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公开(公告)号：CN104485300B
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201410757801.2
申请日：2014-12-10
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明涉及一种磁性非对称型柱或核球的植球治具及植球方法，其特征是：包括托盘和吸头，托盘的上部和吸头下部分别呈开口状，托盘的下部和吸头的上部分别设置抽真空口，在托盘内固定下模，在吸头内固定上模；在所述下模和托盘的下部之间形成第一真空腔，在上模和吸头的上部之间形成第二真空腔，第一真空腔和第二真空腔分别与抽真空口连通，抽真空口分别连接真空装置；在所述下模上表面设置第一BGA点阵孔，在上模下表面设置第二BGA点阵孔，第一BGA点阵孔与第一真空腔连通，第二BGA点阵孔与第二真空腔连通，第一BGA点阵孔与第二BGA点阵孔呈上下映射；所述托盘与振动装置连接，托盘和吸头一侧分别设置电磁装置。本发明实现了非对称型柱或核球的植球，锡球或锡柱在高度方向达到使用需求，有效减小植球间距。
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公开(公告)号：CN104241210A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410515638.9
申请日：2014-09-29
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
CPC classification number: H01L21/568 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/24195 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/83132 , H01L2224/9222 , H01L2224/92244 , H01L2924/19105
Abstract: 本发明公开了一种低成本超薄扇出型封装结构及其制作方法，在芯片的周围填充第一绝缘树脂层，在第一绝缘树脂层与芯片的上表面设有第二绝缘树脂层，在第二绝缘树脂层的上表面设有第三绝缘树脂层，在第三绝缘树脂层上设有导电球，在芯片的上表面设有导通盘，在导通盘上连接有导电线路，导电线路位于第二绝缘树脂层表面或内部，导电线路的另一端与导电球相连，在第一绝缘树脂层与芯片的下表面设有保护膜。本发明可以使用低成本绝缘树脂作为芯片间的填充材料，有利于降低产品成本；本发明可以使用超薄芯片，有效控制封装后的整体厚度。本发明的制备方法具有步骤较少、简单易行等优点。
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公开(公告)号：CN103972218A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410172998.3
申请日：2014-04-26
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/64 , H01L23/498 , H01L25/00 , H01L21/48
CPC classification number: H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/24195 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及一种集成无源器件扇出型晶圆级封装结构及制作方法，包括模塑料体和芯片；其特征是：在所述模塑料体中设置螺旋形金属布线层，模塑料体正面设置绝缘层，绝缘层中布置金属导线层，金属导线层连接芯片的电极和金属布线层，在金属导线层上设置焊球。所述封装结构的制作方法，采用以下步骤：（1）芯片塑封于模塑料体中；（2）模塑料体正面开设螺旋形槽体，在槽体中制作金属布线层；（3）模塑料体正面制作绝缘层，在绝缘层上开设窗口，在绝缘层表面制作金属层，并刻蚀成所需图形，得到金属导线层；（4）在金属导线层上制作绝缘层，在绝缘层上开设窗口，在窗口中制作焊球。本发明缩短芯片与被动器件之间的电学连接长度，提升了电学品质。
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公开(公告)号：CN103904056A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410129743.9
申请日：2014-04-02
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L23/31 , H01L21/768 , H01L21/56
CPC classification number: H01L21/568 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及一种PoP封装结构及制造工艺，特征是，在扇出型封装单元制作时，采用芯片面朝下的工艺流程，通过在载片上先制作一层金属层，然后芯片面朝下贴放于金属层的开槽内，从而增强扇出型晶圆级封装的刚性和热胀系数，使得整个晶圆的翘曲以及因塑封料涨缩引起的滑移、错位等得到控制。塑封以后在背面开孔，填充金属，形成金属柱与金属层形成电互连，并且在金属柱上端制作RDL层（再布线层），最后制作UBM、置球，形成单颗扇出型封装单元体。这样的封装单元可以通过封装单元背面的电极和其它封装体连接，形成多层PoP封装。
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公开(公告)号：CN103887291A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410131461.2
申请日：2014-04-02
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L23/31 , H01L21/98
CPC classification number: H01L25/105 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2224/94 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/18162 , H01L2224/03 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及一种三维扇出型PoP封装结构及制造工艺，采用芯片正面朝上的工艺，在载片上制作金属层，按芯片排列位置开槽并按需要制作与其它封装单元互连的电极。塑封后在芯片正面进行重布线层制作，把芯片的焊盘进行扇出，形成第一层芯片电路。重复芯片正面朝上的工艺制作第二层芯片，在第一个封装单元上粘贴芯片和金属层，形成与上一封装单元的连接；再进行塑封、钻孔、填充金属，在第二层芯片上进行RDL制作；重复堆叠工艺形成多层芯片的堆叠，或在RDL层上制作凸点下金属层、植球；植球后将载片去除，在第一层芯片的背面制作背面再布线层，得到封装单元，封装单元进行堆叠，形成PoP封装结构。本发明可以有效改善翘曲和塑封材料涨缩引起的滑移错位。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103560125A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310542882.X
申请日：2013-11-05
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/552 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/16225
Abstract: 本发明提供一种三维柔性基板电磁屏蔽封装结构，包括一柔性基板，在所述柔性基板中预置有一层金属屏蔽层；在柔性基板中开有贯通柔性基板正反面的导通孔，所述导通孔中填充有金属导电材料，通过导通孔中的金属导电材料，导通孔电连接金属屏蔽层以及柔性基板的正反面上的接地焊盘。需屏蔽芯片贴装在柔性基板正反面中的一个面上，需屏蔽芯片上的接地凸点与需屏蔽芯片所在面上的接地焊盘互连。将柔性基板贴装有需屏蔽芯片的那一面向内折弯，形成左右两个U型屏蔽部，左右两个U型屏蔽部的柔性基板中的金属屏蔽层将需屏蔽芯片完全包覆在内。本发明用于形成良好的电磁屏蔽封装结构，封装后结构尺寸小，封装密度高。
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公开(公告)号：CN103346131A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310258430.9
申请日：2013-06-25
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2225/0651 , H01L2225/06568 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/1088 , H01L2924/15153 , H01L2924/15159 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种细间距POP式封装结构和封装方法，通过在上下基板上开设凹槽，将下基板的芯片封装在凹槽对应的区域内，使得上下基板之间的间距被大大缩短，如此一来，能够使得原本需要大于芯片封装厚度的焊球尺寸被缩减，从而大大减少该焊球间的间距。与现有技术相比，本发明的技术方案结构简单，易于制作，且由于避免了破坏性打孔，使得产品的品质得到提升。
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公开(公告)号：CN103887279B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201410131896.7
申请日：2014-04-02
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L23/31 , H01L21/768 , H01L21/56
CPC classification number: H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/32145 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2224/94 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/00 , H01L2224/03 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及一种三维扇出型晶圆级封装结构及制造工艺，其特征是：采用芯片正面朝上的工艺，在载片上制作金属层，按芯片的排列位置开槽并按需要制作与其它封装单元互连的电极，改变扇出型晶圆级封装内部结构，增强刚性和热胀系数，改善整个晶圆的翘曲以及滑移、错位。塑封后在芯片正面进行重布线层制作，把芯片的焊盘进行扇出，形成第一层芯片电路。然后制作第二层芯片，重复芯片正面朝上的工艺，在第一个封装单元上表面粘贴芯片和金属层，形成与上一封装单元的连接；然后进行塑封工艺、钻孔、填充金属，再在第二层芯片上进行RDL制作；最后重复堆叠工艺形成多层芯片的堆叠，或在RDL层上制作凸点下金属层，形成完整的三维封装结构。
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公开(公告)号：CN103887291B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410131461.2
申请日：2014-04-02
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L23/31 , H01L21/98
CPC classification number: H01L25/105 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2224/94 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/18162 , H01L2224/03 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及一种三维扇出型PoP封装结构及制造工艺，采用芯片正面朝上的工艺，在载片上制作金属层，按芯片排列位置开槽并按需要制作与其它封装单元互连的电极。塑封后在芯片正面进行重布线层制作，把芯片的焊盘进行扇出，形成第一层芯片电路。重复芯片正面朝上的工艺制作第二层芯片，在第一个封装单元上粘贴芯片和金属层，形成与上一封装单元的连接；再进行塑封、钻孔、填充金属，在第二层芯片上进行RDL制作；重复堆叠工艺形成多层芯片的堆叠，或在RDL层上制作凸点下金属层、植球；植球后将载片去除，在第一层芯片的背面制作背面再布线层，得到封装单元，封装单元进行堆叠，形成PoP封装结构。本发明可以有效改善翘曲和塑封材料涨缩引起的滑移错位。
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公开(公告)号：CN103904057B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201410129744.3
申请日：2014-04-02
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L23/31 , H01L21/768 , H01L21/56
CPC classification number: H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/73267 , H01L2224/94 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/00 , H01L2224/03 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及一种PoP封装结构及制造工艺，其特征是，在扇出型封装单元制作时，采用芯片正面朝上的工艺流程，通过在载片上制作金属层，然后按芯片的排列位置开槽并且按设计需要制作与其它封装单元互连的电极，从而改变扇出型晶圆级封装的内部结构，增强其刚性和热胀系数，使得整个晶圆的翘曲以及因塑封料涨缩引起的滑移、错位得到控制。塑封以后在背面开孔，填充金属，与之前金属层形成的电极形成互连，并且金属层在去掉载片和粘胶层后在塑封材料背面露出，可制作金属焊垫。这样的封装单元可以通过封装单元背面的金属焊垫和其它封装单元连接，形成多层PoP封装结构成。
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