公开(公告)号：CN104115255A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201280067455.4

申请日：2012-12-26

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 小林德弘 ,  石塚徹 ,  阿贺浩司

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/2253 ,  H01L21/2255 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/3247

Abstract: 本发明是一种贴合SOI晶片的制造方法，该贴合SOI晶片的制造方法其特征在于，对于利用离子注入剥离法所得到的剥离后的贴合SOI晶片进行RTO处理，去除通过该RTO处理而形成于上述SOI层表面的氧化膜之后，进行使上述SOI层表面的硅原子产生迁移的平坦化热处理，而使上述SOI层表面平坦化，其后，进行牺牲氧化处理而调整上述SOI层的膜厚。由此，提供一种贴合SOI晶片的制造方法，该贴合SOI晶片的制造方法能够有效地制造具有充分降低了SOI层表面的表面粗糙度且减少了SOI层表面的较深的凹坑的高质量的SOI层的SOI晶片。

公开(公告)号：CN103918058A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201280045093.9

申请日：2012-08-21

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 横川功 ,  阿贺浩司 ,  水泽康

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L22/12 ,  G01B11/306 ,  G01B21/20 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76256 ,  H01L22/20

Abstract: 本发明是一种计算贴合SOI晶片的翘曲的方法，就该贴合SOI晶片而言，在键合晶片和衬底晶片中的任一方表面或在其双方表面形成热氧化膜，并通过该热氧化膜将上述键合晶片和上述衬底晶片贴合之后使上述键合晶片薄膜化，由此制作由上述衬底晶片上的BOX层和该BOX层上的SOI层构成的构造的外延生长用SOI晶片，并使外延层生长而制作上述贴合SOI晶片，上述计算贴合SOI晶片的翘曲的方法其特征在于，假想上述外延生长用SOI晶片是具有与上述键合晶片的掺杂剂浓度相同的掺杂剂浓度的单晶硅晶片，计算在该假想单晶硅晶片进行外延生长时所产生的翘曲A，并计算起因于上述外延生长用SOI晶片的上述BOX层的厚度的翘曲B，进而将上述贴合之前的衬底晶片的翘曲的实测值设为翘曲C，将这些翘曲的总合（A+B+C）作为上述贴合SOI晶片的翘曲而计算。由此，提供一种预先计算贴合SOI晶片的翘曲的方法，进而提供一种通过使用该计算方法制造具有所期望的翘曲的贴合SOI晶片的方法。

公开(公告)号：CN100419960C

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN03818188.6

申请日：2003-07-16

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 阿贺浩司 ,  三谷清

IPC: H01L21/265 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/265 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76254

Abstract: 为了对应所需的SOI层(5)的厚度，调整上述结合单晶硅薄膜(15)的厚度，通过离子注入的能量，调整上述剥离用离子注入层形成步骤中的剥离用离子注入层(4)的由离子注入表面(J)开始的形成深度(d1+tx)。然后，上述剥离用离子注入层(4)由离子注入表面(J)开始的形成深度越小，上述离子注入的剂量设定得越小。如果剂量减小，则剥离面的面粗糙度也减小，可将平坦化步骤的结合单晶硅薄膜的剥离面的研磨量设定得较小。其结果是，在形成较薄的SOI层的时候，可提高SOI层的膜厚度均匀性。由此，提供下述SOI晶片的制造方法，该方法即使在SOI层的要求膜厚的等级非常小的情况下，仍可将晶片内的膜厚均匀性和晶片之间的膜厚度均匀性这两者减小到足够小的程度。

公开(公告)号：CN1502135A

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN02807889.6

申请日：2002-03-29

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 阿贺浩司 ,  三谷清

IPC: H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 本发明提供一种SOI晶片及其制造方法，该SOI晶片是利用离子注入剥离法所制作的SOI晶片，其特征为：发生在SOI晶片边缘部的基片表面外露的平台部的SOI岛区域宽度小于1mm，而且利用LPD检查所检测出的存在于SOI层表面的尺寸为0.19μm以上的凹坑状缺陷的密度，在1counts/cm2以下。因此，可提供一种利用离子注入剥离法所制作的SOI晶片，抑制剥离时所发生的SOI岛的产生，并且降低SOI晶片表面所存在的LPD缺陷密度的SOI晶片及其制造方法，而且可减少器件不良。

公开(公告)号：CN118414455A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202280079606.1

申请日：2022-10-31

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 萩本和德 ,  菅原孝世 ,  久保埜一平 ,  阿贺浩司 ,  石塚彻

IPC: C30B29/38 ,  C30B33/06 ,  C30B25/18 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明是一种电子器件用基板，其在单晶硅的结合基板上形成有氮化物半导体膜，所述结合基板是由晶面方位为{111}的第一单晶硅基板与晶面方位为{100}的第二单晶硅基板经由氧化膜结合而成的基板，所述第一基板在 方向上形成有缺口，所述第二基板在 方向或 方向上形成有缺口，所述第一基板的 方向与所述第二基板的 方向在‑15°～15°的角度范围内结合，在所述结合基板的所述第一基板的表面上形成有所述氮化物半导体膜。由此，提供一种破坏强度较高的电子器件用基板及其制造方法，该电子器件用基板在单晶硅上形成有氮化物半导体，并且抑制滑移、破裂等的发生。

公开(公告)号：CN109314040B

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN201780032865.8

申请日：2017-04-25

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 小林徳弘 ,  阿贺浩司

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

Abstract: 公开了一种通过彼此贴合其间具有绝缘膜的接合晶圆和基底晶圆而制造贴合式SOI晶圆的方法，所述接合晶圆和基底晶圆每个由单晶硅制成。所述方法包括：在基底晶圆贴合面侧堆积多晶硅层的步骤；研磨多晶硅层表面而得到研磨面的步骤；在研磨面形成热氧化膜的步骤；在接合晶圆贴合面形成绝缘膜的步骤；通过彼此粘合绝缘膜及热氧化膜而彼此贴合接合晶圆及基底晶圆的贴合步骤；薄膜化经贴合的接合晶圆而将SOI层形成薄膜的步骤，其中用电阻率100Ω·cm或以上的单晶硅晶圆作为基底晶圆，形成于研磨面的热氧化膜厚度为15nm或以上，形成于研磨面的热氧化膜表面的RMS为0.6nm或以下，贴合步骤后进行的热处理的最高处理温度为1150℃以下。从而，提供了贴合式SOI晶圆的制造方法，其中通过抑制来自贴合交界面的硼污染的影响，抑制高电阻基板的电阻率降低。

公开(公告)号：CN105283943B

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201480032979.9

申请日：2014-05-19

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 小林德弘 ,  阿贺浩司

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02032 ,  H01L21/324 ,  H01L21/7813 ,  H01L22/12

Abstract: 本发明是一种贴合晶圆的制造方法，其向接合晶圆的表面离子注入氢离子和稀有气体离子的至少一种气体离子而形成离子注入层，将接合晶圆的离子注入后的表面与基底晶圆的表面直接贴合或隔着绝缘膜贴合之后，施加热处理，在离子注入层使接合晶圆的一部分剥离，由此制作在基底晶圆上具有薄膜的贴合晶圆，其中，在将接合晶圆与基底晶圆贴合之前，测量接合晶圆和基底晶圆的厚度，选择两晶圆的厚度之差小于5μm的由接合晶圆与基底晶圆构成的组合来进行贴合。由此，能抑制在薄膜上产生的大理石花纹的膜厚不均，制造薄膜的膜厚均匀性高的贴合晶圆。

公开(公告)号：CN105531821B

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201480049853.2

申请日：2014-08-22

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 横川功 ,  阿贺浩司 ,  藤沢宏

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/30604

Abstract: 本发明是一种贴合晶圆的制造方法，其具有通过离子注入剥离法来制作在基底晶圆上具有薄膜的贴合晶圆的工序、以及实施薄膜的减厚加工的工序；所述贴合晶圆的制造方法的特征在于，实施薄膜的减厚加工的工序包含通过牺牲氧化处理或气相蚀刻来实施薄膜的减厚加工的阶段，并且，在将要实施薄膜的减厚加工的工序前，具有清洗剥离面露出于表面的贴合晶圆的清洗工序，所述清洗工序包含将贴合晶圆依序浸渍于多个清洗槽中来实施清洗的进行湿式清洗的阶段，并且，在该湿式清洗的全部的清洗槽均在不施加超声波的情况下，实施清洗。由此，能够提供一种贴合晶圆的制造方法，该方法可依据管理等级严格的清洗线来清洗贴合晶圆，该贴合晶圆露出的剥离面上残留有离子注入所造成的损伤。

公开(公告)号：CN104885190B

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201380064933.0

申请日：2013-11-07

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 阿贺浩司 ,  横川功 ,  石塚徹

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02032 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/265 ,  H01L21/76251 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明涉及一种SOI晶圆的制造方法，从由半导体单晶基板构成的接合晶圆的表面，将氢气及稀有气体中一种以上的气体离子进行离子注入，形成离子注入层，在将该接合晶圆的进行过离子注入的表面与基底晶圆表面通过氧化膜进行贴合后，用热处理炉进行剥离热处理，在所述离子注入层剥离接合晶圆，由此制作SOI晶圆，在该SOI晶圆的制造方法中，在所述剥离热处理后，在以低于3.0℃/min的降温速度降温至250℃以下后，将剥离后的SOI晶圆及接合晶圆从热处理炉中取出。由此，提供一种能够制造擦痕及SOI膜厚异常被抑制的SOI晶圆的方法。

公开(公告)号：CN106062924A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201580011892.8

申请日：2015-02-12

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 小林德弘 ,  阿贺浩司

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26533 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3247 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明提供一种贴合式晶圆的制造方法，关于自贴合晶圆的表面以氢离子、惰性气体离子的至少一种气体离子进行离子注入而于晶圆内部形成离子注入层，将该贴合晶圆经离子注入的表面与基底晶圆的表面直接或是透过绝缘膜贴合后，借由以该离子注入层使贴合晶圆剥离，制造于该基底晶圆上具有薄膜的贴合式晶圆，而对于该贴合式晶圆，透过在含有氢气的氛围下进行RTA处理而将该薄膜表面平坦化，其中，于自该RTA处理的最高温降温而自热处理炉取出该贴合式晶圆之间，在该热处理炉内于该薄膜的表面形成保护膜，之后将形成有该保护膜的贴合式晶圆自该热处理炉取出，之后使用蚀刻该保护膜及该薄膜的洗净液以洗净。借此能够在RTA处理及进行其后的洗净后亦能良好维持薄膜的膜厚度的面内均匀性。