公开(公告)号：CN222839999U

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202421582297.2

申请日：2024-07-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林子敬 ,  陈宜群 ,  林日泽

IPC: H10D30/62 ,  H10D64/27 ,  H10D62/10 ,  H10D84/85 ,  H10D84/03 ,  H10D30/01

Abstract: 本揭露的一些实施例提供半导体装置。一种半导体装置包括栅极结构、沟槽及介电材料。栅极结构形成于半导体基板上方。沟槽形成在半导体基板中且邻近于栅极结构。半导体基板在沟槽下方形成有沟槽底表面。沟槽底表面包括间隔开的多个突出部，突出部被多个凹槽分离，突出部的每一者具有最上部表面。突出部更靠近栅极结构的最上部表面位于比突出部在沟槽的中心处的最上部表面更深的深度处。介电材料位于沟槽中。

公开(公告)号：CN220984531U

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202321464415.5

申请日：2023-06-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林子敬 ,  戴振宇 ,  赖俊良 ,  洪志昌

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/762

Abstract: 一种半导体装置结构，包括基板；以及隔离结构位于基板上以及相邻的两个晶体管之间。隔离结构包括介电结构；以及绝缘材料，位于介电结构之下。绝缘材料包括上侧部分，包括第一侧壁与上表面接触介电结构；以及底部，具有第二侧壁，其中基板围绕并接触第二侧壁。绝缘材料还包括中间部分，具有第三侧壁位于第一侧壁与第二侧壁之间。半导体装置结构亦包括介电材料，接触介电结构、第一侧壁、第三侧壁、与基板。