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公开(公告)号：CN100524622C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200710063705.8
申请日：2007-02-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/20 , H01L21/266
Abstract: 一种在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法，包含下列步骤：步骤1：取一半导体衬底和制备好的有序的阳极氧化铝通孔模板；步骤2：把制备好的有序的阳极氧化铝通孔模板放置在半导体衬底上，阳极氧化铝通孔模板的作用是在半导体衬底上选择性注入金属离子；步骤3：将足够厚的阳极氧化铝模板的半导体衬底进行离子注入，目的是让金属离子通过阳极氧化铝通孔注入半导体衬底，在没有孔的区域，注入离子不会到达半导体衬底；步骤4：在饱和的NaOH溶液中清洗以剥离模板；步骤5：在分子束外延设备中沉积InAs量子点，通过应力调制的作用，量子点会优先成核在离子注入的区域，完成量子点的制备。
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公开(公告)号：CN101241969A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200710063711.3
申请日：2007-02-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 一种具有光伏效应和电致发光双重功能的器件的制备方法，其特征在于，其中包括：步骤1.取一衬底；步骤2.在衬底上旋涂一层缓冲层溶液，形成缓冲层，可以降低衬底表面的粗糙度，并使衬底和活性层形成良好的接触；步骤3.在缓冲层上旋涂一层活性层溶液，形成活性层，可以作为光电转换层；步骤4.在活性层上真空蒸发铝电极，作为光伏器件时收集电子，作为电致发光器件时或者注入电子。
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公开(公告)号：CN101497784A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200810057181.6
申请日：2008-01-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明提供一种MDMO－PPV包裹PbS纳米材料及太阳能电池的制备方法。针对现有制备PbS量子点和纳米棒的缺陷，以及其他无机有机复合体异质结太阳能电池的不足，本发明以聚合物半导体MDMO－PPV为包覆体，制备了具有光电应用前景的PbS量子点和纳米棒材料，具有操作简便、成本低廉、适用广泛的特点。本发明还成功的将纳米棒材料应用于无机有机复合体异质结太阳能电池的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101241968A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200710063708.1
申请日：2007-02-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 一种具有光伏效应和电致发光双重功能的器件，其特征在于，其中包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上，可以降低衬底表面的粗糙度，并使衬底和活性层形成良好的接触；一活性层，该活性层制作在缓冲层上，可以作为光电转换层；一铝电极，该铝电极制作在活性层上作为光伏器件使用时收集电子，作为电致发光器件时注入电子。
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公开(公告)号：CN101241850A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200710063705.8
申请日：2007-02-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/20 , H01L21/266
Abstract: 一种在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法，包含下列步骤：步骤1.取一半导体衬底和制备好的有序的阳极氧化铝通孔模板；步骤2.把制备好的有序的阳极氧化铝通孔模板放置在半导体衬底上，阳极氧化铝通孔模板的作用是在半导体衬底上选择性注入金属离子；步骤3.将足够厚的阳极氧化铝模板的半导体衬底进行离子注入，目的是让金属离子通过阳极氧化铝通孔注入半导体衬底，在没有孔的区域，注入离子不会到达半导体衬底；步骤4.在饱和的NaOH溶液中清洗以剥离模板；步骤5.在分子束外延设备中沉积InAs量子点，通过应力调制的作用，量子点会优先成核在离子注入的区域，完成量子点的制备。
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公开(公告)号：CN101497784B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200810057181.6
申请日：2008-01-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明提供一种MDMO-PPV包裹PbS纳米材料及太阳能电池的制备方法。针对现有制备PbS量子点和纳米棒的缺陷，以及其他无机有机复合体异质结太阳能电池的不足，本发明以聚合物半导体MDMO-PPV为包覆体，制备了具有光电应用前景的PbS量子点和纳米棒材料，具有操作简便、成本低廉、适用广泛的特点。本发明还成功的将纳米棒材料应用于无机有机复合体异质结太阳能电池的制备。
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公开(公告)号：CN101241849B
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200710063706.2
申请日：2007-02-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/18 , H01L21/266 , H01L21/324 , H01S5/00
Abstract: 一种在半导体衬底上制备量子环结构的方法，包含：步骤1：取一半导体衬底和制备好的阳极氧化铝通孔模板；步骤2：把制备好的阳极氧化铝通孔模板放置在半导体衬底上，形成带有掩模板的半导体GaAs衬底；步骤3：将足够厚的阳极氧化铝模板的半导体衬底进行离子注入，形成具有周期性离子注入的带有阳极氧化铝模板的半导体衬底，目的是让金属离子通过阳极氧化铝通孔注入半导体衬底，在没有孔的区域，注入离子不会到达半导体衬底；步骤4：在饱和的NaOH溶液中清洗以剥离模板；步骤5：在分子束外延设备中退火，由于半导体衬底里的原子、注入的金属离子的外扩散以及与砷的作用，完成量子环结构的制备。
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公开(公告)号：CN101241849A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200710063706.2
申请日：2007-02-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/18 , H01L21/266 , H01L21/324 , H01S5/00
Abstract: 一种在半导体衬底上制备量子环结构的方法，包含：步骤1.取一半导体衬底和制备好的阳极氧化铝通孔模板；步骤2.把制备好的阳极氧化铝通孔模板放置在半导体衬底上，形成带有掩模板的半导体GaAs衬底；步骤3.将足够厚的阳极氧化铝模板的半导体衬底进行离子注入，形成具有周期性离子注入的带有阳极氧化铝模板的半导体衬底，目的是让金属离子通过阳极氧化铝通孔注入半导体衬底，在没有孔的区域，注入离子不会到达半导体衬底；步骤4.在饱和的NaOH溶液中清洗以剥离模板；步骤5.在分子束外延设备中退火，由于半导体衬底里的原子、注入的金属离子的外扩散以及与砷的作用，完成量子环结构的制备。
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