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公开(公告)号：CN1209808C
公开(公告)日：2005-07-06
申请号：CN03104783.1
申请日：2003-02-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种体硅MEMS器件集成化方法。本方法包含集成电路加工(可在任何集成电路生产线上完成)、MEMS器件结构加工和集成化三部分。将复杂的集成化工艺技术分解为三个独立的工艺部分部分，集成电路加工(可在任何集成电路生产线上完成)、MEMS器件结构加工和集成化。具有工艺简单、成品率高、适用于多种MEMS器件的加工、同时具有芯片级封装的功能，解决了目前MEMS技术发展中芯片级封装和集成化两大难题，而且还充分利用了加工技术的社会资源。由于这项技术能够满足多种器件加工的需求，因此也可以说是一种MEMS标准工艺。利用这种简单实用的标准工艺来实现各种功能的MEMS器件，给MEMS技术的发展带来革命性的变化和发展。可广泛应用与MEMS技术领域。
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公开(公告)号：CN1540386A
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN03127940.6
申请日：2003-04-25
Applicant: 北京大学
IPC: G02B26/08 , H01L21/027 , G03F7/00
Abstract: 本发明公开了一种加工制造微电子机械系统元器件的方法，目的是提供一种能够满足不同用户、不同器件加工需求、适用于微电子机械系统(MEMS)的元器件加工制造方法。本发明的技术方案为：一种元器件的制造方法，包括下述步骤中的至少二个：1)压阻制备；2)薄膜制备；3)薄膜穿通释放。本发明提出的适用于微电子机械系统(MEMS)的可分段使用的硅薄膜压阻器件制造方法，为实现MEMS技术研究向分工合作的专业化发展奠定了坚实的基础。由于它具有分段使用、可裁剪的特点，因此可以让更多的人更专业的进入MEMS领域，不同的用户可以根据自己的需求截取所需步骤。这种加工制造方法的提出和标准工艺的开发将给MEMS技术的发展带来革命性的变化和发展。
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公开(公告)号：CN117653021A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202211057230.2
申请日：2022-08-31
Applicant: 北京大学第一医院 , 灵犀云医学科技(北京)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种PICU癫痫发作的检测系统及存储介质，其存储介质上存储程序，所述程序被处理器执行时实现以下步骤：实时采集癫痫受试者的脑电信号数据、心电信号数据以及肌电信号数据；将所述脑电信号数据分割成多个脑电信号数据片段，并通过对每个脑电信号数据片段分别进行检测，得到可疑癫痫脑电信号数据片段；根据可疑癫痫脑电信号数据片段，获取心电信号数据片段和肌电信号数据片段，并通过对所述可疑癫痫脑电信号数据片段、心电信号数据片段和肌电信号数据片段分别进行特征提取，得到脑电可疑片段特征、心电可疑片段特征以及肌电可疑片段特征；并利用其检测所述可疑癫痫脑电信号数据片段是否为真实癫痫发作片段。
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公开(公告)号：CN114613873A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210113905.4
申请日：2022-01-30
Applicant: 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京大学 , 北京交通大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/18
Abstract: 本公开提供一种晶体管型光电探测器，包括：第一电极；第二电极，第二电极与第一电极间隔开；沟道层，沟道层至少设置在第一电极与第二电极之间；光敏层，光敏层设计为p‑i‑n异质结结构，光敏层的材料由需要探测的波段所决定；以及介质层，介质层设置沟道层与光敏层之间。本公开还提供了一种晶体管型光电探测器及其制备方法。
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公开(公告)号：CN101922008B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010232641.1
申请日：2010-07-16
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种硅的腐蚀深度实时监控方法，属于微电子机械系统加工工艺技术领域。本发明方法在相同条件下对硅腐蚀片和用于监控硅腐蚀片的腐蚀深度的硅陪片同时进行腐蚀，所述硅陪片包括位于硅陪片表面的腐蚀凹槽，位于腐蚀凹槽底面的腐蚀面，和位于腐蚀凹槽侧面的监控面，所述腐蚀面和监控面的晶向相同，所述腐蚀凹槽中盛放腐蚀液，腐蚀液浸没所述腐蚀面，所述监控面，以及所述监控面和所述表面相交的监控线，在腐蚀过程中或腐蚀过程后，通过所述监控线的位移确定所述腐蚀深度。本发明可用于微电子机械系统加工工艺。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101540292B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200910081512.4
申请日：2009-04-10
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/66 , G01L1/06 , H01L29/772
Abstract: 本发明提供了一种场效应晶体管侧墙的应力测试方法，属于场效应晶体管制备技术领域。该方法包括：在衬底上制备台阶，形成栅结构；在栅结构上制备氮化硅或氧化硅，各向异性刻蚀形成侧墙结构；定义释放区域，释放侧墙，形成纳米梁结构；利用纳米梁结构的材料杨氏模量、材料波松比和厚度，通过测得纳米梁的弯曲曲率半径、弯曲前的长度和弯曲后的长度，分别得到释放前纳米梁中轴应力和纳米梁释放前沿厚度方向的应力梯度，从而得到侧墙的应力。本发明解决了应变硅器件研究中侧墙结构应力无法测到的问题，有利于提高集成电路设计能力。
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公开(公告)号：CN101922008A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010232641.1
申请日：2010-07-16
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种硅的腐蚀深度实时监控方法，属于微电子机械系统加工工艺技术领域。本发明方法在相同条件下对硅腐蚀片和用于监控硅腐蚀片的腐蚀深度的硅陪片同时进行腐蚀，所述硅陪片包括位于硅陪片表面的腐蚀凹槽，位于腐蚀凹槽底面的腐蚀面，和位于腐蚀凹槽侧面的监控面，所述腐蚀面和监控面的晶向相同，所述腐蚀凹槽中盛放腐蚀液，腐蚀液浸没所述腐蚀面，所述监控面，以及所述监控面和所述表面相交的监控线，在腐蚀过程中或腐蚀过程后，通过所述监控线的位移确定所述腐蚀深度。本发明可用于微电子机械系统加工工艺。
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公开(公告)号：CN101540292A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200910081512.4
申请日：2009-04-10
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/66 , G01L1/06 , H01L29/772
Abstract: 本发明提供了一种场效应晶体管侧墙应力的测试方法，属于场效应晶体管制备技术领域。该方法包括：在衬底上制备台阶，形成栅结构；在栅结构上制备氮化硅或氧化硅，各向异性刻蚀形成侧墙结构；定义释放区域，释放侧墙，形成纳米梁结构；利用纳米梁结构的材料杨氏模量、材料波松比和厚度，通过测得纳米梁的弯曲曲率半径、弯曲前的长度和弯曲后的长度，分别得到释放前纳米梁中轴应力和纳米梁释放前沿厚度方向的应力梯度，从而得到侧墙的应力。本发明解决了应变硅器件研究中侧墙结构应力无法测到的问题，有利于提高集成电路设计能力。
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公开(公告)号：CN101502659A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200910078713.9
申请日：2009-03-02
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了krüppel样转录因子KLF4的新用途。该用途为krüppel样转录因子4蛋白的编码基因在制备用于治疗血管内膜增生的药物中的应用。本发明公开的一种以krüppel样转录因子4蛋白或其编码基因为靶点的用于治疗血管内膜增生的药物，其活性成分为使krüppel样转录因子4过表达的microRNA或siRNA、或含有krüppel样转录因子4蛋白的编码基因的重组载体。实验证明，本发明的应用方法或药物可以有效的抑制血管平滑肌细胞的增殖，从而抑制血管内膜的增生，抑制效果非常明显，因此，本发明方法及药物在治疗血管内膜增生领域具有广阔的应用前景。
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