公开(公告)号：CN220856579U

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202322399815.9

申请日：2023-09-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王于瑄 ,  曾钲钧 ,  陈宜群 ,  林育贤 ,  陈嘉仁

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H10B10/00

Abstract: 一种半导体装置在基材上包含二种不同类型的半导体结构。半导体装置包含具有第一类型的第一半导体结构、具有第二类型的第二半导体结构、阻障结构、第二金属层及第三金属层。阻障结构设置于第一半导体结构与第二半导体结构间，且阻障结构包含第一金属层，第一金属层设置于第一半导体结构与第二半导体结构间。第二金属层设置于第一半导体结构及阻障结构的第一金属层之上，但非设置于第二半导体结构之上。第三金属层设置于第一半导体结构、第二半导体结构及阻障结构的第二金属层之上。

公开(公告)号：CN217719609U

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202221652114.0

申请日：2022-06-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 殷立炜 ,  吴昀铮 ,  潘姿文 ,  杨鈤笙 ,  林育贤 ,  陈嘉仁

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/772

Abstract: 揭示改进的栅极结构及包括改进的栅极结构的半导体装置。在实施例中，一种半导体装置包括位于半导体基板上方的栅极结构，栅极结构包括高k值介电层；位于高k值介电层上方的栅极；位于高k值介电层及栅极上方且与高k值介电层及栅极接触的导电帽，导电帽的顶表面为凸的；以及位于栅极结构的多个相对侧上的第一栅极间隙物，高k值介电层及导电帽在这些第一栅极间隙物的多个相对侧壁之间延伸。

公开(公告)号：CN222366547U

公开(公告)日：2025-01-17

申请号：CN202420548873.5

申请日：2024-03-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨鈤笙 ,  殷立炜 ,  林育贤 ,  潘姿文 ,  赵士傑 ,  梁家铭 ,  林益安 ,  陈嘉仁

IPC: H10D64/27 ,  H01L23/538

Abstract: 提供一种半导体结构，包含主动区域以及导体栅极。导体栅极覆盖于主动区域，其中导体栅极包含塞以及衬垫。塞具有上表面，上表面具有W型轮廓并定义了最低点。衬垫覆盖于上表面，其中衬垫沿着具有栅极界面区域的栅极界面接触塞，其中塞在上表面的最低点的水平剖面具有塞剖面区域，且其中栅极界面区域大于塞剖面区域。

公开(公告)号：CN221551887U

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202322288294.X

申请日：2023-08-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 殷立炜 ,  潘姿文 ,  林育贤 ,  汪于仕 ,  林益安 ,  梁家铭 ,  陈嘉仁

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体装置，包含半导体鳍片。半导体装置包含于半导体鳍片上的多个第一分隔物。半导体装置包含于半导体鳍片上的金属栅极结构，其至少被多个第一分隔物夹在中间。半导体装置包含接触金属栅极结构的栅极电极。金属栅极结构和栅极电极之间的界面具有以第一距离向半导体鳍片延伸的侧边部分和以第二距离向半导体鳍片延伸的中央部分，第一距离实质上小于第二距离。