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公开(公告)号：CN112997335A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201980072744.5
申请日：2019-10-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/50 , H05B33/14 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。该半导体装置包括半导体层、第一绝缘层、金属氧化物层、导电层以及绝缘区域。第一绝缘层覆盖半导体层的顶面及侧面，导电层位于第一绝缘层上。金属氧化物层位于第一绝缘层与导电层之间，金属氧化物层的端部位于导电层的端部的内侧。绝缘区域与金属氧化物层邻接，且位于第一绝缘层与导电层之间。半导体层包括第一区域、一对第二区域以及一对第三区域。第一区域与金属氧化物层及导电层重叠。第二区域夹着第一区域，且与绝缘区域及导电层重叠。第三区域夹着第一区域及一对第二区域，且不与导电层重叠。第三区域优选包括其电阻比第一区域低的部分。第二区域优选包括其电阻比第三区域高的部分。
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公开(公告)号：CN112510053A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011132943.1
申请日：2015-02-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L27/32
Abstract: 本发明题为半导体装置、显示装置、显示模块以及电子设备。本发明的一个方式提供一种半导体装置，其中包括使用氧化物半导体的交错型晶体管及电容元件。本发明的一个方式是一种包括晶体管及电容元件的半导体装置，其中晶体管包括：氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上的栅极绝缘膜；栅极绝缘膜上的栅电极；栅电极上的第二绝缘膜；第二绝缘膜上的第三绝缘膜；以及第三绝缘膜上的源电极及漏电极，源电极及漏电极与氧化物半导体膜电连接，电容元件包括：第一导电膜；第二导电膜；以及该第二绝缘膜，第一导电膜与栅电极设置在同一表面上，该第二导电膜与源电极及漏电极设置在同一表面上，该第二绝缘膜设置在第一导电膜与第二导电膜之间。
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公开(公告)号：CN108780617A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780014086.5
申请日：2017-03-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3258 , H01L51/5253 , H01L2251/301 , H01L2251/5338
Abstract: 提供一种高成品率的显示装置及/或相邻像素之间的混色得到抑制的显示装置。一种显示装置，包括第一像素电极、第二像素电极、第一绝缘层、第二绝缘层以及粘合层。第一绝缘层具有第一开口，第二绝缘层具有第二开口，第一开口及第二开口形成在第一像素电极与第二像素电极之间，在俯视图中第二开口的外周位于比第一开口的外周更靠内侧的位置，并且粘合层具有在第二绝缘层下与第二绝缘层重叠的区域。
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公开(公告)号：CN119678670A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202380058213.7
申请日：2023-07-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种同时实现低功耗和高性能的半导体装置。半导体装置包括第一晶体管、第二晶体管及第一绝缘层。第一晶体管包括第一至第三导电层、第一半导体层及第二绝缘层。第一绝缘层夹在第一导电层和第二导电层之间。第一绝缘层及第二导电层具有到达第一导电层的开口。第一半导体层在开口中与第一导电层的顶面、第一绝缘层的侧面及第二导电层的侧面接触。第一半导体层具有隔着第二绝缘层与第三导电层重叠的区域。第二晶体管包括第二半导体层、第二及第三绝缘层以及第四导电层。第二半导体层的端部与第三绝缘层的端部一致或大致一致。第二半导体层具有隔着第二绝缘层及第三绝缘层与第四导电层重叠的区域。
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公开(公告)号：CN118591888A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202380018329.8
申请日：2023-02-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/417 , H05B33/02 , H05B33/10 , H10K50/00
Abstract: 提供一种包括尺寸微小的晶体管的半导体装置。半导体装置包括半导体层、第一导电层、第二导电层、第三导电层、第一绝缘层以及第二绝缘层。第一绝缘层设置在第一导电层上。第一绝缘层包括到达第一导电层的第一开口。半导体层与第一绝缘层的顶面及侧面以及第一导电层的顶面接触。第二导电层设置在半导体层上。第二导电层在与第一开口重叠的区域中包括第二开口。第二绝缘层设置在半导体层及第二导电层上。第三导电层设置在第二绝缘层上。第一绝缘层具有第三绝缘层与第三绝缘层上的第四绝缘层的叠层结构。第四绝缘层包括膜密度比第三绝缘层高的区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118556296A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202380017236.3
申请日：2023-01-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L27/146 , H05B33/02 , H05B33/10 , H05B33/22 , H10K50/00 , H10K59/00
Abstract: 提供一种包括微细的晶体管的半导体装置。本发明是一种包括半导体层、第一导电层、第二导电层、第三导电层、第一绝缘层以及第二绝缘层的半导体装置。第一绝缘层设置在第一导电层上并包括到达第一导电层的第一开口。第二导电层设置在第一绝缘层上并在与第一开口重叠的区域包括第二开口。半导体层与第一导电层的顶面、第一绝缘层的侧面以及第二导电层的顶面及侧面接触。第二绝缘层设置在半导体层上。第三导电层设置在第二绝缘层上。第一绝缘层具有第三绝缘层及第三绝缘层上的第四绝缘层的叠层结构。第四绝缘层包括其膜密度比第三绝缘层高的区域。
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公开(公告)号：CN117957598A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202280063044.1
申请日：2022-09-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种具有摄像功能的显示装置。降低拍摄时的噪声。显示装置包括第一像素电极、第二像素电极、第一有机层、第二有机层、公共电极、间隔物、保护层及遮光层。第一有机层设置于第一像素电极上。第二有机层设置于第二像素电极上。公共电极具有隔着第一有机层与第一像素电极重叠的部分及隔着第二有机层与第二像素电极重叠的部分。保护层覆盖公共电极。间隔物对可见光具有透光性且具有隔着保护层、公共电极及第一有机层与第一像素电极重叠的部分。遮光层设置于间隔物上且具有与第二像素电极重叠的开口。第一有机层包含光电转换层，第二有机层包含发光层。
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公开(公告)号：CN111542780B
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN201880084907.7
申请日：2018-12-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1368 , G09F9/30
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公开(公告)号：CN116154003A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211581242.5
申请日：2016-11-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/04 , H01L29/49 , H01L21/426 , H01L27/12 , H01L21/28 , H01L29/423 , H10K59/12 , H01L21/34 , H10K50/115 , H10K59/40 , G02F1/1368 , G09F9/30
Abstract: 半导体装置、包括该半导体装置的显示装置以及包括该半导体装置的电子设备。在包括氧化物半导体的晶体管中，在抑制电特性变动的同时提高可靠性。提供一种包括晶体管的半导体装置。晶体管包括被用作第一栅电极的第一导电膜、第一栅极绝缘膜、包括沟道区域的第一氧化物半导体膜、第二栅极绝缘膜、被用作第二栅电极的第二氧化物半导体膜及第二导电膜。第二氧化物半导体膜包括其载流子密度比第一氧化物半导体膜高的区域。第二导电膜包括与第一导电膜接触的区域。
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公开(公告)号：CN108780617B
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201780014086.5
申请日：2017-03-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种高成品率的显示装置及/或相邻像素之间的混色得到抑制的显示装置。一种显示装置，包括第一像素电极、第二像素电极、第一绝缘层、第二绝缘层以及粘合层。第一绝缘层具有第一开口，第二绝缘层具有第二开口，第一开口及第二开口形成在第一像素电极与第二像素电极之间，在俯视图中第二开口的外周位于比第一开口的外周更靠内侧的位置，并且粘合层具有在第二绝缘层下与第二绝缘层重叠的区域。
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