公开(公告)号：CN108352306B

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN201680061168.0

申请日：2016-11-01

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 市村干也 ,  前原宗太 ,  仓冈义孝

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明提供一种抑制电流崩塌的发生的半导体元件用外延基板。半导体元件用外延基板包括：半绝缘性的自立基板，其含有掺杂有Zn的GaN；缓冲层，其与上述自立基板相邻；沟道层，其与上述缓冲层相邻；以及势垒层，其隔着上述沟道层而设置于上述缓冲层的相反侧，上述缓冲层是含有掺杂有Al的GaN、且抑制Zn从上述自立基板向上述沟道层扩散的扩散抑制层。

公开(公告)号：CN108140561A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680059991.8

申请日：2016-10-05

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 市村干也 ,  前原宗太 ,  仓冈义孝

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B19/02 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/401 ,  H01L29/66007 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明提供一种抑制了电流崩塌的发生的半导体元件用外延基板。半导体元件用外延基板包括：包含掺杂有Zn的GaN的半绝缘性自立基板、与上述自立基板邻接的缓冲层、与上述缓冲层邻接的沟道层、和夹着上述沟道层而设置在与上述缓冲层相反一侧的势垒层，上述缓冲层为抑制Zn从上述自立基板向上述沟道层扩散的扩散抑制层。

公开(公告)号：CN104246987B

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201480000946.6

申请日：2014-03-20

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 仓冈义孝 ,  杉山智彦 ,  前原宗太

IPC: H01L21/304 ,  C30B25/20 ,  C30B29/38 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/0254 ,  C30B25/186 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3245

Abstract: 本发明提供一种III族氮化物基板的处理方法，根据该处理方法能够得到可形成在层叠III族氮化物层的情况下具有优异特性的电子设备的III族氮化物基板。III族氮化物基板的处理方法包括：对基板表面进行CMP处理的工艺；将CMP处理后的III族氮化物基板在氮气气氛下升温至规定退火温度的工艺；以及将升温至退火温度的III族氮化物基板，在氢气和氮气的第一混合气氛或氢气和氨气的第二混合气氛中保持4分钟以上且8分钟以下的工艺。

公开(公告)号：CN104246987A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201480000946.6

申请日：2014-03-20

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 仓冈义孝 ,  杉山智彦 ,  前原宗太

IPC: H01L21/304 ,  C30B25/20 ,  C30B29/38 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/0254 ,  C30B25/186 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3245

Abstract: 本发明提供一种III族氮化物基板的处理方法，根据该处理方法能够得到可形成在层叠III族氮化物层的情况下具有优异特性的电子设备的III族氮化物基板。III族氮化物基板的处理方法包括：对基板表面进行CMP处理的工艺；将CMP处理后的III族氮化物基板在氮气气氛下升温至规定退火温度的工艺；以及将升温至退火温度的III族氮化物基板，在氢气和氮气的第一混合气氛或氢气和氨气的第二混合气氛中保持4分钟以上且8分钟以下的工艺。

公开(公告)号：CN104126223A

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201280069971.0

申请日：2012-12-04

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 杉山智彦 ,  角谷茂明 ,  前原宗太 ,  田中光浩

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/205 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/155 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供一种晶格匹配的HEMT元件，其是将二维电子气浓度确保在实用的范围内且反向耐压高的HEMT元件。通过在将AlN模板基板或Si单晶基体材料作为基底的基板等的基底基板上，形成由GaN而成的沟道层，并且在该沟道层上，形成由InxAlyGazN(x+y+z＝1，0≦z≦0.3)组分的III族氮化物而成的势垒层，而且在该势垒层上形成源极电极、漏极电极、及栅极电极，从而制备半导体元件，此时，势垒层的In摩尔分数(x)和Ga摩尔分数(z)和厚度(d)满足规定的范围。

公开(公告)号：CN102870196A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201180021537.0

申请日：2011-06-07

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 三好实人 ,  角谷茂明 ,  市村干也 ,  前原宗太 ,  田中光浩

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/155 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供一种将硅基板作为基底基板且无裂纹的外延基板。在作为(111)取向的单晶硅的基底基板之上，以使(0001)结晶面与基板面大致平行的方式形成有III族氮化物层组，其特征在于，所述外延基板包括：缓冲层，其连续层叠多个层叠单位；结晶层，形成在缓冲层之上。所述层叠单位包括：组分调制层，其通过重复交替层叠组分不同的第一单位层和第二单位层而成，从而内部存在压缩应变；末端层，其形成在组分调制层的最上部，用于维持组分调制层内部存在的压缩应变；应变强化层，形成在末端层之上，用于强化组分调制层内部存在的压缩应变。

公开(公告)号：CN102870195A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201180020801.9

申请日：2011-03-29

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 三好实人 ,  角谷茂名 ,  市村干也 ,  前原宗太 ,  田中光浩

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/38 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/872 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明提供一种将硅基板作为基底基板，无裂纹且耐电压性优良的外延基板。该外延基板，在作为（111）取向的单晶硅基板上，以使（0001）结晶面与基底基板的基板面大致平行的方式形成III族氮化物层组，其中所述外延基板包括：缓冲层，具有交替层叠由AlN构成的第一组分层和由AlxGa1-xN（0≦x＜1）构成的第二组分层而成的组分调制层，结晶层，形成在缓冲层上；将第一组分层和第二组分层的层叠数分别设为n（n为2以上的自然数），并将从基底基板侧的第i个第二组分层的x的值设为x（i）时，使其x（1）≧x（2）≧···≧x（n-1）≧x（n），并且x（1）＞x（n）的方式形成，从而具有越远离基底基板越变大压缩应变。

公开(公告)号：CN102822397A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201180017652.0

申请日：2011-03-15

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 三好实人 ,  角谷茂明 ,  市村干也 ,  前原宗太 ,  田中光浩

IPC: C30B29/38 ,  C30B29/06 ,  H01L21/205 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/045 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供一种无裂纹的外延基板。该外延基板，在(111)取向的单晶Si的基底基板上，以(0001)结晶面与基板面大致平行的方式形成III族氮化物层组，并具有：缓冲层，交替层叠第一层叠单位和第二层叠单位而成，并且，最上部和最下部都由第一层叠单位构成；结晶层，形成在缓冲层之上，其中，第一层叠单位以交替组分不同的第一组分层和第二组分层的方式层叠，并且以越远离基底基板则第二组分层的厚度就越大的方式层叠，使得越远离基底基板就具有越大的压缩应变；所述第二层叠单位是以15nm以上且150nm以下的厚度形成的实质上无应变的中间层。