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公开(公告)号：CN109166793A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201811005392.5
申请日：2018-08-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/18 , H01L21/268
Abstract: 一种利用先真空紫外光再氮等离子体两步活化直接键合铌酸锂和硅晶片的方法，属于晶圆键合技术领域。所述方法如下：将待键合的铌酸锂晶片和硅晶片置于真空紫外光光源下，在20~80%的湿度条件下活化；将真空紫外光活化后的晶片置于N2等离子体下，在10~80 Pa的压强下活化；将经两步活化后的晶片在室温下相互贴合，并将贴合后的晶片置于大气环境下存储；将存储后的晶片置于100~180°C的温度条件下保温，即完成铌酸锂和硅的直接键合。本发明的优点是：无需化学试剂对待键合晶片表面进行清洗，键合工艺简单，键合流程少；在低温下即可实现二者之间稳定可靠的高强度的直接键合，避免因二者之间巨大的热膨胀系数差异而使得键合界面开裂以及键合材料断裂现象的发生。
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公开(公告)号：CN108520854A
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201810380617.9
申请日：2018-04-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种利用紫外光活化键合叠加式放置的玻璃与其他材料的方法，所述方法步骤如下：对待键合材料的表面进行清洗→放置楔形片→放置玻璃晶片→活化待键合的晶片对→抽出楔形→手动施压完成键合。本发明通过利用紫外光能透过玻璃晶片对下方材料的待键合表面进行活化的方法，实施活化过程中的原位键合，既能减少污染物颗粒在表面的亲水性表面的吸附，也能在一定程度上降低人为因素的干扰，能够有效地提高玻璃与其他材料的键合质量，降低键合过程中的缺陷。
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公开(公告)号：CN105632902B
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201511011062.3
申请日：2015-12-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/18 , H01L21/324
Abstract: 一种利用半导体制冷片进行高低温可控晶圆键合的方法，步骤为：晶圆贴合在晶圆压头上→半导体制冷片的冷面与晶圆压头相贴合对晶圆降温→压头压力作用下进行键合→半导体制冷片的热面与晶圆压头相贴合对晶圆升温→退火。本发明一方面通过半导体制冷片的冷面，对晶圆的键合过程实施干预，以热传导的方式降低晶圆的温度，使晶圆表面附近的气体液化，然后在一定外力和水分子双重因素作用下，使原本空洞处的R‑OH通过水分子的桥接作用连接起来，以达到减少甚至根除晶圆预键合空洞的形成；另一方面通过半导体制冷片的热面，以热传导的方式升高已经键合晶圆的温度，使其在一定温度下完成退火，以达到进一步减少空洞的数量和增加晶圆键合界面强度的目的。
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公开(公告)号：CN105789070B
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201610185303.4
申请日：2016-03-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种压力可调可用于气体保护下的热压键合夹具，所述夹具包括带有弹簧上压件、弹簧、弹簧下压件、芯片固定件、筒体和锥形销，弹簧上压件具有三级凸台，弹簧下压件具有一级凸台和三级凹槽，弹簧的两端分别套在弹簧上压件的第三级凸台和弹簧下压件的一级凸台上；芯片固定件具有二级凸台和二级凹槽，其第二级凸台卡于弹簧下压件的第三级凹槽内；筒体设置有一对对称螺纹通孔和一对对称通孔，锥形销插于通孔内，筒体的两端分别与弹簧上压件的第一级凸台和芯片固定件的第一级凸台螺纹连接。本发明的夹具能够在施加压力同时为芯片表面提供气相保护氛围或表面处理作用，使得芯片与芯片的热压键合简单易行，并有效提高热压键合的质量。
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公开(公告)号：CN105904824B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201610255681.5
申请日：2016-04-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种利用水蒸气辅助及紫外光活化的被键合物键合装置及方法，所述键合装置由压力施加装置、静电发生器、活化气体供给系统，真空抽气系统、升降温控制平台及紫外光光源构成，所述键合方法为：将两个被键合样品分别吸附在上、下压头上→开启真空泵对密闭箱体抽真空→向密闭箱体内通入一定压强的氧气和水蒸汽(或氮气和水蒸汽)的混合气体→紫外光照射上、下被键合物表面一定时间→对上压头施加压力进行预键合→键合后的退火处理。本发明可以获得缺陷少的键合界面，并改善键合强度和键合质量，而且键合装置成本相对低廉，操作简单。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106492270A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201611063582.3
申请日：2016-11-28
CPC classification number: A61L27/047 , A61L27/227 , A61L27/50 , A61L2400/18 , A61L2430/02 , C08L89/00
Abstract: 本发明公开了一种用于镁合金与丝素蛋白之间连接的方法，所述方法按照以下步骤实现镁合金与丝素蛋白之间的连接：镁合金表面清洗→利用硅烷偶联剂对镁合金表面修饰→丝素蛋白溶液涂覆于镁合金表面→干燥处理。本发明实现了无机材料和有机生物大分子之间的稳定化学连接，并且连接温度较低，不会破坏丝素蛋白原有的物理化学性质。该连接方法不影响镁合金的力学性能和生物相容性，所形成的丝素蛋白包覆镁合金结构能够有效的缓解镁合金在体液或组织液中的降解。
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公开(公告)号：CN105904824A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610255681.5
申请日：2016-04-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: B32B37/1018 , B32B37/00 , B32B37/06 , B32B38/0008 , B32B2037/1063
Abstract: 本发明公开了一种利用水蒸气辅助及紫外光活化的被键合物键合装置及方法，所述键合装置由压力施加装置、静电发生器、活化气体供给系统，真空抽气系统、升降温控制平台及紫外光光源构成，所述键合方法为：将两个被键合样品分别吸附在上、下压头上→开启真空泵对密闭箱体抽真空→向密闭箱体内通入一定压强的氧气和水蒸汽(或氮气和水蒸汽)的混合气体→紫外光照射上、下被键合物表面一定时间→对上压头施加压力进行预键合→键合后的退火处理。本发明可以获得缺陷少的键合界面，并改善键合强度和键合质量，而且键合装置成本相对低廉，操作简单。
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公开(公告)号：CN118016567A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410152415.4
申请日：2024-02-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，具体而言，涉及一种原位键合装置及方法。所述装置包括主腔室、副腔室、隔离板、压头组件、真空系统、进气系统、加压系统和等离子体系统。本发明通过在主腔室内设置可移动的隔离板，从而将主腔室分隔为两个独立腔室，由此可对两个待键合样品同时且独立的进行表面活化，一方面，原位键合避免样品在大气中的转运，提高界面质量和可重复性，且缩短表面活化至键合的间隔时间，提高生产效率，另一方面，分别活化处理实现了不同待键合样品的特异性活化，有助于提高键合质量，例如两个独立腔室分别采用不同的气体进行活化，解决了原位活化键合工艺中无法对不同的待键合样品分别进行活化的问题，提高了键合质量和键合效率。
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公开(公告)号：CN116072604A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211730055.9
申请日：2022-12-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/768 , H01L21/18
Abstract: 本发明提供了一种Co/氧化物介质混合键合方法，该方法包括：将含有Co电极和氧化物介质的样品进行多元等离子活化处理，得到待键合样品，其中，所述多元等离子活化处理使用的等离子气体包括至少三种气体；将所述待键合样品对准贴合后进行热压键合，得到Co/氧化物介质混合键合样品。本发明提供的Co/氧化物介质混合键合方法，能够同时实现Co‑Co、氧化物介质‑氧化物介质及Co‑氧化物介质的无凸点混合键合，避免含有机酸的湿法清洗环节及界面有机物的残留，提升界面的可靠性，可实现微小节距下混合键合，为低延迟、低功耗、高带宽、高密度三维集成提供了技术支持。
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公开(公告)号：CN109166793B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201811005392.5
申请日：2018-08-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/18 , H01L21/268
Abstract: 一种利用先真空紫外光再氮等离子体两步活化直接键合铌酸锂和硅晶片的方法，属于晶圆键合技术领域。所述方法如下：将待键合的铌酸锂晶片和硅晶片置于真空紫外光光源下，在20~80%的湿度条件下活化；将真空紫外光活化后的晶片置于N2等离子体下，在10~80 Pa的压强下活化；将经两步活化后的晶片在室温下相互贴合，并将贴合后的晶片置于大气环境下存储；将存储后的晶片置于100~180°C的温度条件下保温，即完成铌酸锂和硅的直接键合。本发明的优点是：无需化学试剂对待键合晶片表面进行清洗，键合工艺简单，键合流程少；在低温下即可实现二者之间稳定可靠的高强度的直接键合，避免因二者之间巨大的热膨胀系数差异而使得键合界面开裂以及键合材料断裂现象的发生。
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