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公开(公告)号：CN2529386Y
公开(公告)日：2003-01-01
申请号：CN01255189.9
申请日：2001-12-07
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本实用新型公开了一种碲镉汞红外探测器微小光敏元芯片，芯片由白宝石衬底上固定的碲镉汞材料，在碲镉汞材料表面依次生成氧化层和二氧化硅层，再在二氧化硅层上方，在微小光敏元以外的区域蒸镀一层金属膜组成。所说的微小光敏元的大小根据需要而定。本实用新型的特点是通过增加绝缘层并使电极区域延伸到少数载流子扩散长度之外，来延长光生载流子在碲镉汞材料体内的维持时间，增加其有效寿命，从而提高了器件的性能。该器件特别适用于高空间分辨率的航天红外遥感仪器。
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公开(公告)号：CN205376534U
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201620028540.5
申请日：2016-01-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/205 , H01L29/423 , H01L21/335 , H01L21/28
Abstract: 本专利公开了一种具有异质结结构的GaN基p型场效应管，以具有p型AlGaN材料以及p型GaN材料的多层材料为基体材料。利用电子束蒸发依次生长Ni、Au、Ni和Au形成多层金属，作为器件的源端电极和漏端电极。为了精确控制栅长为2μm的区域，利用ICP刻蚀钝化层，然后用电子束蒸发生长的单层金属Au作为器件的栅电极。本专利的优点在于：利用p型GaN与p型AlGaN形成异质结处高浓度的二维空穴气，提高p型器件的电学性能；所用的外延材料以及工艺与制备日盲紫外器件兼容，为制备有源紫外器件打下了技术基础。
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公开(公告)号：CN2760760Y
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200420114090.9
申请日：2004-12-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本实用新型公开了一种碲镉汞红外光电探测器微小光敏元芯片，包括：衬底，通过环氧胶与衬底牢固结合的碲镉汞片，与环氧胶接触的碲镉汞片表面有一下钝化层，碲镉汞片的中间为光敏元，二侧为电极区，其特征在于：在碲镉汞片裸露的侧面覆盖有一侧面钝化层。由于有了侧面钝化层，探测器的电阻、响应率、探测率、噪声等指标明显优于无侧面钝化层的探测器。
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公开(公告)号：CN2511955Y
公开(公告)日：2002-09-18
申请号：CN01255188.0
申请日：2001-12-07
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本实用新型公开了一种带有延伸电极的碲镉汞多元红外探测器,包括:衬底、列阵光敏元、位于光敏元一侧的延伸电极区和另一侧的公共电极区。它的特征是:延伸电极区从碲镉汞材料经至少二个台阶延伸衬底上,使碲镉汞材料到衬底的落差至少下降二分之一,从而形成一个平缓坡度的电极区。由于电极区有一个平缓坡度,因此其上蒸镀的金属膜不易产生断裂,提高了器件的稳定性和成品率。而且可以缩短延伸电极的长度,节省原材料,降低了成本。
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公开(公告)号：CN206282868U
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201621119950.7
申请日：2016-10-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09 , H01L31/032 , H01L31/02
Abstract: 本专利公开了一种具有“亮”补偿元的自支撑热敏薄膜型红外探测器。器件结构包括：蓝宝石衬底；在衬底上制作矩形敏感元和补偿元，补偿元在敏感元任一侧，敏感元剖面呈倒凹形，与衬底之间有空气夹层，补偿元直接制作在衬底上；敏感元与补偿元矩形短边的内外两侧各制作电极端；敏感元与补偿元之间临近的电极连通形成公共电极，作为信号引出端。该结构使得热敏探测器的响应率大大提高；“亮”补偿元的设计不仅满足了对环境温度波动的补偿，而且有效降低了工艺制作难度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN204680670U
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201520371925.7
申请日：2015-06-02
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144
Abstract: 本专利公开了一种集成微透镜阵列的背照式紫外焦平面探测器。背照式紫外焦平面探测器由以下几个部分组成：紫外光敏元阵列芯片、读出电路、混成互连铟柱、微透镜阵列。微透镜阵列在紫外光敏元阵列芯片的宝石片衬底上采用光刻胶光刻、高温成型、等离子体刻蚀等步骤加工形成。本专利的优点是：集成微透镜阵列之后，紫外光敏元的面积可以大幅度减少，从而使紫外光敏元具有高的零偏压动态电阻R0和小的结电容，从而有利于减小读出电路的噪声以及提高紫外探测器的探测率。
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公开(公告)号：CN201689901U
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN201020202552.8
申请日：2010-05-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/08 , H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本专利公开了一种细长型的碲镉汞单元探测器，该探测器包括在碲镉汞薄片上，通过光刻形成光敏区、电极区、电阻区。其特征在于它比一般的光导探测器多一个电阻区。电阻区的作用主要是为了减小探测器的电阻，而且对光不产生响应。为了达到这个效果，电阻区与光敏区和电极区之间用负胶层和SiO2层作为复合绝缘介质，并在绝缘介质上生长金属铬金和金属金来作为阻挡层来阻挡光进入碲镉汞。本专利的优点是：探测器的电阻区不仅减小了探测器的电阻，而且对光没有响应。
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公开(公告)号：CN201556621U
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200920272389.X
申请日：2009-11-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144 , H01L23/498 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/00
Abstract: 本专利公开了一种背照式碲镉汞长波光导型红外面阵探测器，其特征在于，包括：一硒化锌衬底；一通过环氧胶固定在衬底上的碲镉汞薄片；与衬底接触的碲镉汞薄片面带有阳极氧化层与ZnS增透层，通过光刻在碲镉汞薄片表面的双层钝化面上形成光敏元面阵，及分别位于光敏元二端的信号引出电极区和公共电极区。信号引出电极区与公共电极区，均从采光面的背面引出，在规定的区域生长铟柱，信号读出电路板生长铟柱，采用铟柱互连的方式。将芯片电极的铟柱和电极板的铟柱连在一起。信号和公用电极区上依次生长有铟层、金层，铟柱。构成背照式碲镉汞长波光导型红外面阵探测器。
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公开(公告)号：CN207676945U
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201721678741.0
申请日：2017-12-06
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本专利公开了一种可控制时间常数的锰钴镍热敏器件，其特征在于，器件结构为：在蓝宝石衬底上依次有聚酰亚胺，环氧胶，锰钴镍，金电极。其中所述的蓝宝石衬底为双面抛光的蓝宝石，所述的聚酰亚胺为亚胺化的聚酰亚胺，厚度为1～40微米，所述的锰钴镍是通过环氧胶粘贴到聚酰亚胺上，其厚度为8～10微米，所述的金电极位于锰钴镍表面两端。本专利有以下几个优点：1、工艺简单，易实施。2、可以通过控制聚酰亚胺厚度来决定时间常数，可精准满足不同时间常数的应用需求。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN202534671U
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201220104052.X
申请日：2012-03-19
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/0352
Abstract: 本实用新型公开了一种基于图形化蓝宝石衬底的GaN基PIN探测器，其结构为在图形化蓝宝石衬底上生长较厚缓冲层，包括低温缓冲层生长、重结晶、三维生长和二维生长，获得质量良好的GaN薄膜材料。再依次生长n+型GaN层、本征GaN层，p型GaN层。在p层表面淀积p欧姆接触电极，将p型薄膜层和本征层刻蚀至n+型薄膜层，刻蚀台面形状为圆形、方形或六边形，在n+型层上淀积n型欧姆接触电极，n型电极为环形或方形。生长钝化层并开孔，暴露出p、n型电极，最后在p电极与n电极上生长加厚电极。本专利方法所制备的器件，生长材料质量较高，位错、缺陷密度小，器件的暗电流小，性能稳定，反偏电压下暗电流几乎不变，量子效率却得到大幅提高。
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