公开(公告)号：CN106783984B

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN201611026227.9

申请日：2016-11-22

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国网上海市电力公司 ,  国家电网公司

发明人： 崔磊 ,  潘艳 ,  温家良 ,  金锐 ,  吴迪 ,  徐哲 ,  朱涛 ,  和峰 ,  高明超 ,  赵哿 ,  王耀华 ,  刘江

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

摘要： 本发明提供了一种双面终端结构、逆导型半导体器件及其制备方法，所述双面终端结构包括衬底、设置在衬底上表面的正面终端区和设置在衬底下表面的背面终端区，该背面终端区包括多个间断的第一导电离子掺杂区；所述逆导型半导体器件包括上述双面终端结构。与现有技术相比，本发明提供的一种双面终端结构、逆导型半导体器件及其制备方法，其终端结构可以在终端面积一定的情况下提高终端的整体耐压，提高终端结构的效率，其背面终端工艺与逆导型IGBT具有一定的兼容性。

公开(公告)号：CN107768260B

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201610701963.3

申请日：2016-08-22

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网河北省电力公司

发明人： 温家良 ,  吴迪 ,  金锐 ,  刘钺杨 ,  何延强 ,  徐哲 ,  潘艳

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

摘要： 本发明提供了一种平面终端钝化方法及半导体功率器件，所述方法包括在半导体功率器件上顺次淀积介质层、玻璃钝化层和聚酰亚胺保护层，形成多层复合钝化层；半导体功率器件采用上述方法制造。与现有技术相比，本发明提供的一种平面终端钝化方法及半导体功率器件，采用多层复合钝化层可以提高半导体功率器件的密封性，阻挡有害杂质离子向衬底表面扩散，同时采用玻璃钝化层可以降低对聚酰亚胺保护层的厚度和膨胀系数的要求，使得半导体功率器件工作于高温坏境时具有较高机械性能，不易发生脱落。

公开(公告)号：CN108615677A

公开(公告)日：2018-10-02

申请号：CN201611125727.8

申请日：2016-12-09

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司

发明人： 刘江 ,  温家良 ,  金锐 ,  王耀华 ,  高明超 ,  赵哿 ,  李立 ,  冷国庆 ,  崔磊 ,  朱涛 ,  甘朝阳

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/739

摘要： 本发明提供了一种金属电极制备方法及平面栅型压接式IGBT，所述制备方法包括在衬底上预设的多个压力接触区对应的第一金属层上淀积第二金属层，形成金属电极；所述平面栅型压接式IGBT采用上述方法制备。与现有技术相比，本发明提供的一种金属电极制备方法及平面栅型压接式IGBT，在压力接触区上淀积两层金属，可以消除衬底中沟道区承受的压力，进而消除压力对功率器件的影响。

公开(公告)号：CN108022972A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201610943892.8

申请日：2016-11-02

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司

发明人： 徐哲 ,  温家良 ,  金锐 ,  王耀华 ,  刘江 ,  赵哿 ,  高明超 ,  崔磊 ,  潘艳

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L21/331 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/7393 ,  H01L21/28 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/66325

摘要： 本发明提供了一种低通态压降IGBT及其控制方法、制造方法，所述低通态压降IGBT包括栅极、发射极、控制电极和集电极；栅极、发射极和控制电极淀积在N型衬底的有源区；集电极淀积在N型衬底的P+集电区上；所述控制方法包括依据低通态压降IGBT的控制状态确定其工作模式。与现有技术相比，本发明提供的一种低通态压降IGBT及其控制方法、制造方法，通过控制电极的电压值有效抑制空穴流通，从而增加空穴在N‑区的存储量降低IGBT的通态损耗。

公开(公告)号：CN107768260A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201610701963.3

申请日：2016-08-22

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网河北省电力公司

发明人： 温家良 ,  吴迪 ,  金锐 ,  刘钺杨 ,  何延强 ,  徐哲 ,  潘艳

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/291 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3192

摘要： 本发明提供了一种平面终端钝化方法及半导体功率器件，所述方法包括在半导体功率器件上顺次淀积介质层、玻璃钝化层和聚酰亚胺保护层，形成多层复合钝化层；半导体功率器件采用上述方法制造。与现有技术相比，本发明提供的一种平面终端钝化方法及半导体功率器件，采用多层复合钝化层可以提高半导体功率器件的密封性，阻挡有害杂质离子向衬底表面扩散，同时采用玻璃钝化层可以降低对聚酰亚胺保护层的厚度和膨胀系数的要求，使得半导体功率器件工作于高温坏境时具有较高机械性能，不易发生脱落。

公开(公告)号：CN107305909A

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201610262790.X

申请日：2016-04-25

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网上海市电力公司

发明人： 李晓平 ,  潘艳 ,  温家良 ,  金锐 ,  刘江 ,  赵哿 ,  高明超 ,  王耀华 ,  李立

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08

CPC分类号： H01L29/7393 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/66325

摘要： 本发明提供一种逆导型IGBT背面结构及其制备方法。本发明通过在缓冲层和集电极之间增加低浓度掺杂的半导体层形成高阻区，此结构可有效抑制逆导型IGBT器件的电压回跳现象，同时减小集电极PN结的内建电势，提高集电极的注入效率，减小IGBT工作模式下的导通压降，降低逆导型IGBT器件正向导通损耗，显著的降低功耗。本发明提供的技术方案能实现生产线上连续生产，操作简单，实用性强，生产成本低。

公开(公告)号：CN107256885A

公开(公告)日：2017-10-17

申请号：CN201710524879.3

申请日：2017-06-30

申请人： 北京工业大学 ,  全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网河北省电力公司

发明人： 吴郁 ,  郭勇 ,  金锐 ,  郭晨 ,  李立 ,  李彭 ,  刘晨静

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/331 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L29/0649 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7393

摘要： 本发明提供了一种高可靠性绝缘栅双极晶体管(IGBT)，包括N型单晶硅衬底，位于衬底上表面的P阱，P阱深度不小于P阱结深的隔离槽及槽底氧化层，相邻隔离槽之间的浮空P阱，紧靠P阱上表面的N+源区，位于N+源区下方且与隔离槽相邻的P+浅阱，位于衬底上表面的栅氧化层，位于两P阱之间的厚度大于栅氧化层的颈区氧化层，颈区氧化层上表面依次设有二氧化硅层、多晶硅层、介质层，跨越并暴露N+源区和P+浅阱并与相邻隔离槽交叠的发射极和发射极接触孔槽，位于衬底下表面的掺杂层和集电极，在常规的自对准平面型IGBT结构基础上，加入隔离槽及槽底局域氧化层结构，改善了IGBT器件的整体性能，使之成为具有抗辐射能力的高可靠性IGBT。

公开(公告)号：CN106783984A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611026227.9

申请日：2016-11-22

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国网上海市电力公司 ,  国家电网公司

发明人： 崔磊 ,  潘艳 ,  温家良 ,  金锐 ,  吴迪 ,  徐哲 ,  朱涛 ,  和峰 ,  高明超 ,  赵哿 ,  王耀华 ,  刘江

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/7395 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/66333

摘要： 本发明提供了一种双面终端结构、逆导型半导体器件及其制备方法，所述双面终端结构包括衬底、设置在衬底上表面的正面终端区和设置在衬底下表面的背面终端区，该背面终端区包括多个间断的第一导电离子掺杂区；所述逆导型半导体器件包括上述双面终端结构。与现有技术相比，本发明提供的一种双面终端结构、逆导型半导体器件及其制备方法，其终端结构可以在终端面积一定的情况下提高终端的整体耐压，提高终端结构的效率，其背面终端工艺与逆导型IGBT具有一定的兼容性。

公开(公告)号：CN105820338A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201610262796.7

申请日：2016-04-25

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网河北省电力公司 ,  中国科学院长春应用化学研究所

发明人： 朱丹阳 ,  李立 ,  金锐 ,  刘江 ,  吴迪 ,  张春华 ,  杨正华

IPC分类号： C08G73/10 ,  G03F7/039

CPC分类号： C08G73/1067 ,  C08G73/1007 ,  C08G73/106 ,  G03F7/039

摘要： 本发明提供一种聚酰亚胺及其制备方法，本发明通过将具有非平面且有两个羟基的2,2’?二羟基?7,7’?二氨基?9,9’?螺双芴单体结构引入到聚合物中，合成出新型可溶性聚酰亚胺，再与光敏剂进行配伍得到高精度高稳定性光敏聚酰亚胺。该结构的树脂经曝光后光照部分更易溶解在碱性显影液中，从而显著缩短了显影时间及减少胶膜的损失，同时大幅度提高了图形的分辨度；该结构的树脂收缩率更低，能更好地与胶膜支撑面相匹配；光刻效果优异；并且在显影后进行高温处理时，本发明提供的聚酰亚胺更易于发生交联，从而显著提高胶膜的机械性能。本发明提供的制备方法，不仅缩短了生产周期、降低了生产成本，且有利于规模化生产。

公开(公告)号：CN107256885B

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN201710524879.3

申请日：2017-06-30

申请人： 北京工业大学 ,  全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网河北省电力公司

发明人： 吴郁 ,  郭勇 ,  金锐 ,  郭晨 ,  李立 ,  李彭 ,  刘晨静

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/331 ,  H01L29/739

摘要： 本发明提供了一种高可靠性绝缘栅双极晶体管(IGBT)，包括N型单晶硅衬底，位于衬底上表面的P阱，P阱深度不小于P阱结深的隔离槽及槽底氧化层，相邻隔离槽之间的浮空P阱，紧靠P阱上表面的N+源区，位于N+源区下方且与隔离槽相邻的P+浅阱，位于衬底上表面的栅氧化层，位于两P阱之间的厚度大于栅氧化层的颈区氧化层，颈区氧化层上表面依次设有二氧化硅层、多晶硅层、介质层，跨越并暴露N+源区和P+浅阱并与相邻隔离槽交叠的发射极和发射极接触孔槽，位于衬底下表面的掺杂层和集电极，在常规的自对准平面型IGBT结构基础上，加入隔离槽及槽底局域氧化层结构，改善了IGBT器件的整体性能，使之成为具有抗辐射能力的高可靠性IGBT。