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公开(公告)号：CN101353576B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200810145642.5
申请日：2005-07-14
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝照明技术株式会社 , 东芝高新材料公司
CPC classification number: C01B21/0602 , C01P2002/54 , C01P2002/84 , C09K11/0883 , C09K11/7721 , C09K11/7734 , H01L33/502 , H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H01L2933/0041 , Y02B20/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及一种含氮荧光物质、其制造方法以及发光器件。该制造含氮荧光物质的方法包括：在含氮气的混合气体氛围中烧结由通式M2SiO4:Z表示的氧化物荧光物质，从而将所述氧化物荧光物质的至少一部分转化为由通式M2Si5N8:Z表示的含氮荧光物质，其中M是Sr、Ba和Ca中的至少一种，Z是选自Eu和Ce的至少一种活化剂。
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公开(公告)号：CN1860205B
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200580001129.3
申请日：2005-10-17
CPC classification number: C09K11/7734 , H01L33/502 , H01L33/504 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014
Abstract: 公开了一种荧光物质，包括具有由以下通用化学式(1)表示的成分的碱土金属硅酸盐：(Sr1-x-y-zBaxCayEuz)2SiWO2+2W ...(1)其中x、y、z和w在以下范围内：0≤x≤0.97；0≤y≤0.97；0.03≤z≤0.20；1.00＜w＜1.10。
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公开(公告)号：CN101353576A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810145642.5
申请日：2005-07-14
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝照明技术株式会社 , 东芝高新材料公司
CPC classification number: C01B21/0602 , C01P2002/54 , C01P2002/84 , C09K11/0883 , C09K11/7721 , C09K11/7734 , H01L33/502 , H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H01L2933/0041 , Y02B20/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及一种含氮荧光物质、其制造方法以及发光器件。该制造含氮荧光物质的方法包括：在含氮气的混合气体氛围中烧结由通式M2SiO4:Z表示的氧化物荧光物质，从而将所述氧化物荧光物质的至少一部分转化为由通式M2Si5N8:Z表示的含氮荧光物质，其中M是Sr、Ba和Ca中的至少一种，Z是选自Eu和Ce的至少一种活化剂。
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公开(公告)号：CN1885581A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200610093141.8
申请日：2006-06-22
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/507 , H01L33/505 , H01L33/60 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2924/3025 , H01S5/005 , H01S5/02248 , H01S5/0228 , H01S5/183 , H01S5/32341 , H01S5/327 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体发光装置，包括：半导体发光元件，发射紫外范围和可见范围内的光束；以及荧光元件，吸收来自所述半导体发光元件的所述光束，并在光出射方向上输出可见光束，所述光出射方向不同于发光方向。在所述半导体发光装置内吸收由所述发光元件发射的所述光束。
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公开(公告)号：CN1575066A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410055034.7
申请日：2004-06-24
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C09K11/06 , C09K2211/182 , H01L51/0089 , H05B33/14 , Y10S428/917
Abstract: 本发明的特征在于具有一种发光介质，该发光介质含有以下述式(1)所示的化合物作为配位体的稀土类络合物。左式中，X和Y是选自O、S以及Se中相同或不同的原子，R1、R2、R3、R4、R5和R6是碳原子数为20以下的具有直链或支链结构的烷基或烷氧基、苯基、联苯基、萘基、杂环基及其取代物，R1和R6不同，n是2以上、20以下的整数，Z和W是选自氢原子、重氢原子、卤原子以及烷基中相同或不同的基团。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112789744B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN201980056531.3
申请日：2019-09-10
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
IPC: H10K30/81 , H10K30/82 , H10K50/805 , H10K71/60 , B32B9/00 , B32B15/02 , H01B13/00 , H01L21/288 , H01L31/0224 , H05B33/28
Abstract: [课题]本发明提供能够以使元件劣化少的、简便的方法制造电阻低且后加工容易的电极的方法、以及利用该方法的光电转换元件的制造方法。[解决手段]电极的制造方法包括如下工序：在疏水性基材的表面上直接涂布金属纳米材料分散液，以形成金属纳米材料层的工序；通过在上述金属纳米粒子层的表面上涂布碳材料分散液以形成碳材料层，从而形成包括金属纳米材料层与碳材料层的叠层体的电极层的工序；将上述碳材料层的表面与亲水性基材直接压接的工序；以及，剥离上述疏水性基材，将上述电极层转印至上述亲水性基材的表面的工序。
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公开(公告)号：CN113631277B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202080017045.3
申请日：2020-03-09
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
Abstract: 提供一种能够形成均匀的涂布膜的涂布头、涂布装置及涂布方法。根据实施方式，涂布头包括涂布棒、多个喷嘴、第1～第3构件、弹性构件以及位置控制部。多个喷嘴朝向涂布棒供给液体。第1构件包括多个第1凹部。多个喷嘴的1个的至少一部分位于多个第1凹部的1个与多个第3构件的1个之间。多个喷嘴的1个的至少一部分和多个第3构件的1个通过多个第2构件的1个固定于第1构件。多个弹性构件的1个设置在第1～第3位置中的至少任一个。第1位置是多个第3构件的1个与多个第2构件的1个之间。第2位置是多个第1凹部的1个的至少一部分与多个喷嘴的1个之间。第3位置是多个喷嘴的1个的至少一部分与多个第3构件的1个之间。
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公开(公告)号：CN115315815A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202180017899.6
申请日：2021-07-02
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
IPC: H01L31/0224
Abstract: [课题]本发明提供一种不易发生银迁移而耐性高的透明电极及其制作方法、以及使用该透明电极的电子器件。[解决手段]实施方式的透明电极具备透明基材(101)、导电性含银层(102)和导电性氧化物层(103)依次层叠的层叠结构，将所述透明电极在波长800nm和600nm处的总透射率分别设为T800和T600时的透射率的比T800/T600为0.85以上，且所述含银层(102)是连续的。该电极可以通过使由导电性含银层(102)和导电性氧化物层(103)层叠而成的层叠膜与硫或硫化合物接触，形成含硫银化合物层来制作。
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公开(公告)号：CN109954488B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN201811532251.9
申请日：2018-12-14
Applicant: 株式会社东芝
IPC: B01J23/30 , B01J37/02 , A62D3/17 , A61L9/01 , A61L9/18 , A62D101/28 , A61L101/02 , A62D101/40
Abstract: 本发明的实施方式涉及带光催化剂的基材及其制造方法以及光催化装置。本发明可得到能简便地制作且难以剥离的带光催化剂的基材。实施方式的带光催化剂的基材包含：基材；基底层，所述基底层设置在基材上，在pH6的水中具有正的Zeta电位；和光催化剂层，所述光催化剂层设置在基底层上，含有具有负的Zeta电位的光催化剂材料。
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公开(公告)号：CN110270343B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN201910144899.7
申请日：2019-02-27
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 提供分散稳定且抗菌作用高的光催化剂分散液、高活性的光催化剂复合材料及光催化剂装置。一种分散液，其包含水、在20℃、pH6的水中Zeta电位为负的主催化剂粒子、和Zeta电位为正的助催化剂粒子，上述主催化剂粒子的平均粒径比上述助催化剂粒子的平均粒径小。
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