-
公开(公告)号：CN102428580A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201080021864.1
申请日：2010-05-13
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/44
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/305 , H01L33/382 , H01L33/40 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 提供高输出、高效率在高湿环境下长寿命的发光二极管。采用发光二极管(1)，包含：具有发光部(7)的化合物半导体层(2)、设置在化合物半导体层(2)的主要光取出面的欧姆电极(4)，(5)、用于保护欧姆电极(4)，(5)的电极保护层(6)，该发光二极管(1)的特征在于：包含主要光取出面的化合物半导体层(2)的表面(2a)，(2b)的Al浓度为20％以下且As浓度小于1％，电极保护层(6)具有包含设置为覆盖欧姆电极(4)，(5)的第一保护膜(12)和设置为至少覆盖第一保护膜(12)的端部的第二保护膜(13)的二层结构。
-
公开(公告)号：CN102308397A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201080007096.4
申请日：2010-01-15
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01L33/405 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/20 , H01L33/30 , H01L33/38 , H01L33/46 , H01L2224/0603 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种发光二极管，是具有包含由组成式(AlXGa1-X)YIn1-YP(0≤X≤1、0＜Y≤1)构成的发光层的发光部、并且将包含该发光部的化合物半导体层与透明基板接合的发光二极管。在发光二极管的主要的光取出面上具有第1电极和极性与第1电极不同的第2电极。第2电极夹着发光层而形成于与第1电极相反的一侧的化合物半导体层上。对于透明基板的侧面具有在接近发光层的一侧相对于发光层的发光面大致垂直的第1侧面、和在远离发光层的一侧相对于发光面倾斜的第2侧面的发光二极管，通过在透明基板背面形成第3电极，提供光取出效率高、安装工序的生产率高的高辉度发光二极管。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101939856A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200980104166.5
申请日：2009-02-06
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/20 , H01L33/387
Abstract: 本发明提供一种化合物半导体发光二极管(101)，在该化合物半导体发光二极管(101)中，在透明基体部(25)上形成有元件构造部(10)，该元件构造部(10)包括第一传导型的化合物半导体层、由磷化铝镓铟混晶(组成式(AlXGa1-X)0.5In0.5P；0≤X＜1)形成的发光层(13)、以及与第一传导型相反的传导型的化合物半导体层，在所述元件构造部(10)上设置有第一欧姆电极(1)，在所述透明基体部(25)的相反侧形成有第二欧姆电极(5)，覆盖所述第二欧姆电极(5)而形成有金属被膜(6)，覆盖所述金属被膜(6)而形成有与所述第二欧姆电极(5)导通的金属制的底座部(7)。
-
公开(公告)号：CN101379623A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200680053168.2
申请日：2006-12-22
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L2224/05554 , H01L2224/45 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种透明衬底发光二极管(10)，具有由化合物半导体制成的发光层(133)，其中其上形成有第一电极(15)和极性与所述第一电极(15)不同的第二电极(16)的光提取表面的面积(A)、形成为接近所述光提取表面的所述发光层(133)的面积(B)、以及发光二极管的位于与用于形成所述第一电极(15)和所述第二电极(16)的一侧相反的一侧上的背面的面积(C)如此相关联，以满足式A＞C＞B的关系。由于发光层(133)的面积和透明衬底的背面(23)的面积的关系以及透明衬底(14)的侧面形状的最优化，本发明的发光二极管(10)呈现迄今从未获得的高亮度和高放热特性，并且适合在高电流水平下使用。
-
公开(公告)号：CN100426537C
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200480009763.7
申请日：2004-03-09
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/02 , H01L33/38
Abstract: 一种LED(10)，包括化合物半导体层(13)和碱性玻璃衬底(150)，所述化合物半导体层包括发光部分，所述碱性玻璃衬底包括至少1质量%的选自钠、钙、钡和钾的一种元素，并对所述部分的发光波长透明。所述衬底与所述半导体层固定或接合。在所述二极管(10)的制造方法中，在对所述波长不透明的半导体衬底(11)上生长所述半导体层(13)，通过阳极接合方法接合所述生长的半导体层和所述碱性玻璃衬底，去除所述不透明衬底，在所述半导体层的部分主表面上形成具有第一极性的第一欧姆电极(15)，在具有第二极性的所述半导体层上形成第二欧姆电极(16)，并用金属反射层(14)覆盖所述第一欧姆电极和所述半导体层。
-
公开(公告)号：CN101218687A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200680024703.1
申请日：2006-07-05
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/02 , H01L27/15 , H01L33/0079 , H01L33/145 , H01L33/16 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , Y10S438/936 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种发光二极管，包括：衬底；形成在所述衬底上的化合物半导体层，包括p－n结型发光部分；电导体，设置在所述化合物半导体层上，并且由对于从所述发光部分发射的光光学透明的导电材料形成；以及高电阻层，具有比所述电导体高的电阻，并且设置在所述化合物半导体层与所述电导体之间。在发光二极管灯的结构中，通过金属线接合，使得所述电导体与跨过所述发光层在与所述电导体相反的一侧上的所述半导体层上设置的电极呈现相等的电势。所述发光二极管具有高亮度，并且在静电击穿电压方面优良。
-
公开(公告)号：CN204244828U
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201420574791.4
申请日：2014-09-30
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: A01G9/20
Abstract: 本实用新型提供一种能够抑制从照明装置发出的热对要栽培的植物带来不良影响的植物栽培装置。植物栽培装置(1)具有：栽培架(3)，其具有多根支柱(7)、及沿上下方向隔开间隔地具有利用支柱(7)而设置且供种植有植物的栽培槽(2)载置的载置部(4)；和照明装置(5)，其在各载置部(4)的上方隔开间隔地配置在载培架(3)上。照明装置(5)具有：水平框(18)；安装在水平框(18)上的多个LED灯具(19)；和以位于LED灯具(19)上方的方式安装在水平框(18)上、且反射面朝向下方的板状反射部件(21)。在反射部件(21)中的与LED灯具(19)的开关电源(37)对应的位置，形成有多个将从开关电源(37)发出的热散出的贯穿部(38)。
-
-
-
-
-
-
Search Results
37
records
(took 0.02 seconds)
