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公开(公告)号：CN114279602B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202111614225.2
申请日：2021-12-27
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于二维金属硫化物和压电薄膜的压力传感器及制备方法，压力传感器包括上层柔性结构和下层柔性结构，所述上层柔性结构包括上层柔性基底，上层柔性基底的下表面凸出有若干微结构，上层柔性基底的下表面附着有压电薄膜；所述下层柔性结构包括下层柔性基底，下层柔性基底的上表面附着有一层二维过渡金属硫化物导电涂层，二维过渡金属硫化物导电涂层上连接有电极，微结构处的压电薄膜与二维过渡金属硫化物导电涂层接触。二维过渡金属硫化物具有较高的载流子迁移率，对于外部电场变化具有较高灵敏度，将其与压电薄膜配合应用于本发明涉及的压力传感器，可以检测到更细微的压力，使压力传感器的响应范围更大，精度更高。
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公开(公告)号：CN117286571A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311512484.3
申请日：2023-11-14
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C30B28/14 , C30B25/00 , C30B29/46 , C30B29/64 , C01G41/00 , C23C16/448 , C23C16/455
Abstract: 本发明涉及提高生长前驱体量的二维过渡金属硫族化合物制备装置，属于二维材料领域，包括管式炉、开口石英舟A、开口石英舟B；所述管式炉的前端设有惰性气体进气口，末端设有惰性气体出气口，内部从前至后依次设置连通的预热区和加热区；所述开口石英舟A放置在预热区中，开口石英舟B放置在加热区中，开口石英舟A的开口端与开口石英舟B的开口端相对；所述开口石英舟A和开口石英舟B之间设有第一石英挡板，开口石英舟A的前方还设有第二石英挡板，第一石英挡板和第二石英挡板上设有若干通孔。本发明涉及的装置能够将更多的前驱体携带至加热区内，且分布更加均匀，让基体更加稳定的成核，提高生长二维过渡金属硫族化合物薄膜的可靠性。
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公开(公告)号：CN115574988A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211241232.7
申请日：2022-10-11
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于微结构和二维金属硫化物的压力传感器，其包括上层柔性结构和下层柔性结构，所述的上层柔性结构包括上层柔性基底和导电薄膜，导电薄膜贴合于上层柔性基底的下表面，导电薄膜为二维过渡金属硫化物导电薄膜，导电薄膜的两端设有电极；所述的下层柔性结构包括下层柔性基底，下层柔性基底的上表面凸出有若干微结构；微结构与导电薄膜接触，下层柔性基底的上表面除了微结构的部分与导电薄膜之间接触或者存在空隙。本发明在下层柔性基底上均设有凸出的微结构，可增大导电薄膜受压时的形变量，可对微小的力作出反馈，具有灵敏度高、检测范围广和检测极限高的优点。
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公开(公告)号：CN114279602A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111614225.2
申请日：2021-12-27
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于二维金属硫化物和压电薄膜的压力传感器及制备方法，压力传感器包括上层柔性结构和下层柔性结构，所述上层柔性结构包括上层柔性基底，上层柔性基底的下表面凸出有若干微结构，上层柔性基底的下表面附着有压电薄膜；所述下层柔性结构包括下层柔性基底，下层柔性基底的上表面附着有一层二维过渡金属硫化物导电涂层，二维过渡金属硫化物导电涂层上连接有电极，微结构处的压电薄膜与二维过渡金属硫化物导电涂层接触。二维过渡金属硫化物具有较高的载流子迁移率，对于外部电场变化具有较高灵敏度，将其与压电薄膜配合应用于本发明涉及的压力传感器，可以检测到更细微的压力，使压力传感器的响应范围更大，精度更高。
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公开(公告)号：CN113174583A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110282034.4
申请日：2021-03-16
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C16/30 , C23C16/448 , C23C16/455
Abstract: 本发明涉及开口石英舟及大面积连续二维过渡金属硫化合物薄膜的制备方法，开口石英舟一端设有开口，大面积连续二维过渡金属硫化合物薄膜的制备的步骤包括：1)将前驱体粉末放置于开口石英舟A内设有开口的一端；2)将硫源或硒源放置于开口石英舟B内；3)将浸泡过催化剂溶液的基底倒扣在开口石英舟A中前驱体粉末的上方；4)将开口石英舟A、开口石英舟B分别置于管式炉的主炉加热区和预热加热区，开口石英舟A和开口石英舟B的开口一端相对；依次进行前驱体加热、硫源或硒源加热；6)生成二维过渡金属硫族化合物并沉积在基底表面。本发明在制备二维过渡金属硫化合物薄膜时，避免形成湍流，有助于获取大面积连续二维过渡金属硫化合物薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111689519A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010412364.6
申请日：2020-05-15
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种采用前驱体热分解制备二维过渡金属硫族化合物的方法，将不同浓度的前驱体溶液旋涂在基底表面，通过前驱体热分解反应生成二维过渡金属硫族化合物沉积在基底表面，最终生成二维过渡金属硫族化合物薄膜。本发明使用乙二醇作为溶剂，危害性较小；可以通过控制前驱体溶液的浓度来控制二维过渡金属硫族化合物的层数；只需要一种前驱体，在生长过程中，不需要H2来促进薄膜材料的大面积连续性生长，不需要额外高温硫化，只在惰性气体环境下，经过两步热退火，就可以得到大面积、连续、高质量的薄膜材料；本发明有效避免了直接使用粉末作源而导致的源空间分布不均匀问题；本发明具有低成本、装置简易、易操作、可控性好等特点。
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公开(公告)号：CN110335819A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910557744.6
申请日：2019-06-25
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于二维单层过渡金属硫族化合物能谷极化特性的调控方法，包括如下步骤：(1)采用化学气相沉积法在基底上生长二维单层过渡金属硫族化合物；(2)采用机械剥离法制备二维铁磁金属；(3)通过对准转移平台，将二维铁磁金属，对准转移到二维单层过渡金属硫族化合物上，形成二维单层过渡金属硫族化合物－二维铁磁金属异质结构；本发明使用二维铁磁金属材料与二维单层过渡金属硫族化合物形成异质结构，可以充分发挥二维材料的柔性、原子级薄厚度特点，有效避免了传统铁磁金属材料与二维材料形成的三维－二维异质结构而破坏二维材料本身特性的问题，可应用于超薄微型化和柔性自旋电子和能谷电子器件等的开发研究。
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公开(公告)号：CN111312593B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201911124277.4
申请日：2019-11-15
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于二维单层过渡金属硫族化合物明、暗激子的调控方法，包括如下步骤：(1)采用化学气相沉积法在基底上生长二维单层过渡金属硫族化合物；(2)采用机械剥离法制备二维铁磁金属Cr2C；(3)通过对准转移平台，将二维铁磁金属，对准转移到二维单层过渡金属硫族化合物上，通过对准转移时的角度控制，制备得到不同堆垛方式的二维单层过渡金属硫族化合物－二维铁磁金属异质结构，以实现圆偏振光对二维单层过渡金属硫族化合物中明、暗激子的调控和选择。本发明可以通过二维铁磁金属材料Cr2C－二维单层过渡金属硫族化合物异质结的不同堆垛方式，实现圆偏振光对明、暗激子的调控和选择。
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公开(公告)号：CN116121737A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310063032.5
申请日：2023-01-19
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C18/12 , C23C18/04 , C23C14/16 , C23C14/18 , C23C14/35 , C23C14/58 , C23F1/18 , C23F1/28 , C23F1/30
Abstract: 本发明涉及一种基于复合衬底的过渡金属硫族化合物制备转移方法，属于二维材料制备及转移技术领域，该方法首先在初始基底上沉积得到一层均匀的金属层，形成复合基底；然后使用热分解法在复合基底上生长二维过渡金属硫族化合物；然后在二维过渡金属硫族化合物上表面旋涂聚甲基丙烯酸甲酯；然后使用氯化铁溶液刻蚀金属层，使二维过渡金属硫族化合物与初始基底分离，并将二维过渡金属硫族化合物转移到目标基底上；最后使用丙酮去除聚甲基丙烯酸甲酯。该方法在初始基底上沉积金属层，金属层具有良好的亲水性与热稳定性，有利于热分解法的旋涂及高温分解；后续采用氯化铁溶液刻蚀金属层，不再使用碱溶液进行刻蚀，避免了TMDs薄膜受强碱腐蚀影响。
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公开(公告)号：CN113174583B
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202110282034.4
申请日：2021-03-16
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C16/30 , C23C16/448 , C23C16/455
Abstract: 本发明涉及开口石英舟及大面积连续二维过渡金属硫化合物薄膜的制备方法，开口石英舟一端设有开口，大面积连续二维过渡金属硫化合物薄膜的制备的步骤包括：1)将前驱体粉末放置于开口石英舟A内设有开口的一端；2)将硫源或硒源放置于开口石英舟B内；3)将浸泡过催化剂溶液的基底倒扣在开口石英舟A中前驱体粉末的上方；4)将开口石英舟A、开口石英舟B分别置于管式炉的主炉加热区和预热加热区，开口石英舟A和开口石英舟B的开口一端相对；依次进行前驱体加热、硫源或硒源加热；6)生成二维过渡金属硫族化合物并沉积在基底表面。本发明在制备二维过渡金属硫化合物薄膜时，避免形成湍流，有助于获取大面积连续二维过渡金属硫化合物薄膜。
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