公开(公告)号：CN120084473A

公开(公告)日：2025-06-03

申请号：CN202510268564.1

申请日：2025-03-07

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 董林玺 ,  岳晨曦 ,  刘超然 ,  高宇 ,  杨伟煌

IPC: G01L5/165 ,  B81B7/02 ,  A61B34/30 ,  A61B34/00

Abstract: 本发明公开了一种具有高分辨率定位功能的MEMS多维力觉传感器，包括SOI器件和SOI盖板，SOI器件设计为4×4阵列结构，每个阵列单元包括两个法向应力传感单元、一个X轴切向应力传感单元、一个Y轴切向应力传感单元和一个电容测距单元。电容测距单元位于所述阵列单元中心，两个法向应力传感单元呈右上和左下对角分布，X轴切向应力传感单元和所述Y轴切向应力传感单元呈左上和右下对角分布。SOI盖板包括六十四个均匀分布的触觉凸台和硅封装盖。本发明通过阵列结构与法向、切向应力传感单元增加了数据量并降低了信号串扰影响，提升了多维力觉传感器的精度与稳定性。

公开(公告)号：CN119077107A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202411227242.4

申请日：2024-09-03

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 董林玺 ,  王聃杰 ,  程家根 ,  高宇

IPC: B23K20/10 ,  B23K20/26

Abstract: 本发明公开了一种智控测厚预热超声金属焊接装置，包括焊接底座、超声波金属焊接机架、超声波金属焊接装置和电源模块，所述超声波金属焊接机架包括夹持底座和夹持装置，所述夹持底座固定在焊接底座上，所述夹持装置安装在夹持底座，所述超声波金属焊接装置安装在焊接底座上，所述超声波金属焊接装置的焊接焊台与夹持装置相配合，所述夹持底座的上方设置有安装在超声波金属焊接装置上的激光测振位移传感器，所述电源模块包括MCU控制器和超声驱动电源，所述激光测振位移传感器与MCU控制器信号连接，所述MCU控制器输出控制信号至超声驱动电源。能够根据不同的金属材料厚度调整相应的工艺参数，提高焊接效率和焊接强度。

公开(公告)号：CN119880200A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202510076180.X

申请日：2025-01-17

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 董林玺 ,  张敏利 ,  高宇 ,  刘超然

IPC: G01L1/04 ,  B81B7/02

Abstract: 本发明涉及MEMS触觉传感器感知模组技术领域，具体是一种基于MEMS敏感元件的可扩展量程的力传感器，包括传感器模组外壳以及内置于传感器模组外壳内的MEMS触觉传感器测试电路和机械力传递结构，所述的机械力传递结构包括传力柱和弹性体，传力柱上端内嵌在传感器模组外壳顶面，下端固定在弹性体的中心位置，通过传力柱将施加在传感器模组外壳顶面上的力传递到弹性体上，弹性体的下表面中心位置与MEMS触觉传感器测试电路上的MEMS触觉传感器固定，当力传递到弹性体上时，弹性体底部发生形变，力衰减后施加到MEMS触觉传感器上，通过力衰减来扩大传感器的量程。本发明可以解决MEMS传感器所面临的量程小、输出不稳定问题。

公开(公告)号：CN119972669A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510220460.3

申请日：2025-02-27

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 董林玺 ,  陈灏珠 ,  高宇

IPC: B08B9/027 ,  B08B7/00

Abstract: 本发明属于阻垢、除垢技术领域，具体是一种基于三维亥姆霍兹线圈的电磁去污装置，包括正弦波驱动电路、管道以及套设在管道外侧中心处的三维亥姆霍兹线圈，正弦波驱动电路与三维亥姆霍兹线圈相连，用于改变通过三维亥姆霍兹线圈X、Y、Z三个方向的驱动电流大小，使得三维亥姆霍兹线圈产生全局匀强且大小方向可控的三维空间磁场。三维空间磁场全面覆盖线圈范围内的流体，对大团水分子产生形变、振动作用，造成氢键的弯曲和断裂，促进大团水分子解离成为具有高活性的小分子，增强水对碳酸钙等垢成分物质的溶解能力；同时，成垢组分离子会形成新的被活性水分子包裹的晶核，降低了形成大粒子的可能性，减少壁面上的直接结垢。

公开(公告)号：CN119543973A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411692844.7

申请日：2024-11-25

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 董林玺 ,  励晨源 ,  高宇

IPC: H04B1/04 ,  H04B11/00 ,  H04L25/02 ,  H04L25/08

Abstract: 本发明公开了一种基于CMUT传感器的收发一体检测系统，包括：为CMUT传感器提供偏置电压的直流偏置电压供给模块；提供电源的系统电源供给模块；生成上位机数据的PC上位机端；传输上位机数据的数据通信模块；接收上位机数据并处理分配的FPGA选通信号控制模块；根据选通信号选择开启对应的n路高压脉冲激励信号的高压脉冲电路生成模块；扩展n路高压脉冲激励信号至2n路的时分复用电路模块；匹配具体换能器的LC阻抗匹配模块；二级放大的回波信号放大模块；二级放大后的回波数据进行量化的模数转换模块。本发明实现可以实现阵列CMUT传感器的多通道同步驱动，并抑制不同通道间的相互串扰和抑制不同路径长短导致的延迟。

公开(公告)号：CN117842928A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202410048449.9

申请日：2024-01-12

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 董林玺 ,  王珊 ,  刘超然 ,  高宇 ,  颜海霞

IPC: B81C1/00

Abstract: 本申请公开了一种增强触觉传感器性能的纯刚性封装设计方法，包括以下步骤：采用MEMS工艺，制造出玻璃基板、阵列的MEMS压阻式触觉传感器以及上层封装结构；在该封装设计中，压阻式触觉传感器封装结构被设计为三明治式结构，将压阻式触觉传感器放置在上层封装结构和玻璃基板中间；将压阻式触觉传感器上表面倒装于带通孔的玻璃基板上表面，完成对压阻式触觉传感器上表面封装；将压阻式触觉传感器下表面与设计出的上层封装结构对准键合，完成对压阻式触觉传感器下表面封装；经过上述封装设计步骤，提高了阵列的MEMS压阻式触觉传感器的灵敏度和线性度，并且实现了对阵列的MEMS压阻式触觉传感器防护。