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公开(公告)号：CN109715858A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201780056604.X
申请日：2017-11-21
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人京都大学
Abstract: 一种碳材料，在通过拉曼散射光谱法测定的光谱中，该碳材料具有出现在1250cm-1至1400cm-1的范围内的与金刚石键相关的峰和/或与类金刚石键相关的峰，在1250cm-1至1400cm-1的范围内出现的峰中，最大峰的半峰全宽或最大峰和第二大峰的半峰全宽的信号小于100cm-1。
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公开(公告)号：CN106661759A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580043048.3
申请日：2015-08-10
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 提供一种能缩短分离衬底和金刚石层的分离时间的金刚石复合体、衬底和制造金刚石的方法、以及从所述金刚石复合体获得的金刚石和包括所述金刚石的工具。所述金刚石复合体包括：包括金刚石籽晶并在主表面中具有沟槽的衬底，形成在所述衬底的主表面上的金刚石层，以及在距所述衬底和所述金刚石层之间的界面恒定深度处形成在衬底侧上的非金刚石层。
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公开(公告)号：CN106661758A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580042702.9
申请日：2015-08-07
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B25/186 , C01B31/06 , C01B32/25 , C23C14/48 , C23C16/01 , C23C16/02 , C23C16/0272 , C23C16/27 , C23C16/56 , C30B25/20 , C30B29/04 , C30B31/22 , C30B33/00 , C30B33/06
Abstract: 本发明提供：一种制造金刚石的方法，所述方法能够在短时间内将所述金刚石与基板分离并且使得所述基板和所述金刚石各自的分离表面平坦；一种通过所述制造金刚石的方法获得的金刚石；和使用所述金刚石的金刚石复合基板、金刚石接合基板和工具。一种通过气相合成法制造金刚石的方法，其包括如下步骤：准备包含金刚石籽晶的基板；通过对所述基板实施离子注入而在自所述基板的主表面起算的预定深度处形成透光性比所述基板低的光吸收层；通过所述气相合成法在所述基板的所述主表面上生长金刚石层；和通过从所述金刚石层和所述基板中的至少一者的主表面施加光以使所述光吸收层吸收光并造成所述光吸收层破碎，从而将所述金刚石层与所述基板分离。
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公开(公告)号：CN1331235C
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN03814068.3
申请日：2003-06-18
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B25/02 , C30B29/04 , H01L21/02376 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02444 , H01L21/02494 , H01L21/02527 , H01L21/02576 , H01L21/02587 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L21/041 , H01L29/66022 , H01L29/66037
Abstract: 加工金刚石{100}面单晶基板(10)，形成金刚石{111}面后，一边在金刚石{111}面上掺杂n型掺杂剂一边使金刚石外延生长，形成n型金刚石外延层(20)。而且通过将上述方式得到的n型半导体金刚石和p型半导体金刚石、和未掺杂金刚石加以组合，采用p型半导体金刚石{100}面单晶基板等，可以得到pn结型、pnp结型、npn结型及pin结型半导体金刚石。
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公开(公告)号：CN1883052A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200480033959.X
申请日：2004-11-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L29/1602
Abstract: 本发明涉及在较大的温度范围中充分降低载流子浓度的变化量的金刚石n型半导体等。该金刚石n型半导体，具备金刚石基板和在其主面上形成的被判定为n型的金刚石半导体。该金刚石半导体，在被判定为n型的温度区域内的一部分温度中，载流子浓度(电子浓度)的温度依存性显示负的相互关系的同时，霍尔系数的温度依存性显示正的相互关系。具有这种特性的金刚石n型半导体，例如可以通过一边将施主元素以外的杂质元素导入金刚石基板，一边形成大量掺入施主元素的金刚石半导体后获得。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1708834A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200380100646.7
申请日：2003-12-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/265 , C30B29/04
Abstract: 本发明制备n－型半导体金刚石的方法的特征在于，通过向结合有10ppm或以上N的单晶金刚石中注入Li离子，使得其中含有10ppm的Li离子，来制备结合有Li和N的金刚石，或者，在用Li和N离子掺杂单晶金刚石的过程中，注入离子，使得在后注入Li和N浓度各为10ppm或以上处的离子注入深度将会重叠，来制备结合有Li和N的金刚石，然后在800℃或以上至低于1800℃的温度退火金刚石，以电激活Li和N且恢复金刚石的晶体结构。在本发明中，n－型半导体金刚石在从晶体面至相同的深度结合了各为10ppm或以上的Li和N，其中其薄层电阻为107Ω/□或更低。
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公开(公告)号：CN117157546A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202280011673.X
申请日：2022-01-26
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 日新电机株式会社
IPC: G01R33/02
Abstract: 一种金刚石传感器单元，包括：金刚石，具有色心，所述色心带有电子自旋；激发光照射部，向金刚石照射激发光；第一贴片天线，接收电磁波；电磁波照射部，向金刚石照射由第一贴片天线接收到的电磁波；检测部，检测在向金刚石照射激发光及电磁波之后从金刚石的色心放射的放射光；以及光波导，传输激发光及放射光。
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公开(公告)号：CN110325869B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN201880012808.8
申请日：2018-02-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: G01R33/02
Abstract: 一种金刚石磁传感器，所述金刚石磁传感器包括：金刚石，所述金刚石包含至少一个NV—中心；微波发生器，所述微波发生器向所述金刚石发射微波；激发光发生器，所述激发光发生器向所述金刚石的NV—中心发射激发光；以及荧光传感器，所述荧光传感器接收从所述金刚石的NV—中心产生的荧光，所述荧光金刚石磁传感器包括模式测量装置，所述模式测量装置基于由所述荧光传感器感测的荧光强度的变化来测量磁场强度的时间变化模式。
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