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公开(公告)号：CN110176524A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910501546.8
申请日：2019-06-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种薄膜生长组件、方法和LED制备方法，包括靶材和保护罩，所述保护罩可拆卸地安装在所述靶材上，且所述保护罩与所述靶材形成一密闭腔体，以将所述靶材的溅射面封闭在所述密闭腔体内。本发明中，采用AlGa合金靶材在N2氛围下生长了AlGaN薄膜作为LED器件的缓冲层，与ALN缓冲层相比，采用AlGa合金靶材在衬底表面制作的AlGaN缓冲层，可以有效改善后续形成的GaN薄膜的晶格应力，提高LED器件的性能。
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公开(公告)号：CN107546302B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201710720209.9
申请日：2017-08-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种LED外延结构及其制作方法，所述LED外延结构制作方法包括：提供图形化衬底，图形化衬底包括平面区域和相对于平面区域凸起的凸起结构；在图形化衬底的平面区域外延形成缓冲层，缓冲层与凸起结构之间具有间隙。仅在图形化衬底的平面区域制作缓冲层，而图形化衬底的凸起结构上不设置缓冲层，从而避免图形化衬底的凸起结构上的缓冲层作为后续LED外延材料的成核中心，只保留沿一个方向生长的组分，避免了其他方向生长的成分，从而避免了后续晶核联接及二维生长时，引入高的应力，使得LED外延结构的晶体质量明显提升，避免了不同晶面晶核联接时产生的应力，进而解决了外延材料因应力增加导致的翘曲异常的问题。
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公开(公告)号：CN119789630A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411976980.9
申请日：2024-12-31
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H10H20/816 , H10H20/00 , H10H20/01
Abstract: 本发明提供了一种外延结构及其制作方法、LED芯片，所述外延结构通过所述第一电场调制层构建的沿生长方向的内建电场对来自所述N型半导体层的电子进行迟滞，以达到电子减速的作用的同时，还可通过所述第一电场调制层对所述V‑pits形成层中V‑pits结构在有源区的空间分布进行调控以减少漏电通道。此外，因所述第一电场调制层的内建电场方向与空穴的注入方向相反，如此通过第一电场调制层的内建电场作用，即可使空穴蓄留在V‑pits结构中，进而有效提升载流子在有源区的复合几率。
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公开(公告)号：CN118867075A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202311752585.8
申请日：2023-12-19
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光元件及其制作方法，在通过掩膜层提高材料晶体质量的同时，利用所述成核层的释电通道促进LED器件上、下表面静电荷的中和，避免静电荷在元器件表面的堆积，进而提高半导体发光元件的抗静电能力。再者，所述掩膜层与所述成核层两者的折射率具有差异以形成反射界面，形成类DBR结构，因此，光在所述掩膜层与所述成核层内可进行多次反射，最终实现半导体发光元件出光的增加。
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公开(公告)号：CN110957401B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201911366643.7
申请日：2019-12-26
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，本发明提供的发光二极管包括有复合浅量子阱，提高大电流密度下空穴的注入效率。通过第一界面调制层减缓窄阱宽垒超晶格层和窄阱窄垒超晶格层的界面处的能带弯曲，及通过第二界面调制层减缓窄阱窄垒超晶格层和多量子阱发光层的界面处的能带弯曲，降低由此引入的异质势垒高度，进而降低发光二极管的工作电压且提高发光二极管的发光效率。通过位于缺陷覆盖层来覆盖填平多量子阱发光层和复合浅量子阱上形成的V型缺陷，而有效的阻挡电流进入V型缺陷，从而有效减少V型缺陷所形成的漏电通道，使得空穴从非V型缺陷区域进入多量子阱发光层，增大空穴‑电子复合几率，最终提高了发光二极管的可靠性和发光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111403563A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010230868.6
申请日：2020-03-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种PIPN结构的发光二极管及其制备方法，该发光二极管在有源层和N型结构层之间设置了一层P型插入层，P型插入层一方面可作为电子的阻挡层，降低电子传输效率。另一方面由于P型插入层的存在，使得发光二极管由原本的PIN结构变成PIPN结构，这将大大减少整个有源层的内建电场，该内建电场的方向由N型结构层指向P型空穴供给层，即该内建电场对空穴的电场力阻碍了有源层中空穴往N型结构层方向的传输，因此对该内建电场的减弱有利于提高空穴向N型结构层方向的传输。P型插入层在这两方面的作用，可缩小电子和空穴传输效率的差异，从而使得电子和空穴在有源层中可以均匀分布，大大提高了电子和空穴的碰撞几率，进而提升辐射复合效率。
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公开(公告)号：CN110957401A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201911366643.7
申请日：2019-12-26
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，本发明提供的发光二极管包括有复合浅量子阱，提高大电流密度下空穴的注入效率。通过第一界面调制层减缓窄阱宽垒超晶格层和窄阱窄垒超晶格层的界面处的能带弯曲，及通过第二界面调制层减缓窄阱窄垒超晶格层和多量子阱发光层的界面处的能带弯曲，降低由此引入的异质势垒高度，进而降低发光二极管的工作电压且提高发光二极管的发光效率。通过位于缺陷覆盖层来覆盖填平多量子阱发光层和复合浅量子阱上形成的V型缺陷，而有效的阻挡电流进入V型缺陷，从而有效减少V型缺陷所形成的漏电通道，使得空穴从非V型缺陷区域进入多量子阱发光层，增大空穴-电子复合几率，最终提高了发光二极管的可靠性和发光效率。
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公开(公告)号：CN110212065A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910501543.4
申请日：2019-06-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种PVD溅射设备、LED器件及其制作方法，包括：提供图形化衬底；在所述衬底表面形成Al(x)CU(1-x)N缓冲层；在所述Al(x)CU(1-x)N缓冲层表面形成GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层、欧姆接触层、N电极和P电极。与AlN缓冲层相比，Al(x)CU(1-x)N缓冲层能够明显改善衬底和GaN层之间的晶格应力，提升LED器件的性能。并且，由于Al(x)CU(1-x)N缓冲层中包含CuN，因此，使得Al(x)CU(1-x)N缓冲层的稳定性变差，易于化学腐蚀，从而可以将Al(x)CU(1-x)N缓冲层作为衬底剥离时的牺牲层。
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公开(公告)号：CN108538978A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810332131.8
申请日：2018-04-13
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种可提高发光效率的LED外延结构及其生长方法，在生长InGaN/GaN多量子阱有源层过程中，在InGaN量子阱层和与该InGaN量子阱层背离衬底一侧相邻的GaN量子垒层之间生长有插入层，通过插入层覆盖保护该InGaN量子阱层，能够提高后续生长GaN量子垒层时的生长温度，同时可以显著抑制InGaN量子阱层中In组分的析出，提高InGaN量子阱层和垒层界面的平整度；并且，插入层可以作为InGaN量子阱层和GaN量子垒层之间的一层应力补偿层，抵消InGaN量子阱层和GaN量子垒层之间产生的压应力，进而降低缺陷的形成，提高有源区的辐射复合效率，进而提高LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN107546302A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710720209.9
申请日：2017-08-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种LED外延结构及其制作方法，所述LED外延结构制作方法包括：提供图形化衬底，图形化衬底包括平面区域和相对于平面区域凸起的凸起结构；在图形化衬底的平面区域外延形成缓冲层，缓冲层与凸起结构之间具有间隙。仅在图形化衬底的平面区域制作缓冲层，而图形化衬底的凸起结构上不设置缓冲层，从而避免图形化衬底的凸起结构上的缓冲层作为后续LED外延材料的成核中心，只保留沿一个方向生长的组分，避免了其他方向生长的成分，从而避免了后续晶核联接及二维生长时，引入高的应力，使得LED外延结构的晶体质量明显提升，避免了不同晶面晶核联接时产生的应力，进而解决了外延材料因应力增加导致的翘曲异常的问题。
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