公开(公告)号：CN114318518B

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202111665014.1

申请日：2021-12-31

Applicant: 季华实验室

Inventor： 王鑫 ,  高桑田 ,  钟新华 ,  仇礼钦 ,  盛飞龙 ,  唐卓睿 ,  戴科峰

IPC: C30B23/00 ,  C30B23/02 ,  C30B25/14 ,  C30B25/16

Abstract: 本申请涉及外延炉技术领域，具体提供了一种外延炉氢气吸收系统、方法、电子设备及存储介质，该系统包括：传送腔；存片腔，与所述传送腔连接；氢气吸收装置，设置在所述传送腔内，用于吸收所述传送腔内的氢气；氢气浓度检测装置，设置在所述传送腔内，用于采集所述传送腔内的氢气浓度信息；控制器，用于在对存片腔进行晶片上料或下料前，获取所述氢气浓度信息，还用于当所述氢气浓度信息大于或等于第一阈值时，控制所述氢气吸收装置吸收所述氢气直至所述氢气浓度信息小于第二阈值；通过氢气吸收装置吸收传送腔内的氢气，无需对反应腔执行抽真空和通入惰性气体的操作，从而有效地减少降低传送腔内的氢气浓度所需要的时间，提高外延炉的运行效率。

公开(公告)号：CN114965901A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210687606.1

申请日：2022-06-16

Applicant: 季华实验室

Inventor： 戴科峰 ,  刘自然 ,  何嵩 ,  唐卓睿 ,  吴国发

IPC: G01N33/00

Abstract: 本发明涉及半导体生产技术领域，具体公开了一种PECVD设备的清洗时间预测方法、装置、设备及介质，其中，方法包括以下步骤：在清洗PECVD设备时，获取预设采集时间内反应腔排出的尾气中的至少一种反应气体浓度变化信息和/或至少一种反应后气体浓度变化信息；基于反应气体浓度变化信息和/或反应后气体浓度变化信息，以及预设采集时间生成清洗进度函数；根据清洗进度函数生成预测时间信息和/或提醒信息；该方法基于清洗过程中反应腔排出的气体成分生成清洗进度函数，利用该清洗进度函数可快速分析出清洗工艺的进程及完成清洗的时间，使得用户能获知预测时间信息和/或提醒信息，从而实现清洗时长的准确控制。

公开(公告)号：CN114823307A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210681195.5

申请日：2022-06-15

Applicant: 季华实验室

Inventor： 刘欣然 ,  高桑田 ,  唐卓睿 ,  郭嘉杰 ,  何嵩 ,  吴国发

IPC: H01L21/263 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67 ,  C30B33/02

Abstract: 本发明涉及半导体器件制备技术领域，具体公开了一种半导体退火方法、退火装置及退火系统，其中，方法包括以下步骤：获取SiC半导体片材的表面温度信息；利用低于单晶硅的熔点温度的加热温度对SiC半导体片材进行微波加热；在表面温度信息达到预设的第一温度阈值时，对SiC半导体片材进行移动性的电子束加热，直至完成SiC半导体片材退火处理；该方法利用微波加热处理将SiC半导体片材加热到第一温度阈值能将SiC半导体片材退火处理所需温度下降至预期范围内，再利用电子束加热对SiC半导体片材进行精确的温控退火处理，能在保证退火处理效果的情况下，降低了退火处理温度、提高退火处理效率。

公开(公告)号：CN114318518A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202111665014.1

申请日：2021-12-31

Applicant: 季华实验室

Inventor： 王鑫 ,  高桑田 ,  钟新华 ,  仇礼钦 ,  盛飞龙 ,  唐卓睿 ,  戴科峰

IPC: C30B23/00 ,  C30B23/02 ,  C30B25/14 ,  C30B25/16

Abstract: 本申请涉及外延炉技术领域，具体提供了一种外延炉氢气吸收系统、方法、电子设备及存储介质，该系统包括：传送腔；存片腔，与所述传送腔连接；氢气吸收装置，设置在所述传送腔内，用于吸收所述传送腔内的氢气；氢气浓度检测装置，设置在所述传送腔内，用于采集所述传送腔内的氢气浓度信息；控制器，用于在对存片腔进行晶片上料或下料前，获取所述氢气浓度信息，还用于当所述氢气浓度信息大于或等于第一阈值时，控制所述氢气吸收装置吸收所述氢气直至所述氢气浓度信息小于第二阈值；通过氢气吸收装置吸收传送腔内的氢气，无需对反应腔执行抽真空和通入惰性气体的操作，从而有效地减少降低传送腔内的氢气浓度所需要的时间，提高外延炉的运行效率。