半导体膜(103a)上形成铝膜(121a)作为金属膜，通过对所述铝膜进行等离子体氧化处理，氧化所述铝膜来形成氧化铝膜(104)，并且，在所述多晶半导体膜(103a)和所述氧化铝膜之间形成氧化硅膜(100a)。

公开(公告)号：CN1873933A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200610092457.5

申请日：2006-06-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  挂端哲弥 ,  大沼英人 ,  永井雅晴 ,  纳光明 ,  坂仓真之 ,  小森茂树

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/02683 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1288

Abstract: 提供一种具有高工作性能和高可靠性的电路的半导体器件，并提高了半导体器件的可靠性，从而提高具有该半导体器件的电子设备的可靠性。上述目标通过结合下面的步骤来实现，即在沿一个方向扫描的同时，通过用连续波激光束或重复频率为10MHz或更大的脉冲激光束的辐射来使半导体层结晶的步骤；使用包括辅助图形的光掩膜或掩膜原版的光刻步骤，所述辅助图形由具有降低光强度功能的衍射光栅图形或半透射膜构成；以及通过使用具有低电子温度的高密度等离子体，对半导体膜、绝缘膜或导电膜的表面进行氧化、氮化或表面改性的步骤。

公开(公告)号：CN120049145A

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202411670702.0

申请日：2024-11-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  栗城和贵 ,  落合辉明 ,  挂端哲弥

IPC: H01M50/474 ,  H01M50/483 ,  H01M10/0525 ,  H01M50/586

Abstract: 一种由树枝晶导致的内部短路得到抑制的二次电池。该二次电池包括负极活性物质层、隔离体、配置于负极活性物质层与隔离体间的碳片、负极活性物质层与碳片间的树枝晶及正极活性物质层，负极活性物质层包含负极活性物质，负极活性物质包含选自石墨和硅中的一个以上，碳片的厚度为25nm以上且50μm以下，树枝晶具有沿着碳片的表面的部分。碳片包含碳纳米管。

公开(公告)号：CN119072799A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202380035560.8

申请日：2023-04-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 齐藤丞 ,  川月惇史 ,  门马洋平 ,  吉富修平 ,  中西健太 ,  挂端哲弥

IPC: H01M4/525 ,  C01G53/00 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0568 ,  H01M10/0569

Abstract: 提供一种在低温环境下也具有良好的充电特性及放电特性的锂离子电池。一种包含正极活性物质的锂离子电池，上述正极活性物质包含钴、氧、镁、铝及镍，正极活性物质的中值粒径为1μm以上且12μm以下，在表层部中包含镁及铝，表层部是距正极活性物质的表面50nm的区域，上述正极活性物质包括镁分布于比铝更靠近正极活性物质的表面一侧的区域。

公开(公告)号：CN118140339A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202280071166.5

申请日：2022-10-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 斋藤圣矢 ,  挂端哲弥 ,  栗城和贵 ,  中尾泰介 ,  荒井谦二

IPC: H01M10/052 ,  H01M4/525 ,  H01M4/587 ,  H01M10/0569

Abstract: 提供一种即使在冰点下也具有良好放电特性的锂离子电池。该锂离子电池包括具有正极活性物质的正极、电解液以及具有碳材料的负极活性物质的负极，碳材料在X射线衍射(XRD)的分析中在2θ＝20°以上且24°以下、2θ＝42°以上且46.5°以下以及2θ＝78°以上且82°以下处具有峰，锂离子电池在25℃下进行恒流恒压充电(0.1C、4.5V、终止电流0.01C)之后在‑40℃下放电时的放电容量值为在25℃下放电时的放电容量值的40％以上。

公开(公告)号：CN117355955A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202280036767.2

申请日：2022-05-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  挂端哲弥 ,  小国哲平 ,  高桥辰义 ,  岛田知弥 ,  门马洋平 ,  川月惇史

IPC: H01M4/02

Abstract: 本发明提供一种高容量密度、可快速充电及快速放电的电极及二次电池。一种包括正极和负极的电池，其中，正极包含集流体、与集流体重叠的第一层以及与第一层重叠的第二层，第一层包含为第一粒径的第一活性物质，第二层包含为第二粒径的第二活性物质，第一粒径比第二粒径小。第二活性物质包括表层部和内部。表层部是从第二活性物质的表面至内部10nm以下的区域，表层部和内部为拓扑衍生。

公开(公告)号：CN117043989A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202280020100.3

申请日：2022-03-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  挂端哲弥 ,  门马洋平 ,  米田祐美子 ,  栗城和贵 ,  高桥辰义 ,  福岛邦宏

IPC: H01M4/525

Abstract: 提供一种充放电循环测试中的放电容量保持率的下降得到抑制的电池。一种包括正极及负极的电池，其中，在将电池的正极用作由锂金属构成负极的测试用电池的正极进行反复如下充放电循环50次的测试，即在25℃环境下或45℃环境下以1C(1C＝200mA/g)的充电倍率对测试用电池进行恒流充电至4.6V的电压，然后直到充电倍率成为0.1C为止以4.6V的电压进行恒压充电，接下来以1C的放电倍率进行恒流放电至2.5V的电压，并且按每次循环测量放电容量时，在第50次循环测量出的放电容量的值满足50次循环整体中的放电容量的最大值的90％以上且低于100％。

公开(公告)号：CN116031400A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202310134781.2

申请日：2021-10-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 齐藤丞 ,  门马洋平 ,  福岛邦宏 ,  细海俊介 ,  种村和幸 ,  挂端哲弥 ,  山崎舜平 ,  大野敏和 ,  三上真弓 ,  高桥辰义 ,  岛田知弥

IPC: H01M4/525 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明涉及一种锂离子二次电池。提供一种二次电池，该二次电池为在提高充电深度时的dQ/dVvsV曲线中在4.55V附近具有较宽峰的正极活性物质的二次电池。或者，提供一种二次电池，该二次电池使用如下正极活性物质：在充电电压为4.6V以上且4.8V以下，充电深度为0.8以上且低于0.9的情况下也不成为H1‑3型结构，可以保持CoO2层的偏离被抑制的晶体结构。在dQ/dVvsV曲线中4.55V附近的峰较宽意味着在其附近的抽出锂所需的能量变化少且晶体结构的变化少。因此，可以得到CoO2层的偏离及体积的变化影响较少且即使充电深度较高也较稳定的正极活性物质。

公开(公告)号：CN114868255A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202080090636.3

申请日：2020-12-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  挂端哲弥 ,  神保安弘 ,  惠木勇司

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156

Abstract: 提供一种特性的不均匀小的半导体装置。半导体装置包括氧化物、氧化物上的第一导电体及第二导电体、第一导电体上的第一绝缘体、第二导电体上的第二绝缘体、第一绝缘体上及第二绝缘体上的第三绝缘体、第三绝缘体上的第四绝缘体、在氧化物上且配置于第一导电体与第二导电体之间的第五绝缘体、第五绝缘体上的第六绝缘体、第六绝缘体上的第三导电体，第三导电体包括与氧化物重叠的区域，第五绝缘体包括与氧化物、第一导电体、第二导电体及第一绝缘体至第四绝缘体接触的区域，第五绝缘体包含氮、氧及硅。

公开(公告)号：CN114497706A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202111233015.9

申请日：2021-10-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 齐藤丞 ,  门马洋平 ,  福岛邦宏 ,  细海俊介 ,  种村和幸 ,  挂端哲弥 ,  山崎舜平 ,  大野敏和 ,  三上真弓 ,  高桥辰义 ,  岛田知弥

IPC: H01M10/056 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明涉及一种二次电池及电子设备。提供一种二次电池，该二次电池为在提高充电深度时的dQ/dVvsV曲线中在4.55V附近具有较宽峰的正极活性物质的二次电池。或者，提供一种二次电池，该二次电池使用如下正极活性物质：在充电电压为4.6V以上且4.8V以下，充电深度为0.8以上且低于0.9的情况下也不成为H1‑3型结构，可以保持CoO2层的偏离被抑制的晶体结构。在dQ/dVvsV曲线中4.55V附近的峰较宽意味着在其附近的抽出锂所需的能量变化少且晶体结构的变化少。因此，可以得到CoO2层的偏离及体积的变化影响较少且即使充电深度较高也较稳定的正极活性物质。