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公开(公告)号：CN115678078A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211368620.1
申请日：2022-11-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C08J7/04 , C08J5/18 , C08L83/04 , B05D1/00 , C09D133/16
Abstract: 本发明提供一种可转移超疏水薄膜及其制备方法，包括：制备聚二甲基硅氧烷微米薄膜，聚二甲基硅氧烷微米薄膜表面具有柱状阵列；通过在聚二甲基硅氧烷微米薄膜柱状阵列的表面、侧壁及底部沉积含氟纳米聚合物，形成可转移超疏水薄膜。通过该制备方法得到的可转移超疏水薄膜，不仅具有优秀的自清洁能力和防污性能，而且可以随型紧密贴合在其它基底表面。
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