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公开(公告)号：CN115711691B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202211399694.1
申请日：2022-11-09
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种抗惯性干扰的多力信号MEMS传感器及其制作方法。本发明采用电容式测量原理，即通过改变电容极板对之间的间距来改变电容值，从而反映力信号的大小，包括中央凸台，可动主板，Z轴极板，内部梳齿，外部梳齿，外部梳齿上电极，U型梁，外围固定梁，外围固定梁上电极。本发明将原本应为固定梳齿的结构改为了位于外部的可动的梳齿，这样使得惯性作用到来时，内部梳齿和外部梳齿共同发生位移，大大减小了导致干扰信号产生的相对位移，从而实现了抗惯性干扰的功能。另外外部梳齿的厚度大于内部梳齿的厚度，Z轴极板的面积大于玻璃板上电极的面积，这使得传感器在能够实现六轴力、力矩信号检测的同时，可以实现各个信号之间的解耦。
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公开(公告)号：CN116296026A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310117112.4
申请日：2023-02-15
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种抗惯性环境干扰的多维力MEMS传感器。它包括基板、六轴力传感器和加速度计，所述的六轴力传感器为电容式测量原理，当受到外部力信号时，传感器的梳齿电容极板对之间的间距发生变化，从而改变电容值，最终反映力信号的大小。所述的加速度计亦为电容式测量原理，本发明利用所述加速度计的测量结果去校正六轴力传感器受到惯性作用时产生的干扰信号，经过校正后最终的结果即为消除了动态环境中惯性干扰的测量结果，从而实现精确测量。
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公开(公告)号：CN115711691A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211399694.1
申请日：2022-11-09
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种抗惯性干扰的多力信号MEMS传感器及其制作方法。本发明采用电容式测量原理，即通过改变电容极板对之间的间距来改变电容值，从而反映力信号的大小，包括中央凸台，可动主板，Z轴极板，内部梳齿，外部梳齿，外部梳齿上电极，U型梁，外围固定梁，外围固定梁上电极。本发明将原本应为固定梳齿的结构改为了位于外部的可动的梳齿，这样使得惯性作用到来时，内部梳齿和外部梳齿共同发生位移，大大减小了导致干扰信号产生的相对位移，从而实现了抗惯性干扰的功能。另外外部梳齿的厚度大于内部梳齿的厚度，Z轴极板的面积大于玻璃板上电极的面积，这使得传感器在能够实现六轴力、力矩信号检测的同时，可以实现各个信号之间的解耦。
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公开(公告)号：CN114383746A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111559758.5
申请日：2021-12-20
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种可抗干扰的多集成MEMS触觉传感器及其制作方法。本发明包括基板，所述基板为硅制成的晶片；温度传感器，位于所述基板上，压力传感器，位于所述基板上；热电红外探测器，位于所述基板上；导热传感器，位于所述基板上，所述导热传感器自下而上包括下部硅衬底、上部硅衬底、电绝缘层、同心铬/铂薄膜层。本发明中同心铬/铂薄膜层采取了同心方形环状结构，其内环与外环之间存在着一定的空间，这种设计既可消除导热传感器中的温度漂移和弯曲/拉伸应变，又可以避免内环对外环产生热干扰。本发明在低成本、小体积的前提下，对接触物体可以实现多维度的测量，可以同时感知接触物体的导热性，接触压力，感测外界温度和热辐射情况。
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