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公开(公告)号：CN114279602B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202111614225.2
申请日：2021-12-27
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于二维金属硫化物和压电薄膜的压力传感器及制备方法，压力传感器包括上层柔性结构和下层柔性结构，所述上层柔性结构包括上层柔性基底，上层柔性基底的下表面凸出有若干微结构，上层柔性基底的下表面附着有压电薄膜；所述下层柔性结构包括下层柔性基底，下层柔性基底的上表面附着有一层二维过渡金属硫化物导电涂层，二维过渡金属硫化物导电涂层上连接有电极，微结构处的压电薄膜与二维过渡金属硫化物导电涂层接触。二维过渡金属硫化物具有较高的载流子迁移率，对于外部电场变化具有较高灵敏度，将其与压电薄膜配合应用于本发明涉及的压力传感器，可以检测到更细微的压力，使压力传感器的响应范围更大，精度更高。
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公开(公告)号：CN114279602A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111614225.2
申请日：2021-12-27
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于二维金属硫化物和压电薄膜的压力传感器及制备方法，压力传感器包括上层柔性结构和下层柔性结构，所述上层柔性结构包括上层柔性基底，上层柔性基底的下表面凸出有若干微结构，上层柔性基底的下表面附着有压电薄膜；所述下层柔性结构包括下层柔性基底，下层柔性基底的上表面附着有一层二维过渡金属硫化物导电涂层，二维过渡金属硫化物导电涂层上连接有电极，微结构处的压电薄膜与二维过渡金属硫化物导电涂层接触。二维过渡金属硫化物具有较高的载流子迁移率，对于外部电场变化具有较高灵敏度，将其与压电薄膜配合应用于本发明涉及的压力传感器，可以检测到更细微的压力，使压力传感器的响应范围更大，精度更高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113174583A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110282034.4
申请日：2021-03-16
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C16/30 , C23C16/448 , C23C16/455
Abstract: 本发明涉及开口石英舟及大面积连续二维过渡金属硫化合物薄膜的制备方法，开口石英舟一端设有开口，大面积连续二维过渡金属硫化合物薄膜的制备的步骤包括：1)将前驱体粉末放置于开口石英舟A内设有开口的一端；2)将硫源或硒源放置于开口石英舟B内；3)将浸泡过催化剂溶液的基底倒扣在开口石英舟A中前驱体粉末的上方；4)将开口石英舟A、开口石英舟B分别置于管式炉的主炉加热区和预热加热区，开口石英舟A和开口石英舟B的开口一端相对；依次进行前驱体加热、硫源或硒源加热；6)生成二维过渡金属硫族化合物并沉积在基底表面。本发明在制备二维过渡金属硫化合物薄膜时，避免形成湍流，有助于获取大面积连续二维过渡金属硫化合物薄膜。
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公开(公告)号：CN111689519A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010412364.6
申请日：2020-05-15
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种采用前驱体热分解制备二维过渡金属硫族化合物的方法，将不同浓度的前驱体溶液旋涂在基底表面，通过前驱体热分解反应生成二维过渡金属硫族化合物沉积在基底表面，最终生成二维过渡金属硫族化合物薄膜。本发明使用乙二醇作为溶剂，危害性较小；可以通过控制前驱体溶液的浓度来控制二维过渡金属硫族化合物的层数；只需要一种前驱体，在生长过程中，不需要H2来促进薄膜材料的大面积连续性生长，不需要额外高温硫化，只在惰性气体环境下，经过两步热退火，就可以得到大面积、连续、高质量的薄膜材料；本发明有效避免了直接使用粉末作源而导致的源空间分布不均匀问题；本发明具有低成本、装置简易、易操作、可控性好等特点。
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公开(公告)号：CN111312593B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201911124277.4
申请日：2019-11-15
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于二维单层过渡金属硫族化合物明、暗激子的调控方法，包括如下步骤：(1)采用化学气相沉积法在基底上生长二维单层过渡金属硫族化合物；(2)采用机械剥离法制备二维铁磁金属Cr2C；(3)通过对准转移平台，将二维铁磁金属，对准转移到二维单层过渡金属硫族化合物上，通过对准转移时的角度控制，制备得到不同堆垛方式的二维单层过渡金属硫族化合物－二维铁磁金属异质结构，以实现圆偏振光对二维单层过渡金属硫族化合物中明、暗激子的调控和选择。本发明可以通过二维铁磁金属材料Cr2C－二维单层过渡金属硫族化合物异质结的不同堆垛方式，实现圆偏振光对明、暗激子的调控和选择。
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公开(公告)号：CN113174583B
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202110282034.4
申请日：2021-03-16
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C16/30 , C23C16/448 , C23C16/455
Abstract: 本发明涉及开口石英舟及大面积连续二维过渡金属硫化合物薄膜的制备方法，开口石英舟一端设有开口，大面积连续二维过渡金属硫化合物薄膜的制备的步骤包括：1)将前驱体粉末放置于开口石英舟A内设有开口的一端；2)将硫源或硒源放置于开口石英舟B内；3)将浸泡过催化剂溶液的基底倒扣在开口石英舟A中前驱体粉末的上方；4)将开口石英舟A、开口石英舟B分别置于管式炉的主炉加热区和预热加热区，开口石英舟A和开口石英舟B的开口一端相对；依次进行前驱体加热、硫源或硒源加热；6)生成二维过渡金属硫族化合物并沉积在基底表面。本发明在制备二维过渡金属硫化合物薄膜时，避免形成湍流，有助于获取大面积连续二维过渡金属硫化合物薄膜。
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公开(公告)号：CN111312593A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201911124277.4
申请日：2019-11-15
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于二维单层过渡金属硫族化合物明、暗激子的调控方法，包括如下步骤：(1)采用化学气相沉积法在基底上生长二维单层过渡金属硫族化合物；(2)采用机械剥离法制备二维铁磁金属Cr2C；(3)通过对准转移平台，将二维铁磁金属，对准转移到二维单层过渡金属硫族化合物上，通过对准转移时的角度控制，制备得到不同堆垛方式的二维单层过渡金属硫族化合物－二维铁磁金属异质结构，以实现圆偏振光对二维单层过渡金属硫族化合物中明、暗激子的调控和选择。本发明可以通过二维铁磁金属材料Cr2C－二维单层过渡金属硫族化合物异质结的不同堆垛方式，实现圆偏振光对明、暗激子的调控和选择。
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