公开(公告)号：CN113725366A

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN202111035754.7

申请日：2021-09-06

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 王敏焕 ,  边继明

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/48

Abstract: 本发明提供一种基于聚醋酸乙烯酯钝化薄膜表面/界面缺陷的钙钛矿太阳能电池器件及其制备方法。钙钛矿太阳能电池光伏器件基本结构包括：导电衬底、电子传输层、有机‑无机杂化金属卤化物钙钛矿吸光层、界面缺陷钝化层、空穴传输层和光阳极。本发明所述的钙钛矿薄膜太阳能光伏器件，制备方法简单、成本低廉，PVA界面缺陷钝化层大幅降低了界面非辐射复合损耗、抑制了吸光层与空穴传输层界面的离子迁移和性能衰退，提升了器件的光电转换效率和长期稳定性，为高效稳定钙钛矿太阳能电池的实用化提供重要理论依据与技术支撑。

公开(公告)号：CN112993156A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202110154048.8

申请日：2021-02-04

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 唐灵芝 ,  王晨 ,  黄阳 ,  边继明 ,  杨一鸣

IPC: H01L45/00

Abstract: 一种高开关次数的柔性选通器及其制备方法，属于半导体和微电子领域，从下到上底电极、介质层、顶电极、保护层，底电极为透明柔性ITO/PEN，介质层材料为CsxFAyMA1‑x‑yPbI3‑zBrz，顶电极为Ag，保护层为Au。步骤：首先，在ITO/PEN柔性衬底的导电面上滴加CsxFAyMA1‑x‑yPbI3‑zBrz溶液，并涂抹均匀，开启匀胶机进行旋涂，在旋涂结束前滴加反溶剂氯苯使钙钛矿快速结晶；其次，100～120℃下退火处理30～50分钟后在导电面上得到卤素钙钛矿薄膜；最后，通过真空热蒸发法在钙钛矿薄膜上沉积顶电极及保护层。本发明不需要高温工艺，采用低温溶液旋涂工艺在氮气环境中进行，对设备要求简单，成本低，可用于柔性阻变阵列集成；器件开关次数高达1010次，弯曲次数高达104次，具备稳定的阈值开关选通特性和优异的抗物理弯折能力。

公开(公告)号：CN109755388B

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN201811616669.8

申请日：2018-12-28

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 黄阳 ,  王晨 ,  樊宏波 ,  郝亮 ,  边继明 ,  杨一鸣

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

Abstract: 一种基于有机/无机杂化钙钛矿材料同时实现易失和非易失的阻变存储器及其制备方法，属于半导体和微电子领域，从下到上依次是底电极、阻变层、顶电极，底电极为透明导电玻璃FTO，阻变层通过低温溶液旋涂法制得，顶电极为Ag。步骤为：首先，在FTO导电玻璃的导电面上滴加制备的钙钛矿溶液，并涂抹均匀，开启匀胶机进行旋涂，在旋涂结束前滴加反溶剂氯苯，使钙钛矿快速结晶；其次，通过退火处理在导电面上得到钙钛矿薄膜；最后，通过真空热蒸发法在钙钛矿薄膜上沉积顶电极。本发明不需要高温工艺、高真空或惰性环境，采用低温溶液旋涂工艺在干燥空气中进行，对设备要求简单，成本低；器件同时具有易失性和非易失性及其转变特征。

公开(公告)号：CN104312320A

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201410649235.3

申请日：2014-11-14

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 刘洪珠 ,  边继明 ,  张志坤

IPC: C09D131/04 ,  C09D5/32 ,  C08F218/08 ,  C08F214/24 ,  C08F218/00 ,  C08F220/18 ,  C08F220/06

CPC classification number: C09D131/04 ,  C08F218/08 ,  C08K3/22 ,  C08K2003/2296 ,  C08K2201/011 ,  C09D5/08 ,  C09D5/18 ,  C09D5/32 ,  C08F214/245 ,  C08F2218/245 ,  C08F2220/1825 ,  C08F220/06

Abstract: 本发明提供一种可吸收紫外线高透明的复合薄膜及其制备方法。所述可吸收紫外线高透明的复合薄膜由原料旋涂而成，所述原料包括：氟聚合物水分散液、占氟聚合物水分散液重量1.5％～5.0％的2,2,4-三甲基-1,3-戊二醇单异丁酸酯(醇酯十二)和占氟聚合物水分散液重量5.0％～60.0％的二水合乙酸锌。本发明复合薄膜在具有高透明度的同时还具有优异的紫外线吸收性能。本发明还公开了一种可吸收紫外线高透明的复合薄膜制备方法，该方法简单易行，能实现复合薄膜的工业化生产。本发明提供的产品在建材、织物、木器、塑料、器件封装和光伏电池背板等领域，具有广泛用的应用前景。

公开(公告)号：CN103107205A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201310018911.2

申请日：2013-01-18

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 边继明 ,  张志坤 ,  秦福文 ,  刘维峰 ,  骆英民

IPC: H01L29/94 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明涉及一种石墨衬底上的氧化锌基MOS器件。其特征是在具有高导电、导热性能的石墨衬底材料表面上，采用射频磁控溅射方法，依次生长绝缘层（如：SiO2、Ga2O3、ZnMgO、VO2或MgO）和半导体层ZnO薄膜而制得ZnO基MOS器件。通过控制射频磁控溅射功率、腔室真空度、衬底温度和后续器件退火工艺，可以实现对制得的绝缘层、半导体ZnO薄膜晶体质量的有效控制，并进而实现对ZnO基MOS器件电学性能的控制。该法工艺简单易行，成本低廉。

公开(公告)号：CN102185583A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201110062224.1

申请日：2011-03-16

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 秦福文 ,  白亦真 ,  张东 ,  吴爱民 ,  边继明

IPC: H03H9/25 ,  H03H3/02

Abstract: 本发明公开了一种AlN/GaN/自持金刚石结构SAW（声表面波器件）器件及制备方法。所说的多层膜结构SAW器件是在自持金刚石厚膜衬底和AlN薄膜之间有高C轴择优取向的纳米GaN中间层。这种AlN/GaN/自持金刚石多层膜结构SAW器件及制备方法，是在自持金刚石厚膜衬底表面首先沉积高C轴择优取向的纳米GaN中间层，然后在纳米GaN中间层上沉积高C轴择优取向的AlN薄膜。本发明有益的效果是：采取高C轴择优取向的纳米GaN薄膜作为自持金刚石和AlN薄膜之间的中间层，可得到平整光滑、结晶度好的高C轴择优取向的优质AlN薄膜。该薄膜结构可满足高频、高机电耦合系数、低损耗、大功率SAW器件等领域的应用需求。

公开(公告)号：CN100575546C

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200810010104.5

申请日：2008-01-13

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 梁红伟 ,  杜国同 ,  赵涧泽 ,  孙景昌 ,  边继明 ,  胡礼中

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

Abstract: 一种Sb掺杂制备p型ZnO薄膜方法，属于半导体掺杂技术领域，本发明涉及p型ZnO的掺杂技术，特别涉及一种采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术利用有机源作为ZnO的p型掺杂剂的掺杂技术。其特征是采用锑的金属有机物做为p型ZnO的掺杂源，利用金属有机物化学气相沉积方法制备锑掺杂p型ZnO薄膜。在衬底温度为250℃～650℃时，通过调节锑的金属有机物与锌的金属有机物源的载气流量来控制锑掺入ZnO的比例进行p型ZnO的生长。本发明的效果与益处是提供一种可工业化生产移植的金属有机物化学气相沉积方法制备高质量、可控性强的p型ZnO的生长技术，克服p型ZnO掺杂的困难，进而实现ZnO的p-n结型光电器件。

公开(公告)号：CN205508826U

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201620147905.6

申请日：2016-02-26

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 黄火林 ,  孙仲豪 ,  梁红伟 ,  夏晓川 ,  杜国同 ,  边继明 ,  胡礼中

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/10

Abstract: 本实用新型涉及半导体器件领域，提供一种具有纵向栅极结构的常关型HEMT器件，所述HEMT器件包括：层叠设置的衬底、缓冲层、i-GaN层、栅介质层和钝化层，i-GaN层一端、且背离缓冲层的一侧为阶梯形；包覆在阶梯形下层和栅介质层之间的源电极；包覆在阶梯形上层和栅介质层之间的势垒层和漏电极；包覆在栅介质层和钝化层之间的栅电极，栅电极的截面呈“Z”字形，栅电极的上平面位于阶梯形上层的上方，下平面位于阶梯形下层的上方；依次穿过钝化层和栅介质层、且与源电极接触的源电极焊盘；依次穿过钝化层和栅介质层、且与漏电极接触的漏电极焊盘。本实用新型能减小栅极开启沟道的长度，降低器件的栅极导通电阻,实现常关型操作。