公开(公告)号：CN102870195A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201180020801.9

申请日：2011-03-29

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 三好实人 ,  角谷茂名 ,  市村干也 ,  前原宗太 ,  田中光浩

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/38 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/872 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明提供一种将硅基板作为基底基板，无裂纹且耐电压性优良的外延基板。该外延基板，在作为（111）取向的单晶硅基板上，以使（0001）结晶面与基底基板的基板面大致平行的方式形成III族氮化物层组，其中所述外延基板包括：缓冲层，具有交替层叠由AlN构成的第一组分层和由AlxGa1-xN（0≦x＜1）构成的第二组分层而成的组分调制层，结晶层，形成在缓冲层上；将第一组分层和第二组分层的层叠数分别设为n（n为2以上的自然数），并将从基底基板侧的第i个第二组分层的x的值设为x（i）时，使其x（1）≧x（2）≧···≧x（n-1）≧x（n），并且x（1）＞x（n）的方式形成，从而具有越远离基底基板越变大压缩应变。