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公开(公告)号：CN111952377A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010860333.7
申请日：2020-08-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/028 , H01L31/032 , H01L31/0687 , H01L31/0725 , H01L31/18
Abstract: 一种曲面陷光结构的钙钛矿/硅叠层太阳电池及其制作方法，该曲面陷光结构的钙钛矿/硅叠层太阳电池包括硅下电池；曲面陷光结构，设置在硅下电池上；载流子复合层，设置在曲面陷光结构上；钙钛矿上电池，设置在载流子复合层上；透明电极，设置在钙钛矿上电池上；以及金属电极，设置在透明电极上。本发明曲面陷光结构不存在锐利的凸起和凹陷结构，不容易导致薄膜中缺陷态的产生；曲面陷光结构相对于尖锐型陷光结构更容易形成均匀、保形、连续的薄膜，因此更利于器件工艺的简化以及大面积扩展。
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公开(公告)号：CN111883671A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010774987.8
申请日：2020-08-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种新型有机无机杂化钙钛矿纳米线的制备方法。该方法包括：在衬底上设计制备Au薄膜和PbO2薄膜的混合膜层；将混合膜层置于有机溶液中，在第一预设温度条件下发生反应，生成新型有机无机杂化钙钛矿纳米线；将新型有机无机杂化钙钛矿纳米线进行冲洗，去除新型有机无机杂化钙钛矿纳米线表面附着的溶质；将新型有机无机杂化钙钛矿纳米线在第二预设温度条件下进行退火处理。
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公开(公告)号：CN106544638A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201611136315.4
申请日：2016-12-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种拼装型掩模板装置，包括若干掩模板、样品框架、掩模板压板、样品盖板、样品夹和样品压条，各部件可以通过螺丝、胶带、胶水或磁力等方式拼装连接到一起。本发明可以实现掩模板装置交叉重复使用，提高了设计和制作的灵活性。本掩模板装置能够实现高质量图形化薄膜的制备，同时本掩模板装置还可以适用于无规则形状样品以及不同沉积朝向的设备。
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公开(公告)号：CN101497784A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200810057181.6
申请日：2008-01-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明提供一种MDMO－PPV包裹PbS纳米材料及太阳能电池的制备方法。针对现有制备PbS量子点和纳米棒的缺陷，以及其他无机有机复合体异质结太阳能电池的不足，本发明以聚合物半导体MDMO－PPV为包覆体，制备了具有光电应用前景的PbS量子点和纳米棒材料，具有操作简便、成本低廉、适用广泛的特点。本发明还成功的将纳米棒材料应用于无机有机复合体异质结太阳能电池的制备。
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公开(公告)号：CN120005243A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510183641.3
申请日：2025-02-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种光致变色薄膜的制备方法，可应用于功能性薄膜材料技术领域，该方法包括：制备二氧化钛（TiO2）与聚(3,4‑乙烯二氧噻吩)‑聚(苯乙烯磺酸盐)（PEDOT:PSS）的混合溶液；准备衬底；将混合溶液置于衬底上，得到待处理样品；对待处理样品进行退火处理，得到二氧化钛@聚(3,4‑乙烯二氧噻吩)‑聚(苯乙烯磺酸盐)（PEDOT:PSS@ TiO2）复合光致变色薄膜。该光致变色薄膜能够在紫外光照射下实现显著的光致变色效果；该光致变色薄膜的变色和褪色过程受到环境湿度和气氛的影响，具有可调节性和良好的稳定性；以及该光致变色薄膜在智能窗、可重写纸张、太阳紫外线检测等领域具有广泛的应用潜力。本发明还提供了一种光致变色薄膜及其应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118851589A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310480898.6
申请日：2023-04-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C03C17/30
Abstract: 本公开提出了一种疏水性宽带减反射涂层的制备方法，包括：将基底放置于带有加热装置的沉积腔室中；基于引发式化学气相沉积技术，向沉积腔室中通入包括引发剂、第一单体和第二单体的第一气体组，引发剂受热分解产生的自由基与第一单体和第二单体在沉积腔室中扩散吸附于基底表面，调控第一气体组的流量比及沉积腔室的压强，以使第一单体发生第一自由基聚合反应，其中，第二单体作为交联剂以使第一自由基聚合反应趋向侧链结晶，在基底表面形成具有蛾眼纳米结构的疏水性宽带减反射涂层。
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公开(公告)号：CN117438472A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311655586.0
申请日：2023-12-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/51 , H01L21/336
Abstract: 本公开提供一种混合栅碳化硅场效应管器件，包括：碳化硅外延层，包括第一导电区域、第二导电区域以及第三导电区域，第二导电区域与第三导电区域位于第一导电区域的两侧，第二导电区域和第三导电区域的导电类型相同，并区别于第一导电区域的导电类型；栅介质层，包括第一栅介质、第二栅介质和第三栅介质，第一栅介质覆盖设置于第一导电区域，第二栅介质覆盖设置于第二导电区域，第三栅介质覆盖设置于第三导电区域；第一栅介质为硅基材料，第二栅介质与第三栅介质被构造成紧邻于第一栅介质的两端，第二栅介质与第三栅介质的介电常数均大于第一栅介质的介电常数。
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公开(公告)号：CN114984992B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202210572326.6
申请日：2022-05-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B01J27/24 , C01B3/04 , C02F1/30 , C02F101/30 , C02F101/38
Abstract: 本公开提供一种铯掺杂的氮化碳光催化剂的制备方法，包括：S1，将乙酸铯与含氮有机化合物加入乙醇溶液中溶解；S2，加热搅拌，将乙醇溶液蒸干，得到混合粉末；S3，将混合粉末置于带盖的氧化铝坩埚中，并在马弗炉中进行第一次热处理，得到铯掺杂的氮化碳块体；S4，将铯掺杂的氮化碳块体进行研磨，并在马弗炉中进行第二次热处理，得到铯掺杂的氮化碳光催化剂。本公开的制备方法采用乙酸铯制备铯掺杂氮化碳，具有步骤简单，成本低，产率高等优点；且与其他金属盐相比，只需要极少量的乙酸铯即可达到掺杂的目的，实现对氮化碳的活化，并提高光催化性能。
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公开(公告)号：CN115678078A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211368620.1
申请日：2022-11-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C08J7/04 , C08J5/18 , C08L83/04 , B05D1/00 , C09D133/16
Abstract: 本发明提供一种可转移超疏水薄膜及其制备方法，包括：制备聚二甲基硅氧烷微米薄膜，聚二甲基硅氧烷微米薄膜表面具有柱状阵列；通过在聚二甲基硅氧烷微米薄膜柱状阵列的表面、侧壁及底部沉积含氟纳米聚合物，形成可转移超疏水薄膜。通过该制备方法得到的可转移超疏水薄膜，不仅具有优秀的自清洁能力和防污性能，而且可以随型紧密贴合在其它基底表面。
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公开(公告)号：CN112117217A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202010991573.0
申请日：2020-09-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种多路遥控器装置，包括：多路遥控器、遥控接收控制板、供电电源、多路继电器、多路通断指示灯、测试夹具，其中，多路遥控器，用于向遥控接收控制板发送切换信号，以控制不同电极线路的切换；遥控接收控制板，设置于电路板上，用于接收多路遥控器发出的用以切换不同电极线路的切换信号；多路继电器，设置于电路板上，并通过电极线路与多路通断指示灯及被测器件样品连接，用于控制电极线路通断；多路通断指示灯，用于指示电极线路通断；供电电源，设置于电路板上，包括相互独立的多路通断指示灯的供电电源和遥控接收控制板的供电电源；测试夹具包括：金属底座、测试夹和针脚，用于夹取及调整器件样品。
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