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公开(公告)号：CN120084473A
公开(公告)日：2025-06-03
申请号：CN202510268564.1
申请日：2025-03-07
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有高分辨率定位功能的MEMS多维力觉传感器，包括SOI器件和SOI盖板，SOI器件设计为4×4阵列结构，每个阵列单元包括两个法向应力传感单元、一个X轴切向应力传感单元、一个Y轴切向应力传感单元和一个电容测距单元。电容测距单元位于所述阵列单元中心，两个法向应力传感单元呈右上和左下对角分布，X轴切向应力传感单元和所述Y轴切向应力传感单元呈左上和右下对角分布。SOI盖板包括六十四个均匀分布的触觉凸台和硅封装盖。本发明通过阵列结构与法向、切向应力传感单元增加了数据量并降低了信号串扰影响，提升了多维力觉传感器的精度与稳定性。
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公开(公告)号：CN119492467A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411512393.4
申请日：2024-10-28
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01L1/22 , G01L5/1627 , G01L5/00 , G01L9/00 , G01L9/04
Abstract: 本发明涉及可检测多维应变的渔网状液态金属柔性传感器及制备方法，所述传感器包括弹性主体和液态金属，所述液态金属由一个以上双S闭合渔网状的单格液态金属组成，所述弹性主体内设有与液态金属相匹配的渔网状通道，所述液态金属位于渔网状通道内，所述液态金属两端均连接有导线，所述导线伸出于弹性主体表面。本发明解决了需要采用多个传感器组合才能实现不同方向拉伸力检测和识别的问题，能够完全独立的实现不同方向拉伸力检测和识别，具有各向异性的特点。
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公开(公告)号：CN118164426A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410278647.4
申请日：2024-03-12
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于SOI封装的高灵敏度MEMS触觉传感器。本发明包括SOI器件和SOI盖板。所述SOI器件包括三轴力检测单元和第一硅键合框；所述第一硅键合框作为整个SOI器件的封装支撑结构，并与上方的SOI盖板进行键合固定为整体。所述SOI盖板包括接口层和传递层；所述接口层包括多条金属导线和硅封装盖；所述传递层包括多个触觉凸台、多个硅垂直台和第二硅键合框；本发明通过SOI盖板的设计提升了封装机械坚固性并且降低了所需封装压力，降低了封装难度与成本。采用SOI封装技术减少了电路干扰，降低器件间的串扰效应并拥有良好的电气隔离，有助于提高MEMS触觉传感器的信噪比、灵敏度和稳定性。
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公开(公告)号：CN117819471A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311844509.X
申请日：2023-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本申请公开了一种阵列的MEMS压阻式触觉传感器封装设计方法，包括以下步骤：在玻璃基板上制造出与阵列的MEMS压阻式触觉传感器上焊盘等大小、等间距的通孔，通孔填入导电金属材料；将触觉传感器倒装在玻璃基板，实现触觉传感器与玻璃基板下集成ASIC芯片电气通信。在硅衬底上制备出力传递微结构盖帽、固定框架；倒模出可产生变形的弹性结构；将力传递微结构盖帽和固定框架接合在一起，完成上层盖板制备；将上层盖板和MEMS压阻式触觉传感器对准键合。实现外部作用力与MEMS压阻式触觉传感器之间间接软接触，外部作用力通过力传递微结构盖帽，可以将力精准传递到阵列的MEMS压阻式触觉传感器的敏感元件上。
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公开(公告)号：CN117286571A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311512484.3
申请日：2023-11-14
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C30B28/14 , C30B25/00 , C30B29/46 , C30B29/64 , C01G41/00 , C23C16/448 , C23C16/455
Abstract: 本发明涉及提高生长前驱体量的二维过渡金属硫族化合物制备装置，属于二维材料领域，包括管式炉、开口石英舟A、开口石英舟B；所述管式炉的前端设有惰性气体进气口，末端设有惰性气体出气口，内部从前至后依次设置连通的预热区和加热区；所述开口石英舟A放置在预热区中，开口石英舟B放置在加热区中，开口石英舟A的开口端与开口石英舟B的开口端相对；所述开口石英舟A和开口石英舟B之间设有第一石英挡板，开口石英舟A的前方还设有第二石英挡板，第一石英挡板和第二石英挡板上设有若干通孔。本发明涉及的装置能够将更多的前驱体携带至加热区内，且分布更加均匀，让基体更加稳定的成核，提高生长二维过渡金属硫族化合物薄膜的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116952442A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310618959.0
申请日：2023-05-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有自校准功能的带方向性检测的触觉传感器。本发明包括力检测模块和位于力检测模块内的自校准模块。力检测模块为两种不同类型的硅梁，分别是测量z轴应力的硅梁和测量x/y轴应力的硅梁。自校准模块包括压电材料和电极；压电材料分别位于两种不同类型的硅梁上方，利用逆压电效应驱动硅梁产生机械应变，以实现触觉传感器的自校准。本发明中的测量x/y轴应力的硅梁形状为圆弧状而非传统的直梁，在相同应力作用下可以产生更大的机械应变，从而扩大触觉传感器的灵敏度，并且通过输出的电阻变化量的趋势，对触觉传感器所受外力进行方向检测。还发明还可通过自校准模块对触觉传感器进行自校准和误差补偿。
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公开(公告)号：CN115711691A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211399694.1
申请日：2022-11-09
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种抗惯性干扰的多力信号MEMS传感器及其制作方法。本发明采用电容式测量原理，即通过改变电容极板对之间的间距来改变电容值，从而反映力信号的大小，包括中央凸台，可动主板，Z轴极板，内部梳齿，外部梳齿，外部梳齿上电极，U型梁，外围固定梁，外围固定梁上电极。本发明将原本应为固定梳齿的结构改为了位于外部的可动的梳齿，这样使得惯性作用到来时，内部梳齿和外部梳齿共同发生位移，大大减小了导致干扰信号产生的相对位移，从而实现了抗惯性干扰的功能。另外外部梳齿的厚度大于内部梳齿的厚度，Z轴极板的面积大于玻璃板上电极的面积，这使得传感器在能够实现六轴力、力矩信号检测的同时，可以实现各个信号之间的解耦。
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公开(公告)号：CN115574988A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211241232.7
申请日：2022-10-11
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于微结构和二维金属硫化物的压力传感器，其包括上层柔性结构和下层柔性结构，所述的上层柔性结构包括上层柔性基底和导电薄膜，导电薄膜贴合于上层柔性基底的下表面，导电薄膜为二维过渡金属硫化物导电薄膜，导电薄膜的两端设有电极；所述的下层柔性结构包括下层柔性基底，下层柔性基底的上表面凸出有若干微结构；微结构与导电薄膜接触，下层柔性基底的上表面除了微结构的部分与导电薄膜之间接触或者存在空隙。本发明在下层柔性基底上均设有凸出的微结构，可增大导电薄膜受压时的形变量，可对微小的力作出反馈，具有灵敏度高、检测范围广和检测极限高的优点。
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公开(公告)号：CN114383746A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111559758.5
申请日：2021-12-20
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种可抗干扰的多集成MEMS触觉传感器及其制作方法。本发明包括基板，所述基板为硅制成的晶片；温度传感器，位于所述基板上，压力传感器，位于所述基板上；热电红外探测器，位于所述基板上；导热传感器，位于所述基板上，所述导热传感器自下而上包括下部硅衬底、上部硅衬底、电绝缘层、同心铬/铂薄膜层。本发明中同心铬/铂薄膜层采取了同心方形环状结构，其内环与外环之间存在着一定的空间，这种设计既可消除导热传感器中的温度漂移和弯曲/拉伸应变，又可以避免内环对外环产生热干扰。本发明在低成本、小体积的前提下，对接触物体可以实现多维度的测量，可以同时感知接触物体的导热性，接触压力，感测外界温度和热辐射情况。
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公开(公告)号：CN114279602A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111614225.2
申请日：2021-12-27
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于二维金属硫化物和压电薄膜的压力传感器及制备方法，压力传感器包括上层柔性结构和下层柔性结构，所述上层柔性结构包括上层柔性基底，上层柔性基底的下表面凸出有若干微结构，上层柔性基底的下表面附着有压电薄膜；所述下层柔性结构包括下层柔性基底，下层柔性基底的上表面附着有一层二维过渡金属硫化物导电涂层，二维过渡金属硫化物导电涂层上连接有电极，微结构处的压电薄膜与二维过渡金属硫化物导电涂层接触。二维过渡金属硫化物具有较高的载流子迁移率，对于外部电场变化具有较高灵敏度，将其与压电薄膜配合应用于本发明涉及的压力传感器，可以检测到更细微的压力，使压力传感器的响应范围更大，精度更高。
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