公开(公告)号：CN108028307A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680056060.2

申请日：2016-09-26

Applicant: 中央硝子株式会社 ,  东北泰克诺亚奇股份有限公司

Inventor： 菊池亚纪应 ,  八尾章史 ,  寒川诚二 ,  小野崇人

IPC: H01L35/26 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B33/02 ,  H01L29/06 ,  H01L35/14 ,  H01L35/32 ,  H01L35/34

CPC classification number: H01L35/26 ,  B81C1/00031 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B33/02 ,  C01B33/039 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/31144 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0669 ,  H01L35/14 ,  H01L35/32 ,  H01L35/34

Abstract: 本发明使用硅系材料，得到能发挥良好的热电转换性能的热电转换材料。使用下述热电转换材料，其特征在于，直径20nm以下的柱状或球状的纳米点(1)以面密度为5×1010个/cm2以上、所述纳米点间的间隔为0.5nm以上且30.0nm以下的方式嵌入于嵌入层(3)，构成纳米点(1)的第1材料为包含30原子％以上的硅的材料，相对于构成嵌入层(3)的第2材料，第1材料的价带与第2材料的价带的能量之差、及第1材料的导带与第2材料的导带的能量之差中的任一个或两个处于0.1eV以上且0.3eV以下的范围。

公开(公告)号：CN108028307B

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN201680056060.2

申请日：2016-09-26

Applicant: 中央硝子株式会社 ,  东北泰克诺亚奇股份有限公司

Inventor： 菊池亚纪应 ,  八尾章史 ,  寒川诚二 ,  小野崇人

IPC: H01L35/26 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B33/02 ,  H01L29/06 ,  H01L35/14 ,  H01L35/32 ,  H01L35/34

Abstract: 本发明使用硅系材料，得到能发挥良好的热电转换性能的热电转换材料。使用下述热电转换材料，其特征在于，直径20nm以下的柱状或球状的纳米点(1)以面密度为5×1010个/cm2以上、所述纳米点间的间隔为0.5nm以上且30.0nm以下的方式嵌入于嵌入层(3)，构成纳米点(1)的第1材料为包含30原子％以上的硅的材料，相对于构成嵌入层(3)的第2材料，第1材料的价带与第2材料的价带的能量之差、及第1材料的导带与第2材料的导带的能量之差中的任一个或两个处于0.1eV以上且0.3eV以下的范围。

公开(公告)号：CN112638612A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN201980055209.9

申请日：2019-08-30

Applicant: 东北泰克诺亚奇股份有限公司 ,  长濑产业株式会社

Inventor： 寒川诚二 ,  大堀大介

IPC: B29C33/44 ,  B29C33/42 ,  B29C51/30

Abstract: 本发明的目的在于提供一种无需在成形模的表面设置脱模材料层的成形模。此外，本发明的目的还在于提供一种耐久性优异并且表面具有拒水性的透镜。本发明涉及一种成形模，具备基底部与具有设置在基底部的表面的凹凸的图案部，图案部的凸部与凸部的中心间的距离为15～50nm，图案部的凹凸部比率(凸/凸部与凸部的中心间的距离)为0.5以下，图案部的凸部的高度为2nm以上，图案部的缺陷密度为10×1010cm2以下。此外，本发明还涉及一种透镜，具备基底部与具有设置在基底部的表面的凹凸的图案部，图案部的凸部与凸部的中心间的距离为15～50nm。

公开(公告)号：CN100375245C

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN03804732.2

申请日：2003-02-03

Applicant: 东北泰克诺亚奇股份有限公司

Inventor： 寒川诚二 ,  新村忠 ,  冲川满

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L22/34 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种晶片上监测系统(200)，设置在等离子体处理装置(100)中的要处理的基板位置。该晶片上监测系统(200)包括：各种检测器；数据I/O单元(210)，用于光学地向外部输出信号和从外部输入信号，以及一内部电源单元(250)，用于对上述各部分提供电力。该晶片上数据I/O单元(210)与一激光二极管(LD)(320)和一光电二极管(PD)(330)连接，该光电二极管是安装在外部的光学I/O单元。该数据I/O单元(210)从外部接收指令并且将所监测的数据传送到外部。设置在基板上的检测器为一离子能量分析器(400)，VUV光子探测器(500)，以及自由基离子种类发射分光光度计(600)。

公开(公告)号：CN1639850A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN03804732.2

申请日：2003-02-03

Applicant: 东北泰克诺亚奇股份有限公司

Inventor： 寒川诚二 ,  新村忠 ,  冲川满

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L22/34 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种晶片上监测系统(200)，设置在等离子体处理装置(100)中的要处理的基板位置。该晶片上监测系统(200)包括：各种检测器；数据I/O单元(210)，用于光学地向外部输出信号和从外部输入信号，以及一内部电源单元(250)，用于对上述各部分提供电力。该晶片上数据I/O单元(210)与一激光二极管(LD)(320)和一光电二极管(PD)(330)连接，该光电二极管是安装在外部的光学I/O单元。该数据I/O单元(210)从外部接收指令并且将所监测的数据传送到外部。设置在基板上的检测器为一离子能量分析器(400)，VUV光子探测器(500)，以及自由基离子种类发射分光光度计(600)。