公开(公告)号：CN100375245C

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN03804732.2

申请日：2003-02-03

Applicant: 东北泰克诺亚奇股份有限公司

Inventor： 寒川诚二 ,  新村忠 ,  冲川满

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L22/34 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种晶片上监测系统(200)，设置在等离子体处理装置(100)中的要处理的基板位置。该晶片上监测系统(200)包括：各种检测器；数据I/O单元(210)，用于光学地向外部输出信号和从外部输入信号，以及一内部电源单元(250)，用于对上述各部分提供电力。该晶片上数据I/O单元(210)与一激光二极管(LD)(320)和一光电二极管(PD)(330)连接，该光电二极管是安装在外部的光学I/O单元。该数据I/O单元(210)从外部接收指令并且将所监测的数据传送到外部。设置在基板上的检测器为一离子能量分析器(400)，VUV光子探测器(500)，以及自由基离子种类发射分光光度计(600)。

公开(公告)号：CN1639850A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN03804732.2

申请日：2003-02-03

Applicant: 东北泰克诺亚奇股份有限公司

Inventor： 寒川诚二 ,  新村忠 ,  冲川满

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L22/34 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种晶片上监测系统(200)，设置在等离子体处理装置(100)中的要处理的基板位置。该晶片上监测系统(200)包括：各种检测器；数据I/O单元(210)，用于光学地向外部输出信号和从外部输入信号，以及一内部电源单元(250)，用于对上述各部分提供电力。该晶片上数据I/O单元(210)与一激光二极管(LD)(320)和一光电二极管(PD)(330)连接，该光电二极管是安装在外部的光学I/O单元。该数据I/O单元(210)从外部接收指令并且将所监测的数据传送到外部。设置在基板上的检测器为一离子能量分析器(400)，VUV光子探测器(500)，以及自由基离子种类发射分光光度计(600)。