公开(公告)号：CN112242448A

公开(公告)日：2021-01-19

申请号：CN202010692943.0

申请日：2020-07-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 岛行德 ,  大野正胜 ,  重信匠

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/423

Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。半导体装置包括第一绝缘层、第二绝缘层、半导体层以及第一导电层。半导体层、第二绝缘层以及第一导电层依次层叠在第一绝缘层上。第一绝缘层具有依次层叠有第一绝缘膜、第二绝缘膜以及第三绝缘膜的叠层结构。第二绝缘层包含氧化物。第三绝缘膜具有接触于半导体层的部分。第一绝缘膜包含硅及氮。第二绝缘膜包含硅、氮及氧。第三绝缘膜包含硅及氧。半导体层包含铟及氧。

公开(公告)号：CN112997335A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN201980072744.5

申请日：2019-10-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中田昌孝 ,  井口贵弘 ,  保坂泰靖 ,  重信匠

IPC: H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。该半导体装置包括半导体层、第一绝缘层、金属氧化物层、导电层以及绝缘区域。第一绝缘层覆盖半导体层的顶面及侧面，导电层位于第一绝缘层上。金属氧化物层位于第一绝缘层与导电层之间，金属氧化物层的端部位于导电层的端部的内侧。绝缘区域与金属氧化物层邻接，且位于第一绝缘层与导电层之间。半导体层包括第一区域、一对第二区域以及一对第三区域。第一区域与金属氧化物层及导电层重叠。第二区域夹着第一区域，且与绝缘区域及导电层重叠。第三区域夹着第一区域及一对第二区域，且不与导电层重叠。第三区域优选包括其电阻比第一区域低的部分。第二区域优选包括其电阻比第三区域高的部分。