公开(公告)号：CN101540292B

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200910081512.4

申请日：2009-04-10

Applicant: 北京大学

Inventor： 陈会军 ,  张大成 ,  李婷 ,  罗葵 ,  田大宇 ,  李静 ,  王颖

IPC: H01L21/66 ,  G01L1/06 ,  H01L29/772

Abstract: 本发明提供了一种场效应晶体管侧墙的应力测试方法，属于场效应晶体管制备技术领域。该方法包括：在衬底上制备台阶，形成栅结构；在栅结构上制备氮化硅或氧化硅，各向异性刻蚀形成侧墙结构；定义释放区域，释放侧墙，形成纳米梁结构；利用纳米梁结构的材料杨氏模量、材料波松比和厚度，通过测得纳米梁的弯曲曲率半径、弯曲前的长度和弯曲后的长度，分别得到释放前纳米梁中轴应力和纳米梁释放前沿厚度方向的应力梯度，从而得到侧墙的应力。本发明解决了应变硅器件研究中侧墙结构应力无法测到的问题，有利于提高集成电路设计能力。

公开(公告)号：CN101540292A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200910081512.4

申请日：2009-04-10

Applicant: 北京大学

Inventor： 陈会军 ,  张大成 ,  李婷 ,  罗葵 ,  田大宇 ,  李静 ,  王颖

IPC: H01L21/66 ,  G01L1/06 ,  H01L29/772

Abstract: 本发明提供了一种场效应晶体管侧墙应力的测试方法，属于场效应晶体管制备技术领域。该方法包括：在衬底上制备台阶，形成栅结构；在栅结构上制备氮化硅或氧化硅，各向异性刻蚀形成侧墙结构；定义释放区域，释放侧墙，形成纳米梁结构；利用纳米梁结构的材料杨氏模量、材料波松比和厚度，通过测得纳米梁的弯曲曲率半径、弯曲前的长度和弯曲后的长度，分别得到释放前纳米梁中轴应力和纳米梁释放前沿厚度方向的应力梯度，从而得到侧墙的应力。本发明解决了应变硅器件研究中侧墙结构应力无法测到的问题，有利于提高集成电路设计能力。