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公开(公告)号：CN102369314A
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN201080014703.X
申请日：2010-03-04
Applicant: 中央硝子株式会社
Abstract: 本发明提供一种氟气生成装置，其通过电解熔融盐中的氟化氢从而生成氟气，其包括：电解槽，其存储有熔融盐，在熔融盐液面上分离而区划有第1气室和第2气室，该第1气室用于引导在浸渍于熔融盐中的阳极处生成的以氟气作为主成分的主生成气体，该第2气室用于引导在浸渍于熔融盐中的阴极处生成的以氢气作为主成分的副生成气体；原料供给通路，其与电解槽相连接且用于向熔融盐引导氟化氢；载气供给通路，其与原料供给通路相连接且用于将载气引导到原料供给通路，该载气用于将氟化氢引导到熔融盐中，作为载气，使用在电解槽的阳极处生成的氟气或者在阴极处生成的氢气。
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公开(公告)号：CN101489928A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200780025959.9
申请日：2007-06-05
Applicant: 中央硝子株式会社
Inventor： 八尾章史
CPC classification number: C09K3/1463 , C01B32/28 , C09K3/1472 , C09K5/10
Abstract: 本发明提供一种可在研磨剂、润滑剂、热交换流动介质等中使用的，经过120小时以上的长时间稳定的、而且20℃的粘度为3cP以上的氟化纳米金刚石分散液的配制方法。该分散液按如下配制，把氟化纳米金刚石与20℃的粘度为2.5cP以下的第1液体进行混合，配制悬浮液，把悬浮液进行分级，配制分级悬浮液，然后，把该分级悬浮液与20℃的粘度为4cP以上的第2液体进行混合。
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公开(公告)号：CN112921320B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202110075293.X
申请日：2016-06-22
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: C23F1/10 , C23F1/02 , C23F1/44 , H01L21/306 , H01L21/311 , H01L21/3213
Abstract: 一种湿式蚀刻方法，其特征在于，其是使用蚀刻液对基板上的含金属膜进行蚀刻的湿式蚀刻方法，前述蚀刻液是三氟甲基与羰基键合而成的β‑二酮的有机溶剂溶液，前述含金属膜包含能够与前述β‑二酮形成络合物的金属元素，前述蚀刻液中所包含的水的量为1质量％以下。
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公开(公告)号：CN111052468B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN201880058447.0
申请日：2018-09-14
Abstract: 本发明提供一种能够简便地得到粘结性优异的电池用正极、及输出特性与循环特性优异的电池的电池用炭黑。本发明所使用的电池用炭黑的特征在于，按照JIS K6217‑2C法测定的BET比表面积为100m2/g以上，且使用XPS测定的表面氟浓度X(单位：原子％)及表面氧浓度Y(单位：原子％)满足下述的条件(A)及(B)：(A)0.3≤X≤4.0、(B)0.1≤Y≤3.0。
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公开(公告)号：CN114512399A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210020327.X
申请日：2016-07-01
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明的干式蚀刻方法的特征在于：其是对形成在基板上的硅氧化物层与硅氮化物层的积层膜，隔着形成在所述积层膜上的掩模，进行使干式蚀刻剂等离子体化并施加500V以上的偏压电压的蚀刻，从而对该层形成垂直方向的贯通孔的方法，并且所述干式蚀刻剂至少包含C3H2F4、CxFy所表示的不饱和全氟碳及氧化性气体，且所述干式蚀刻剂中所含的所述不饱和全氟碳的体积为所述干式蚀刻剂中所含的所述C3H2F4的体积的0.1～10倍的范围。通过该干式蚀刻方法，可以将SiOx的蚀刻速度相对于SiN的蚀刻速度的比(SiN/SiOx比)任意地控制在0.90～1.5之间，并且也可以对掩模实现高蚀刻选择性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108028307B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201680056060.2
申请日：2016-09-26
Applicant: 中央硝子株式会社 , 东北泰克诺亚奇股份有限公司
Abstract: 本发明使用硅系材料，得到能发挥良好的热电转换性能的热电转换材料。使用下述热电转换材料，其特征在于，直径20nm以下的柱状或球状的纳米点(1)以面密度为5×1010个/cm2以上、所述纳米点间的间隔为0.5nm以上且30.0nm以下的方式嵌入于嵌入层(3)，构成纳米点(1)的第1材料为包含30原子％以上的硅的材料，相对于构成嵌入层(3)的第2材料，第1材料的价带与第2材料的价带的能量之差、及第1材料的导带与第2材料的导带的能量之差中的任一个或两个处于0.1eV以上且0.3eV以下的范围。
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公开(公告)号：CN110832106A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201880044231.9
申请日：2018-07-24
Applicant: 中央硝子株式会社
Abstract: 本发明的已完成填充的容器的制造方法的特征在于，包括如下工序：准备金属制的保存容器的工序，所述金属制的保存容器至少内表面由锰钢构成、且该内表面的表面粗糙度Rmax为10μm以下；氟化工序，在50℃以下，使上述保存容器的内表面与包含选自由ClF3、IF7、BrF5、F2和WF6组成的组中的至少一种第1含氟气体的气体接触；置换工序，对上述保存容器的内部用非活性气体进行置换；和，填充工序，在上述保存容器的内部填充选自由ClF3、IF7、BrF5、F2和WF6组成的组中的至少一种第2含氟气体。
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公开(公告)号：CN106409656B
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201610599442.1
申请日：2016-07-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/311 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67069 , C23F1/12 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/32135 , H01L21/32136 , H01L23/53209 , H01L2924/01027 , H05K3/02 , H05K2203/0315
Abstract: 本发明涉及蚀刻方法和蚀刻装置。[课题]提供如下技术：使用对钴膜进行氧化的氧化气体和包含β‑二酮的蚀刻气体对被处理体表面的钴膜进行蚀刻时，防止在被处理体形成碳膜。[解决手段]将被处理体加热至250℃以下的温度同时以氧化气体的流量相对于蚀刻气体的流量的比率为0.5％～50％的方式对前述被处理体供给包含β‑二酮的蚀刻气体和用于氧化前述钴膜的氧化气体。由此，可以抑制碳膜的形成且对前述钴膜进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN107924837A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680044981.7
申请日：2016-07-01
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J2237/3341 , H01L21/30604 , H01L21/31 , H05H1/46
Abstract: 本发明的干式蚀刻方法的特征在于：其是对形成在基板上的硅氧化物层与硅氮化物层的积层膜，隔着形成在所述积层膜上的掩模，进行使干式蚀刻剂等离子体化并施加500V以上的偏压电压的蚀刻，从而对该层形成垂直方向的贯通孔的方法，并且所述干式蚀刻剂至少包含C3H2F4、CxFy所表示的不饱和全氟碳及氧化性气体，且所述干式蚀刻剂中所含的所述不饱和全氟碳的体积为所述干式蚀刻剂中所含的所述C3H2F4的体积的0.1～10倍的范围。通过该干式蚀刻方法，可以将SiOx的蚀刻速度相对于SiN的蚀刻速度的比(SiN/SiOx比)任意地控制在0.90～1.5之间，并且也可以对掩模实现高蚀刻选择性。
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