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公开(公告)号：CN111304608A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010186265.0
申请日：2020-03-17
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
IPC: C23C14/35 , B22D7/00 , C21D9/00 , C22C1/02 , C22C5/04 , C22C19/03 , C22F1/02 , C22F1/10 , C22F1/14 , B30B15/34
Abstract: 本发明公开了一种晶粒高定向取向的镍铂合金溅射靶材及其制备方法，靶材含镍1~99 wt%，余量为铂；靶材呈（111）或（200）晶面高定向取向，含镍为1~24 wt%的靶材其（111）与（200）晶面积分强度比不低于3，含镍为25~99 wt%的靶材其（200）与（111）晶面积分强度比不低于1.2；致密度不低于99.5%；晶粒尺寸5~50 。所述制备方法包括以下步骤：熔炼与浇铸、缺陷检测、真空热压、低温压制、低温退火和产品加工。本发明的镍铂合金溅射靶材呈（111）或（200）晶面高定向取向有助于获得高溅射速率、膜厚均匀的薄膜，制备工艺简便，易操控，大大提高生产效率并节约制备成本。
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公开(公告)号：CN111254398A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010186276.9
申请日：2020-03-17
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种晶粒高定向取向的铂溅射靶材及其制备方法，铂溅射靶材呈现（111）晶面高定向取向，致密度不低于99.5%，晶粒尺寸为5~20 ；所述（111）晶面与（200）晶面积分强度比不低于3。制备方法包括：选择4N及以上纯度的铂原料，熔炼获得铸锭；随后进行超声波探伤测定铸锭内部缺陷分布并对其进行真空热压，消除缺陷；再将锭坯浸泡在液氮容器中单向压制；再进行低温退火；最后机加工获得靶材。本发明采用浇铸速度和熔炼炉功率组合，较低压制及退火温度组合，获得性能优异的铂溅射靶材。靶材的高致密度和（111）晶面高定向取向有助于获得高溅射速率、膜厚均匀的铂薄膜，其制备方法工艺简便，条件温和易操控，大大提高生产效率，极大地节约制备成本。
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公开(公告)号：CN105986138A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201610471107.3
申请日：2016-06-24
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种制备超高纯镍铂合金靶材的方法。制备方法包括高纯预合金粉制备，合金的熔炼，采用区域熔炼对熔体的净化，机械轧制及热处理对晶粒尺寸的控制，本发明高纯镍铂合金粉末采用纯度大于等于99.995％的氯铂酸氨和纯度大于等于99.99％的氯化镍为原料，先通过气体雾化法制备得到氯铂酸氨和氯化镍的复合颗粒，再采用通氢还原法得到高纯镍铂预合金粉末，然后真空感应熔炼得到镍铂母合金，最后采用区域熔炼法将镍铂母合金锭提纯得到超高纯镍铂合金。本发明制备得到的超高纯镍铂靶材,该靶材的碱金属离子(Na、K)、放射性元素(U、Th)的含量较低，而且其它金属杂质、氧含量及晶粒尺寸较现有公开文献有明显改善。
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公开(公告)号：CN104014767B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201410246797.3
申请日：2014-06-05
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种制备NiV合金靶材的方法，涉及使用特殊的熔铸方法制备高纯度、晶粒细小的NiV合金靶材产品。通过采用氧化硼作为覆盖剂对合金熔体实施净化以提高合金靶材的纯度，采用循环液态金属冷却的铜模进行浇铸实现合金熔体的快速凝固，从而获得纯度高、晶粒细小、无偏析、相结构单一的NiV合金靶材产品，提高了效率和成品率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104889413A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510243840.5
申请日：2015-05-13
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
IPC: B22F9/20
Abstract: 本发明公开了一种电子元器件用高纯铂粉的制备方法，其步骤为：(1)铂溶解造液：将海绵铂粉(Pt99.95％)采用盐酸+氯酸钠溶液进行溶解，获得铂溶液A；(2)氧化水解沉淀：往铂溶液A中加入铁盐溶液，同时加入氧化剂，煮沸，在搅拌的条件下缓缓加入碱溶液调节溶液pH值为7～8，过滤，用氯化钠溶液洗涤，获得铂溶液B；(3)离子交换除杂：调整铂溶液B的pH值＝1～1.5，将此溶液通过阳离子树脂交换柱，再调整该溶液pH值为2～3，通过另一阳离子树脂交换柱，获得纯净的铂溶液C；(4)氯铂酸铵沉淀：调整铂溶液C的pH值为1～1.5，往该溶液中通入氨气沉淀出氯铂酸铵；(5)煅烧获得高纯铂粉。采用本发明可制备出电子元器件用高纯铂粉，铂粉纯度大于99.999％，铂的一次直收率大于80％。
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公开(公告)号：CN117773139A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311669325.4
申请日：2023-12-07
Applicant: 贵研铂业股份有限公司 , 云南贵金属实验室有限公司
Abstract: 本发明公开了一种信息存储用高纯球形钌粉的制备方法，所述高纯球形钌粉先由氯钌酸或氯钌酸盐溶液、选择性沉淀剂、稀散剂制得高纯球形钌前驱体沉淀，再经热分解反应、氢氛围脱氧、酸煮纯化工艺制备获得。所述高纯钌粉形貌为球形，纯度≥99.999％，流散性及均一性好，平均粒径＜5μm，可用于信息存储用高纯钌及其合金靶材用高纯钌粉及其合金靶材原料。
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公开(公告)号：CN115896528B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202211353391.6
申请日：2022-11-01
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
IPC: C22C5/04 , C22C1/047 , B22F9/04 , B22F1/14 , B22F3/10 , B22F3/02 , C22F1/14 , B22F5/00 , C03B37/095 , C30B35/00 , F02K1/00
Abstract: 本发明提供了一种难熔金属间化合物增强铂铑基高温合金，包括如下质量含量的组分：Rh 0～10wt％，Re3Nb 0.05～1.0wt％和余量的Pt。本发明采用一定量的新型的高熔点难熔的χ相金属间化合物即Re3Nb作为增强相，且增强相Re3Nb在Pt‑Rh合金中的均匀弥散分布，使得χ相增强的低Rh含量的Pt‑Rh基合金具有优异的高温力学性能和抗氧化能力，并大幅降低贵金属Rh的用量和合金成本，利用具有较高熔点的Pt元素和Rh元素，以提高制备的难熔金属间化合物增强铂铑基高温合金的抗氧化、耐腐蚀性能和化学稳定性。
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公开(公告)号：CN116875952A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310839299.9
申请日：2023-07-10
Applicant: 云南贵金属实验室有限公司 , 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种低氧高密度Ru溅射靶材、制备方法及其用途，该溅射靶材氧含量小于50ppm，表面粗晶层厚度小于50um，平均晶粒尺寸2‑8微米，晶界处孔洞呈近球形，直径小于1um，靶材相对密度大于理论密度的99％。制备方法以具有形貌和粒径分布可控的高纯钌粉为原料，通过真空热压烧结法制备钌靶材；通过对真空度控制、加压烧结获得靶材坯料，最终获得具有低氧高密度且具有良好机加工性能的溅射靶材。本发明通对粉末形貌和粒径分布以及真空热压烧结工艺的控制，改善了钌靶氧含量高、表面粗晶层厚、致密度低、机加工性能差等缺点，获得低氧含量和高致密度且加工性能好的溅射靶材，避免常规热压烧结工艺制备的靶材加工困难的缺点。
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公开(公告)号：CN115802879A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211537351.7
申请日：2022-12-02
Applicant: 昆明贵金属研究所 , 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种快速低功耗Ru‑Sb‑Te相变存储材料及其制备方法、存储单元。本发明所提供的Ru‑Sb‑Te相变材料可以通过调节元素的含量和薄膜的厚度得到不同结晶温度、电阻率和结晶激活能的存储材料，该Ru‑Sb‑Te相变材料可调性非常强，有利于优化相变材料各方面性能；且该相变材料具有较好的数据保持力，将其应用于相变存储器中器件单元具有极快的操作速度和较好的循环次数，本申请实施例所提供的Ru‑Sb‑Te相变材料，与传统Ge2Sb2Te5相比，具有更高的热稳定性，更强的数据保持力，更快的结晶速度。
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