公开(公告)号：CN1757099A

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN200480006010.0

申请日：2004-03-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/6704 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67173

Abstract: 本发明的目的在于完全除去由于清洗而附着在衬底上的水分，并将该衬底在除去水分的状态下输送至成膜装置中。本发明是一种衬底处理系统(1)，其包括：清洗装置(3)，使用清洗液清洗衬底；水分去除装置(4)，除去在所述清洗装置(3)中清洗的衬底上附着的水分；以及输送部(7)，用于将在所述水分去除装置(4)中除去水分的衬底经过干燥气氛内输送至衬底的其他处理装置中。

公开(公告)号：CN1748102A

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN200480004084.0

申请日：2004-02-09

Applicant: 株式会社富士金 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  池田信一 ,  山路道雄 ,  北野真史 ,  森本明弘

IPC: F16K7/12 ,  F16K27/00 ,  F16K51/02

CPC classification number: F16K7/14 ,  F16K27/003 ,  F16K51/02

Abstract: 本发明提供一种阀，这种阀能够与旨在实现真空排气系统的设备的小型化并由此降低成本和缩短真空排气时间的真空排气系统配管的小口径化相适应，并能够防止由气体分解产生的离解生成物的堆积所导致的内部的腐蚀、堵塞、阀座泄漏等。具体地说，将铝钝态用于在真空排气系统中使用的阀等配管零件，来抑制因烘焙时的温度升高而引起的气体分解，从而提供与真空排气系统的小口径化相适应的零件，特别是使得不会因气体分解产生的生成物的堆积而发生腐蚀、堵塞、阀座泄漏等。

公开(公告)号：CN1739072A

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN200480002284.2

申请日：2004-01-16

Applicant: 株式会社富士金 ,  东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  杉山一彦 ,  水泽兼悦 ,  高桥荣治 ,  宇野富雄 ,  西野功二 ,  土肥亮介 ,  池田信一 ,  永濑正明

IPC: G05D7/06

CPC classification number: H01L21/67023 ,  G05D7/0635 ,  Y10T137/6416 ,  Y10T137/6606 ,  Y10T137/7761

Abstract: 本发明使得能够使用压力式流量控制装置，在3～300SCCM左右的流量范围内，对供给真空腔室等的HF气体等簇化流体高精度地进行流量控制。具体地说，使用压力式流量控制装置的簇化流体的流量控制方法是下述方法，即在节流孔上游侧的气体的压力P1与节流孔下游侧的气体的压力P2之比P2/P1保持在气体的临界压力比以下的状态下，在节流孔中流通的气体的流量Q按照Q＝KP1(其中，K为常数)进行运算，其中，将前述压力式流量控制装置加温到40℃以上，或者向簇化流体中添加稀释气体使之达到分压以下，从而使得缔合的分子离解，之后使得变成了单分子状态的簇化流体通过所述节流孔流通。

公开(公告)号：CN1228819C

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN01130253.4

申请日：2001-12-13

Applicant: 夏普株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 田寺孝光 ,  山本达志 ,  平山昌树 ,  大见忠弘

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  C23C16/00

CPC classification number: B23K10/003 ,  B23K2101/40

Abstract: 在暴露于空气的微波入口窗(4)的一边，设置带有槽(11a)和谐振单元(3)的槽板(11)。槽板(11)和谐振单元(3)相对于加工室(6)整体放置，可通过线性导轨(12、13)滑动。用这种方法，可以设置等离子加工设备，它实现高度均匀的等离子加工，并具有极好的等离子发生特性。

公开(公告)号：CN1692318A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200380100257.4

申请日：2003-12-18

Applicant: 株式会社富士金 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  池田信一 ,  西野功二 ,  永濑正明 ,  土肥亮介 ,  西村龙太郎

IPC: G05D16/02

CPC classification number: F16K47/02 ,  F16K47/023 ,  F16L55/043 ,  Y10T137/0324 ,  Y10T137/0379 ,  Y10T137/0396 ,  Y10T137/7761 ,  Y10T137/86389 ,  Y10T137/86461

Abstract: 通过极为简单的装置及操作，不会发生水击、而且在短时间内，可以将流体通路紧急关闭。为此，由以下部分构成无水击关闭装置：加装在流体通路上的致动器动作式阀；向致动器动作式阀供应两级阶梯状的致动器动作压力Pa的电－气变换装置；可自由拆装地固定到前述致动器动作式阀的上游侧管路上的振动传感器；输入由振动传感器检测出来的振动检测信号Pr、并且向电－气变换装置输出控制前述两级阶梯状的致动器动作压力Pa的阶梯动作压力Ps′的大小的控制信号Sc，通过该控制信号Sc的调整、从电－气变换装置输出振动检测信号Pr基本上成为零的阶梯动作压力Ps′的两级阶梯状的致动器压力Pa的调整箱。

公开(公告)号：CN1623057A

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN02828573.5

申请日：2002-03-18

Applicant: 株式会社富士金 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  山路道雄 ,  野岛新也 ,  胜见雪人 ,  筱原努

IPC: F16L19/00 ,  F16J15/10

CPC classification number: F16J15/02 ,  F16J15/062 ,  F16J15/104 ,  F16L19/00 ,  F16L19/0212 ,  F16L19/0218 ,  F16L25/0018 ,  F16L27/082 ,  F16L27/0828 ,  Y10S277/925 ,  Y10S285/917

Abstract: 一种流体接头，在各接头部件(1、2)的抵接端面上，设有围绕流体通路(1a、2a)且在底面具有环状突起(5、6)的环状凹部(3、4)。垫圈(10)由外径小于环状凹部(3、4)的直径且位于两接头部件(1、2)的突起(5、6)之间的密封部(11)、和具有能嵌合到环状凹部(3、4)中的外径且位于密封部(11)的外侧的导向部(12)构成。在适当拧紧时使两接头部件(1、2)的抵接端面相互抵接。在密封部(11)的外周设有环状槽(14)，密封部(11)和导向部(12)通过嵌合于该环状槽(14)中的卡环(13)相连接。

公开(公告)号：CN1165969C

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：CN01120789.2

申请日：2001-03-21

Applicant: 夏普公司 ,  大见忠弘

Inventor： 钟筑律夫 ,  田寺孝光 ,  山本达志 ,  平山昌树 ,  大见忠弘

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32192 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/511

Abstract: 本发明提供一种能够防止异常等离子体的发生、可稳定地实施均匀的等离子体处理的等离子体处理装置。该等离子体处理装置具备：处理室(1、2)；微波发射构件(5)；以及反应气体供给装置(14、15、21、22)，反应气体供给装置包含反应气体供给路(15)，该供给路具有在微波发射构件的另一壁面和处理室内壁面的一部之间形成的空间，还具备防微波透射构件(16)，该防微波透射构件被配置在微波发射构件的另一壁面上的面对反应气体供给路的区域上。

公开(公告)号：CN1510755A

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：CN200310117790.3

申请日：2003-12-02

Applicant: 大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  须川成利 ,  寺本章伸 ,  赤堀浩史 ,  二井启一

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/78 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/3185 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31654 ,  H01L21/318 ,  H01L29/6659

Abstract: 在一种形成在具有主(110)结晶平面取向的硅表面上的半导体器件中，使硅表面平整，使得表面算术平均差Ra不大于0.15nm，优选地，不大于0.09nm，实现制造高迁移率的n－MOS晶体管。通过重复在氧基气氛中自牺牲氧化物膜的淀积工艺和自牺牲氧化物膜的去除工艺、或通过在脱气的H2O或低OH浓度气氛中清洗硅表面，或用氢或重氢使硅表面完全终结(terminating)，可以取得这种平整的硅表面。用各向同性氧化可以实现自牺牲氧化物膜的淀积处理。

公开(公告)号：CN1502121A

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN02807489.0

申请日：2002-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  平山昌树 ,  须川成利 ,  后藤哲也

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/205 ,  B01J19/08 ,  C23C16/511 ,  H01L21/265 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32192 ,  C23C16/517 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32339

Abstract: 在微波等离子体处理装置(10)中设置促进利用微波进行等离子体点火的等离子体点火促进部件。等离子体点火促进部件具有产生真空紫外线的重氢灯(30)，以及，使真空紫外线透过并将之导入等离子体激发用空间(26)内的透过窗(32)。透过窗(32)构成为凸透镜结构，通过聚焦真空紫外线来促进等离子体激发气体的电离。通过所述结构，可以容易且快速地进行等离子体点火。

公开(公告)号：CN1460285A

公开(公告)日：2003-12-03

申请号：CN02800918.5

申请日：2002-03-28

Applicant: 大见忠弘 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  平山昌树 ,  须川成利 ,  后藤哲也

IPC: H01L21/31 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3222 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/3244

Abstract: 一种微波等离子体处理装置，为了使阻抗变化缓和，通过在微波供给波导管和微波天线之间设置锥面或具有中间介电常数的部件，可抑制微波供给波导管与微波天线的连接部中的反射波的形成，提高供电效率，抑制放电，在等离子体处理装置中稳定形成等离子体。