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公开(公告)号：CN116190516A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202111427556.5
申请日：2021-11-26
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种高取光效率的III族氮化物紫外发光二极管及其制备方法。所述二极管结构包括外延结构，所述外延结构包括p型层、n型层和有源区，所述有源区分布于所述p型层和n型层之间；其中，所述p型层上还设置有n型布拉格反射镜层，且所述n型布拉格反射镜层内分布有多个纳米级孔洞。本发明中提供的III族氮化物紫外发光二极管结构取光效率高、漏电小、可靠性高，且工艺制备简单，成本低。
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公开(公告)号：CN113471814B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202010240434.4
申请日：2020-03-31
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01S5/183
Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体垂直腔面发射激光器、其制作方法及应用。所述氮化物半导体垂直腔面发射激光器(VCSEL)包括沿设定方向依次设置的n侧DBR结构、有源区和p侧DBR结构，所述激光器的n侧形成有电流限制结构。进一步的，所述激光器的p侧与支撑片键合。本发明提供的氮化物半导体垂直腔面发射激光器具有器件电阻低、工作电压小，热阻低、散热效果好、结温低，工艺简单等优点，可大幅增强氮化物半导体VCSEL的性能和寿命，提高激光器工作稳定性。
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公开(公告)号：CN110034216A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201810030554.4
申请日：2018-01-12
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种III族氮化物深紫外发光二极管结构及其制作方法。其中，所述的制作方法包括：在衬底上生长形成深紫外发光二极管的外延结构的步骤，所述外延结构包括依次在衬底上形成的n型接触层、有源区、电子阻挡层和p型接触层，以及，制作分别与n型接触层、p型接触层电连接的n型电极、p型电极的步骤；并且还包括在位于所述发光二极管结构n侧的出光面上加工形成所述取光增强的微纳结构的步骤，所述出光面为 氮面。本发明提供的III-V族氮化物深紫外发光二极管结构具有取光效率高、热阻低、结温低和稳定性好等优点，可大幅增强深紫外发光二极管的器件性能和寿命，且其制作工艺简单快捷，易于规模化实施。
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公开(公告)号：CN106783994A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201510822198.6
申请日：2015-11-24
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种抑制电流崩塌效应的增强型HEMT器件及其制备方法。该HEMT器件包括异质结构以及与异质结构连接的源极、漏极和栅极，该异质结构包括作为沟道层的第一半导体和作为势垒层的第二半导体，该第二半导体形成于第一半导体上，该异质结构内形成有二维电子气；该第二半导体上还依次形成有量子阱层和第三半导体，该第三、第二半导体的导电类型不同，该栅极与第三半导体电性接触。本发明通过在增强型HEMT器件中的栅极区域及非栅极区域直接集成量子阱结构，使得器件处于开态时，同时能够实现发光，该发光可以有效辐射在栅‑漏、栅‑源之间的表面区域并深入至材料内部，能够加快被各类缺陷态所俘获的电子的释放过程，从而有效抑制器件电流崩塌效应。
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公开(公告)号：CN106684213A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201510752667.1
申请日：2015-11-06
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
CPC classification number: H01L33/0045 , H01L33/007 , H01S5/34333
Abstract: 本发明公开了一种GaN基半导体器件及其制作方法。所述GaN基半导体器件包括硅衬底、以及形成于所述硅衬底上的外延层，所述外延层包括依次形成于所述硅衬底上的AlN成核层，AlGaN缓冲层以及GaN缓冲层。本发明采用介质膜做为掩膜层，通过调控介质层的周期数达到不同的效果，当周期数较大时可以做为限制层，能够有效减少光损耗，降低激光器和超辐射发光二极管的阈值电流；当周期数较小时做为界面层，与底部的AlGaN组成另一个光波导结构，形成平板耦合光波导激光器、超辐射发光二极管，可以得到形状较好的近圆光斑。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106653838A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201510740432.0
申请日：2015-11-04
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/32 , H01S1/02
CPC classification number: H01L29/7786 , H01L29/32 , H01S1/02
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹光源器件及其制作方法。所述器件包括主要由第一、第二半导体组成的异质结以及与所述异质结连接的电极，所述第二半导体形成于第一半导体表面，并具有宽于第一半导体的带隙，并且所述异质结内分布有二维电子气；所述第二半导体表面还分布有复数基于V型坑的Via结构，所述基于V型坑的Via结构与分布于所述异质结中的相应穿透位错相连接。本发明通过在太赫兹光源器件的外延生长过程中故意引入基于V型坑的Via结构，极为有利于纵向栅极注入电流激发技术方案的实现，可以避免背景黑体辐射带来的噪音问题，同时还能大幅提高能量转化效率和输入电功率，以及大幅提高太赫兹辐射功率和辐射效率。
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公开(公告)号：CN106486363A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201510551408.2
申请日：2015-09-01
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L21/02 , H01L21/3065
Abstract: 本发明公开了一种基于p型层的III族氮化物增强型HEMT及其制备方法。所述HEMT包含主要由第一半、第二半导体层组成的异质结以及与所述异质结连接的源、栅和漏电极，该栅电极与势垒层之间还分布有能与第二半导体层形成异质结的第三半导体层；所述第三、第二半导体层之间还分布有刻蚀终止层，所述刻蚀终止层的组成材料比第三半导体层的组成材料具有更高刻蚀选择比，或者所述第二半导体层中与第三半导体层临近的区域的组成材料比第三半导体层的组成材料具有更高刻蚀选择比。藉由本发明的设计可以大幅降低p型栅技术的实施难度，并精确控制p型层的刻蚀深度，确保器件电学特性和芯片制作工艺的重复性、均匀性、稳定性，适用于大规模生产。
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公开(公告)号：CN118969924A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202410063695.1
申请日：2024-01-16
Applicant: 苏州立琻半导体有限公司 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L33/14 , H01L33/02 , H01L31/102 , H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/0304
Abstract: 本发明公开了一种紫外光电子器件的外延结构及其应用。该层叠结构包括层叠设置的n型半导体结构层、功能层和p型半导体结构层，p型半导体结构层包括沿选定方向层叠设置的电子阻挡层、空穴运输层和接触层；p型半导体结构层还包括黑线层，黑线层设置在空穴运输层和接触层之间，电子阻挡层、空穴运输层和黑线层均是由含Al的III族氮化物半导体材料形成的，接触层是由含Al或不含Al的III族氮化物半导体材料形成的，并且，黑线层的带隙高于接触层、空穴运输层中任一者的带隙。本发明提供的一种层叠结构可以有效地阻挡低温的接触层的杂质和空位等缺陷向功能层扩散，有效地改善器件可靠性和工作寿命。
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公开(公告)号：CN116266618A
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202111549806.2
申请日：2021-12-17
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种高光效深紫外发光二极管及其制备方法。所述高光效深紫外发光二极管包括：外延结构，所述外延结构包括依次层叠设置的第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一电极和第二电极，所述第一电极、第二电极分别经第一欧姆接触层、第二欧姆接触层与所述第一半导体层、第二半导体层电性接触；所述第一半导体层、第一欧姆接触层、第二欧姆接触层为第一掺杂类型，所述第二半导体层为第二掺杂类型。本发明实施例提供的一种高光效深紫外发光二极管采用重掺杂的欧姆接触层降低了p型与n型欧姆接触结构的制作难度，可以同时实现p型及n型电极的高反射率，大幅提高器件的取光效率。
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公开(公告)号：CN116190515A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202111417914.4
申请日：2021-11-26
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种高电光转换效率的III族氮化物紫外发光二极管及其制法。所述二极管结构包括外延结构，所述外延结构包括p型层、n型层和有源区，所述有源区分布于所述p型层和n型层之间；其中，所述p型层与有源区之间还分布有具有微纳结构的反射层，所述反射层至少用于将从有源区向p型层传播的光向n型层反射。本发明提供的发光二极管，取光效率高、串联电阻小，可大幅提升电光转换效率和可靠性。
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